SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4512 ， REV 。 -
SHD114436
SHD114436A
SHD114436B
功率肖特基整流器
低反向漏
应用范围：
开关电源
转换器
续流二极管
极性保护二极管
产品特点：
超低反向漏电流
软反向恢复低温和高温
低正向压降
低功耗，高效率
高浪涌能力
保护环，增强耐用性和长期可靠性
保证反向雪崩特性
最大额定值：
特征
峰值反向电压
马克斯。平均正向
当前
马克斯。峰值一个周期非
重复浪涌电流
非重复性雪崩
能源
重复性雪崩
当前
热阻
最大。结温
马克斯。储存温度
符号
V
RWM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
AR
R
thJC
T
J
T
英镑
条件
-
50％的占空比，矩形
电波表
8.3毫秒，半正弦波
（每站）
T
J
= 25
°C,
I
AS
= 1.3 A,
L = 40mH （每站）
I
AS
线性地衰减到0 1
s
限制T
J
MAX V
A
=1.5V
R
每包
-
-
马克斯。
200
30
570
27
1.3
0.50
-65到+200
-65到+200
单位
V
A
A
mJ
A
° C / W
°C
°C
电气特性：
条件
马克斯。
单位
0.92
V
@ 30A ，脉冲，T
J
= 25
°C
（每站）在导线测量
0.76
V
V
F2
@ 30A ，脉冲，T
J
= 125
°C
（每站）在导线测量
马克斯。反向电流
I
R1
@V
R
= 200V ，脉冲，
0.030
mA
T
J
= 25
°C
（每站）
I
R2
@V
R
= 200V ，脉冲，
2.0
mA
T
J
= 125
°C
（每站）
600
pF
马克斯。结电容
C
T
@V
R
= 5 V ，T
C
= 25
°C
f
SIG
= 1 MHz时，
V
SIG
= 50mV的（ P-P ） （每站）
由于200V的肖特基器件的性质，在叔一些降解
rr
性能在高温下应
可以预期，与常规低电压肖特基二极管。
特征
马克斯。正向电压降
符号
V
F1
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SENSITRON
技术参数
数据表4512 ， REV 。 -
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.560±.020
(14.2±.508)
.410±.010
(10.4±.254)
SHD114436
SHD114436A
SHD114436B
.410±.010
(10.4±.254)
.550?020
(14.0?508)
.410?010
(10.4?254)
.150±.010
(3.81±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.410?010
(10.4?254)
.200?010
(5.08 ?254)
.410±.010
(10.4±.254)
.015±.005
(.381±.127)
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼盖
.020?005 R
(.508?127 )
铜阳极
0.090 （ 2.29 ）最大
.020±.005 R
(.508±.127 )
.075 (1.91)
矾土
钼
钼基
（阴极）
钼阳极
.020?002
(.508?051)
.060?010
(1.52?254)
氧化铝环
钼基
（阴极）
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
钼
SHD-3
SHD-3A
典型的正向特性
10
1
SHD-3B
典型的反向特性
200 °C
175 °C
150 °C
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
10
0
10
1
200 °C
175 °C
10
-1
125 °C
100 °C
75 °C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
-2
10
-3
10
0
50 °C
10
-4
25 °C
10
-5
125 °C
0
40
80
120
160
反向电压 - V
R
(V)
200
240
10
-1
典型结电容
结电容 - C
T
（PF ）
25 °C
600
450
300
150
0
0
40
80
120
160
反向电压 - V
R
(V)
200
240
25 °C
10
-2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压下降 - V
F
(V)
1.0
如图VF曲线仅用于模具。
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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半导体
技术参数
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门最新的版本
的数据表（S ） 。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通设备的使用，
医疗设备和安全设备），安全应该通过使用配有确保安全或由半导体器件来确保
手段，用户的故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
物业索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或在数据表中所述的电路应用。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体器件中的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
在使用值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经明确的书面许可，
