SENSITRON
半导体
技术数据，临时数据仅供
数据表4289 ，版本B
SHB601112E
碳化硅单相全波桥
描述：
1200伏， 10安培电源碳化硅单相全波
桥在密闭的5引脚TO- 258 （ MO- 078 ）封装
产品特点：
无恢复时间或反向恢复损耗
没有温度影响的开关行为
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流每支架
最大可重复正向浪涌电流每支架
（T = 8.3ms的，正弦波）
最大非重复正向浪涌电流每支架
（T = 10微秒，脉冲）
最大功率耗散
最大热阻（结到管壳）
最大工作和存储温度范围
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
FRM
I
FSM
P
d
R
θJC
顶， TSTG
马克斯。
1200
10
50
250
80
0.50
-55
+200
单位
伏
安培
安培
安培
W
° C / W
°C
*
注：碳化硅半导体将处理达到或超过该操作和储存温度。然而，扩展业务使用的封装装置的
175℃以上会降低其未来表现。所有资格测试和筛选符合MIL -PRF- 19500只进行到175℃ 。
电气特性
特征
最大正向电压降我
f
= 10A每支架，T
J
=25
°C
T
J
=175
°C
最大反向电流PIV = 1200V每支架，T
J
= 25
°C
T
J
= 175
°C
最大结电容每支架（V
r
=400V)
总容性充电每支架（V
R
= 1200V ，我
F
=10A,
的di / dt = 500A / μs的和T
J
= 25 ° C） Q
C
C
T
典型值
1.60
2.50
0.01
0.02
70
60
不适用
马克斯。
1.80
3.00
0.20
1.00
mA
pF
nC
伏
单位
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
万维网 - http://www.sensitron.com
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHB601112E
SENSITRON
技术数据，临时数据仅供
数据表4289 ，版本B
机械尺寸： （英寸）
5
2
4
MO-078
1
接脚分布表
设备类型
单相全波桥
销1
DC （ - ）
销2
AC(1)
3脚
NC
引脚4
AC(2)
5脚
DC （ + ）
应用说明：客户应该知道，在碳化硅技术目前的发展阶段，反向雪崩
该装置的能力是有限的。
客户的设计将需要适应这些限制和避免器件的接触这种和其他潜在
破坏性的条件在他们的应用程序。
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技术数据，临时数据仅供
数据表4289 ， Rev.B的
正向和反向特性的个体二极管
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以改善
产品特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体营业部的
最新版本的数据表（S ）的。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备，安全设备） ，安全性应该通过使用该功能的半导体器件保证
确保安全或用户的故障安全防范措施或其他安排方式。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
属性的权利要求或任何其它问题可能是由于在所描述的信息，产品或电路应用
数据表。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
从使用的值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，没有表达令状10权限
Sensitron半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在其应用
会妨碍维护国际和平与安全也不是由他们的直接购买者或任何适用于该目的
第三者。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合相关
法律和法规。
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真：（ 631 ） 242-9798
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DATA SHEET 4289修订版 -
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碳化硅单相全波桥
描述：
1200伏， 10安培电源碳化硅单相全波
桥在密闭的5引脚TO- 258 （ MO- 078 ）封装
产品特点：
无恢复时间或反向恢复损耗
没有温度影响的开关行为
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流每支架
最大可重复正向浪涌电流每支架
（T = 8.3ms的，正弦波）
最大非重复正向浪涌电流每支架
（T = 10微秒，脉冲）
最大结电容每支架（V
r
=400V)
最大功率耗散
最大热阻（结到管壳）
最大工作和存储温度范围
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
PIV
I
O
I
FRM
I
FSM
C
T
P
d
R
θJC
顶， TSTG
马克斯。
1200
10
50
250
70
80
0.50
-55
+200
单位
伏
安培
安培
安培
pF
W
° C / W
°C
电气特性
特征
最大正向电压降我
f
= 10A每支架，T
J
=25
°C
T
J
=175
°C
最大反向电流PIV = 1200V每支架，T
J
= 25
°C
T
J
= 175
°C
总容性充电每支架（V
R
= 1200V ，我
F
=10A,
的di / dt = 500A / μs的和T
J
= 25 ° C） Q
C
典型值
1.60
2.50
0.01
0.02
60
马克斯。
1.80
3.00
0.20
1.00
不适用
mA
nC
伏
单位
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技术数据，临时数据仅供
DATA SHEET 4289修订版 -
机械尺寸： （英寸）
5
2
4
MO-078
1
接脚分布表
设备类型
单相全波桥
销1
DC （ - ）
销2
AC(1)
3脚
NC
引脚4
AC(2)
5脚
DC （ + ）
应用说明：客户应该知道，在碳化硅技术目前的发展阶段，反向雪崩
该装置的能力是有限的。
客户的设计将需要适应这些限制和避免器件的接触这种和其他潜在
破坏性的条件在他们的应用程序。
221西工业苑
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正向和反向特性的个体二极管
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1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以改善
产品特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体营业部的
最新版本的数据表（S ）的。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通用
设备，医疗设备，安全设备） ，安全性应该通过使用该功能的半导体器件保证
确保安全或用户的故障安全防范措施或其他安排方式。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
属性的权利要求或任何其它问题可能是由于在所描述的信息，产品或电路应用
数据表。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
从使用的值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，没有表达令状10权限
Sensitron半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在其应用
会妨碍维护国际和平与安全也不是由他们的直接购买者或任何适用于该目的
第三者。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合相关
法律和法规。
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