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SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4757 , REV 。 -
SHD114645
SHD114645A
SHD114645B
功率肖特基整流器
低反向漏
应用范围:
开关电源
转换器
续流二极管
极性保护二极管
产品特点:
超低反向漏电流
软反向恢复低温和高温
低正向压降
低功耗,高效率
高浪涌能力
保护环,增强耐用性和长期可靠性
保证反向雪崩特性
最大额定值:
特征
峰值反向电压
马克斯。平均正向
当前
马克斯。峰值一个周期非
重复浪涌电流
非重复性雪崩
能源
重复性雪崩
当前
热阻
最大。结温
马克斯。储存温度
符号
V
RWM
I
F( AV )
I
FSM
E
AS
I
AR
R
thJC
T
J
T
英镑
条件
-
50%的占空比,矩形
电波表
8.3毫秒,半正弦波
(每站)
T
J
= 25
°C,
I
AS
= 1.3 A,
L = 40mH (每站)
I
AS
线性地衰减到0 1
s
限制T
J
MAX V
A
=1.5V
R
每包
-
-
马克斯。
150
120
1650
27
1.3
0.2
-65到+175
-65到+175
单位
V
A
A
mJ
A
° C / W
°C
°C
电气特性:
特征
马克斯。正向电压降
符号
V
F1
V
F2
马克斯。反向电流
I
R1
I
R2
马克斯。结电容
C
T
条件
@ 120A ,脉冲,T
J
= 25
°C
(每站)在导线测量
@ 120A ,脉冲,T
J
= 125
°C
(每站)在导线测量
@V
R
= 150V ,脉冲,
T
J
= 25
°C
(每站)
@V
R
= 150V ,脉冲,
T
J
= 125
°C
(每站)
@V
R
= 5 V ,T
C
= 25
°C
f
SIG
= 1 MHz时,
V
SIG
= 50mV的( P-P ) (每站)
马克斯。
0.91
0.75
3
48
3000
单位
V
V
mA
mA
pF
221西工业苑
3
鹿园,NY 11729-4681
3
( 631 ) 586-7600传真( 631 ) 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
技术参数
数据表4757 , REV 。 -
机械尺寸:单位:英寸/毫米
SHD114645
SHD114645A
SHD114645B
.410±.010
(10.4± .254)
.550±.020
(14.0±.508)
.410±.010
(10.4±.254)
.560±.020
(14.2±.508)
.410±.010
(10.4±.254)
.150±.010
(3.81±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.200±.010
(5.08 ±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.015±.005
(.381±.127)
0.075 ( 1.91 )最大
氧化铝环
钼盖
.020±.005 R
(.508±.127 )
铜阳极
0.090 ( 2.29 )最大
.020±.005 R
(.508±.127 )
.075 (1.91)
最大
矾土
LID
钼基
(阴极)
钼阳极
.020±.002
(.508±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
氧化铝环
钼基
(阴极)
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
SHD-3
SHD-3A
SHD-3B
典型的正向特性
10
2
瞬时反向电流 -
R
我(毫安)
10
1
典型的反向特性
175 °C
150 °C
125 °C
10
-1
10
0
175 °C
10
1
100 °C
10
-2
瞬时正向电流 -
F
I(A )
125 °C
75 °C
10
0
10
-3
50 °C
10
-4
25 °C
25 °C
0
10
-1
结电容 - C
T
(PF )
2500
2000
20
40
60
80 100 120
反向电压 - V( V)
R
140
160
典型结电容
25 °C
1500
1000
500
0
20
40
60
80 100 120
反向电压 - V( V)
R
140
160
10
-2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压下降 - V( V)
F
1.0
如图VF曲线仅用于模具。
221西工业苑
3
鹿园,NY 11729-4681
3
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SENSITRON
半导体
技术参数
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1本文提供的信息,包括规格和尺寸,如有更改,恕不另行通知,以提高产品
的特点。订货前,买家应联系Sensitron半导体销售部门最新的版本
的数据表(S ) 。
2 - 在需要极高可靠性的情况下(如核电控制,航空航天,交通设备的使用,
医疗设备和安全设备),安全应该通过使用配有确保安全或由半导体器件来确保
手段,用户的故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下, Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元,根据所述数据表(多个)操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
物业索赔或任何其他问题可能导致的信息,产品或在数据表中所述的电路应用。
4-在任何情况下, Sensitron半导体是在半导体器件中的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
在使用值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表(S ) 。
6数据表(S )不得转载或复制,以任何形式,全部或部分,未经明确的书面许可,
Sensitron半导体。
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妨碍维护国际和平与安全,也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于该目的
派对。在出口这些产品(技术) ,必要的程序都将采取符合有关法律,
的规定。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SHD114645B
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
SHD114645B
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