SENSITRON
半导体
技术参数
数据表902 ， REV 。 -
SHD114612
SHD114612A
SHD114612B
密封功率肖特基整流器
低正向压降
描述：
一个45伏， 120 AMP ，功率肖特基整流器IN A SHD -3/ 3-A / 3 -B包。
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流@ T
C
=100 C
最大非重复正向浪涌电流
（T = 8.3ms的，正弦波）
最大结电容
最大热阻（结到阴极）
最大工作和存储温度范围
(V
r
=5V)
O
所有评级ARE @ T
C
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
PIV
I
O
I
FSM
C
T
马克斯。
45
120
1650
4800
0.2
-65
+ 150
单位
伏
安培
安培
pF
° C / W
C
R
JC
热门/ TSTG
电气特性
特征
最大正向电压降，脉冲
(I
f
= 120安培）
T
J
= 25
C
符号
马克斯。
单位
V
f
0.60
0.57
伏
T
J
= 125
C
最大反向电流（I
r
@ 45 V PIV ）
T
J
= 25
C
I
r
9.0
420
mA
T
J
= 125
C
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com电子邮件 - sales@sensitron.com
SHD114612
SHD114612A
SHD114612B
技术参数
数据表902 ， REV 。 -
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.410±.010
(10.4±.254)
.550±.020
(14.0±.508)
.410±.010
(10.4±.254)
.560±.020
.410±.010
(10.4±.254)
(14.2±.508)
.150±.010
(3.81±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.200±.010
(5.08 ±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.015±.005
(.381±.127)
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼盖
.020±.005 R
(.508±.127 )
铜阳极
0.090 （ 2.29 ）最大
氧化铝环
钼基
（阴极）
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
.020±.005 R
(.508±.127 )
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼基
钼盖
钼基
（阴极）
钼阳极
.020±.002
(.508±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
SHD-3
SHD-3A
SHD-3B
典型的正向特性
10
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
3
典型的反向特性
10
2
10
2
150 °
C
125 °
C
150 °
C
10
1
100 °
C
75 °
C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
0
10
1
50 °
C
10
-1
125 °
C
10
-2
25 °
C
25 °
C
0
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
50
结电容 - C
T
（PF ）
10
0
典型结电容
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
0
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
50
10
-1
0.0
0.2
0.4
0.6
正向电压下降 - V
F
(V)
0.8
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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SENSITRON
半导体
技术参数
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门最新的版本
的数据表（S ） 。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通设备的使用，
医疗设备和安全设备），安全应该通过使用配有确保安全或由半导体器件来确保
手段，用户的故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
物业索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或在数据表中所述的电路应用。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体器件中的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
在使用值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经明确的书面许可，
Sensitron半导体。
7-产品（技术）中的数据表（S ）描述不提供给任何一方，其目的在他们的应用程序将
妨碍维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于该目的
派对。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合有关法律，
的规定。
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
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技术参数
数据表902 ， REV 。一
SHD114612
SHD114612B
密封功率肖特基整流器
低正向压降
描述：
一个45伏， 120 AMP ，功率肖特基整流器IN A SHD -3/ 3-A / 3 -B包。
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流@ T
C
=100 C
O
所有评级ARE @ T
C
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
PIV
I
O
I
FSM
(V
r
=5V)
C
T
R
JC
马克斯。
45
120
1650
4800
0.38
-65
+ 150
单位
伏
安培
安培
pF
C / W
C
最大非重复正向浪涌电流
（T = 8.3ms的，正弦波）
最大结电容
最大热阻（结到阴极）
最大工作和存储温度范围
热门/ TSTG
电气特性
特征
最大正向电压降，脉冲
(I
f
= 120安培）
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
最大反向电流（I
r
@ 45 V PIV ）
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
I
r
9.0
420
mA
V
f
0.60
0.57
伏
符号
马克斯。
单位
2000 Sensitron半导体221西工业苑鹿园，NY 11729-4681
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SHD114612B
SENSITRON
技术参数
数据表902 ， REV 。一
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.410±.010
(10.4±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.150±.010
(3.81±.254)
.560±.020
(14.2±.508)
.410±.010
(10.4±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.015±.005
(.381±.127)
铜阳极
0.090 （ 2.29 ）最大
.020±.005 R
(.508±.127 )
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼巴斯ê
钼盖
氧化铝环
钼基
（阴极）
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
SHD-3
SHD-3B
典型的正向特性
10
3
典型的反向特性
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
10
2
150 °C
10
2
125 °C
10
1
150 °C
100 °C
75 °C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
0
10
1
50 °C
10
-1
125 °C
10
-2
25 °C
25 °C
0
10
20
30
40
反向电压 -
R
(V)
V
50
10
0
结电容 - C
T
（PF ）
典型结电容
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
0
10
20
30
40
反向电压 -
R
(V)
V
50
10
-1
0.0
0.2
0.4
0.6
正向电压降 -
F
V(V)
0.8
2000 Sensitron半导体221西工业苑鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798 www.sensitron.com sales@sensitron.com
SHD114612
SHD114612B
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技术参数
数据表902 ， REV 。一
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的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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