Sensitron半导体。
7-产品（技术）中的数据表（S ）描述不提供给任何一方，其目的在他们的应用程序将
妨碍维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于该目的
派对。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合有关法律，
的规定。
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技术参数
数据表4512 ， REV 。一
SHD114436
SHD114436A
SHD114436B
功率肖特基整流器
低反向漏
应用范围：
开关电源
转换器
续流二极管
极性保护二极管
产品特点：
超低反向漏电流
软反向恢复低温和高温
低正向压降
低功耗，高效率
高浪涌能力
保护环，增强耐用性和长期可靠性
保证反向雪崩特性
最大额定值：
特征
峰值反向电压
马克斯。平均正向
当前
马克斯。峰值一个周期非
重复浪涌电流
非重复性雪崩
能源
重复性雪崩
当前
热阻
最大。结温
马克斯。储存温度
符号
V
RWM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
AR
R
thJC
T
J
T
英镑
条件
-
50％的占空比，矩形
电波表
8.3毫秒，半正弦波
（每站）
T
J
= 25
°C,
I
AS
= 1.3 A,
L = 40mH （每站）
I
AS
线性地衰减到0 1
s
限制T
J
MAX V
A
=1.5V
R
每包
-
-
马克斯。
200
30
570
27
1.3
0.50
-65到+200
-65到+200
单位
V
A
A
mJ
A
° C / W
°C
°C
电气特性：
条件
马克斯。
单位
0.92
V
@ 30A ，脉冲，T
J
= 25
°C
（每站）在导线测量
0.76
V
V
F2
@ 30A ，脉冲，T
J
= 125
°C
（每站）在导线测量
马克斯。反向电流
I
R1
@V
R
= 200V ，脉冲，
0.2
mA
T
J
= 25
°C
（每站）
I
R2
@V
R
= 200V ，脉冲，
2.0
mA
T
J
= 125
°C
（每站）
600
pF
马克斯。结电容
C
T
@V
R
= 5 V ，T
C
= 25
°C
f
SIG
= 1 MHz时，
V
SIG
= 50mV的（ P-P ） （每站）
由于200V的肖特基器件的性质，在叔一些降解
rr
性能在高温下应
可以预期，与常规低电压肖特基二极管。
特征
马克斯。正向电压降
符号
V
F1
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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SENSITRON
技术参数
数据表4512 ， REV 。一
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.560±.020
(14.2±.508)
.410±.010
(10.4±.254)
SHD114436
SHD114436A
SHD114436B
.410±.010
(10.4±.254)
.550±.020
(14.0±.508)
.410±.010
(10.4±.254)
.150±.010
(3.81±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.200±.010
(5.08 ±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.015±.005
(.381±.127)
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼盖
.020±.005 R
(.508±.127 )
铜阳极
0.090 （ 2.29 ）最大
.020±.005 R
(.508±.127 )
.075 (1.91)
矾土
钼
钼基
（阴极）
钼阳极
.020±.002
(.508±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
氧化铝环
钼基
（阴极）
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
钼
SHD-3
SHD-3A
典型的正向特性
10
1
瞬时反向电流 - I
R
（MA ）
SHD-3B
典型的反向特性
200 °C
175 °C
150 °C
10
0
10
1
200 °C
175 °C
10
-1
125 °C
100 °C
75 °C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
-2
10
-3
10
0
50 °C
10
-4
25 °C
10
-5
125 °C
0
40
80
120
160
反向电压 - V
R
(V)
200
240
10
-1
结电容 - C
T
（PF ）
典型结电容
25 °C
600
450
300
150
0
0
40
80
120
160
反向电压 - V
R
(V)
200
240
10
-2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压下降 - V
F
(V)
1.0
如图VF曲线仅用于模具。
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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技术参数
数据表4512 ， REV 。一
SHD114436
SHD114436A
SHD114436B
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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鹿园，NY 11729-4681
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