SENSITRON
半导体
技术参数
数据表705 ， REV 。 -
SHD114444
SHD114444A
SHD114444B
密封功率肖特基整流器
200 ° C最高工作温度
描述：
一个100伏， 30安培，密封功率肖特基整流器IN A SHD - 3 / 3A / 3B
封装。
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流（阴极维护@ T
C
=100 C)
最大非重复正向浪涌电流（ T = 10ms时，正弦波）
最大结电容
(V
r
=5V)
O
所有评级ARE @ T
C
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
PIV
I
O
I
FSM
C
T
Rq
JC
热门/ TSTG
马克斯。
100
30
570
1000
0.50
-65
+ 200
单位
伏
安培
安培
pF
° C / W
C
最大热阻（结到安装表面，阴极）
最大工作和存储温度范围
电气特性
特征
最大正向电压降，脉冲（I
f
= 30安培）
T
J
= 25
C
符号
马克斯。
单位
T
J
= 125
C
最大反向电流（I
r
@ 100 V PIV ）
T
J
= 25
C
V
f
0.84
0.68
伏
T
J
= 125
C
I
r
0.75
15
mA
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD114444
SHD114444A
SHD114444B
SENSITRON
数据表705 ， REV 。 -
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.410±.010
(10.4±.254)
.550±.020
(14.0±.508)
.410±.010
(10.4±.254)
.560±.020
.410±.010
(10.4±.254)
(14.2±.508)
.150±.010
(3.81±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.200±.010
(5.08 ±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.015±.005
(.381±.127)
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼盖
.020±.005 R
(.508±.127 )
铜阳极
0.090 （ 2.29 ）最大
氧化铝环
钼基
（阴极）
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
.020±.005 R
(.508±.127 )
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼基
钼盖
钼基
（阴极）
钼阳极
.020±.002
(.508±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
SHD-3
SHD-3A
SHD-3B
典型的正向特性
10
2
10
1
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
典型的反向特性
200 °
C
175 °
C
150 °
C
125 °
C
10
-1
10
0
200 °
C
10
1
瞬时正向电流 - I
F
(A)
175 °
C
100 °
C
75 °
C
50 °
C
10
-2
10
-3
10
0
25 °
C
10
-4
0
20
40
60
80
反向电压 - V
R
(V)
100
120
125 °
C
25 °
C
10
-1
典型结电容
结电容 - C
T
（PF ）
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
20
40
60
80
反向电压 - V
R
(V)
100
120
10
-2
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
正向电压下降 - V
F
(V)
0.8
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