SENSITRON
半导体
技术参数
数据表1147 ， REV 。一
SHD115122
SHD115122B
HERMETIC肖特基功率整流器
低的电压降
描述：
一个45伏， 7.5 AMP ，功率肖特基整流器在密闭SHD - 2 / 2B包。
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流（阴极维护@ T
C
=100
O
C)
最大非重复正向浪涌电流
（T = 8.3ms的，正弦波）
最大结电容（ V
r
= 5V)
最大热阻（结到安装表面，阴极）
最高工作温度范围
最大存储温度范围
C
T
R
θJC
顶部
TSTG
400
1.7
-65
+ 175
-65
+ 175
pF
° C / W
°C
°C
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
FSM
马克斯。
45
7.5
140
单位
伏
安培
安培
电气特性
特征
最大正向电压降，脉冲（I
f
= 7.5安培）
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
最大反向电流（I
r
@ 45V PIV ）
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
I
r
0.2
7.5
mA
V
f
0.64
0.57
伏
符号
马克斯。
单位
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD115122
SHD115122B
SENSITRON
数据表1147 ， REV 。一
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.315±.010
(8.00±.254)
.315±.010
(8.00±.254)
.465±.020
(11.8±.508)
.150±.010
(3.81±.254)
.315±.010
(8.00±.254)
.315±.010
(8.00±.254)
.015±.005
(.381±.127)
铜阳极
0.090 （ 2.29 ）最大
氧化铝环
.020±.005 R
(.508±.127 )
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼基
钼盖
钼基
（阴极）
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
SHD-2
SHD-2B
接脚分布表
TYPE
单整流器
在一个表面贴装封装
PIN 1 （基地）
阴极
销2
阳极
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设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
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值超过绝对最大额定值。
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SHD115122
SHD115122B
SENSITRON
数据表1147 ， REV 。一
典型的正向特性
10
2
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
典型的反向特性
175 °C
150 °C
125 °C
10
0
10
1
10
1
瞬时正向电流 - I
F
(A)
175 °C
100 °C
75 °C
50 °C
10
-1
10
-2
25 °C
10
-3
125 °C
0
10
20
30
反向电压 - V
R
(V)
40
50
25 °C
结电容 - C
T
（PF ）
400
350
300
250
200
150
100
0
典型结电容
10
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
正向电压下降 - V
F
(V)
0.8
10
20
30
反向电压 - V
R
(V)
40
50
V
F
@ 1A -55 ° C典型值= 0.52V
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