添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第112页 > SH8M70TB1
10V驱动N沟道+ P沟道MOSFET
SH8M70
Structure
硅的N沟道/ P沟道MOSFET
■特点
1）低导通电阻。
2 ）内置G -S保护二极管。
3 ）小型表面贴装封装（ SOP8 ） 。
●应用
电源开关， DC / DC变换器。
每根导线具有相同的尺寸
尺寸
（单位：毫米）
SOP8
Packaging
特定网络阳离子
包
TYPE
SH8M70
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TB
2500
Inner
电路
(8)
(7)
(6)
(5)
(8) (7) (6) (5)
2
2
(1) (2) (3) (4)
（1） Tr1的源
（2） Tr1的栅极
（3） Tr2的源
（4） Tr2的栅
（ 5 ） Tr2的漏
（ 6 ） Tr2的漏
（ 7 ） Tr1的漏
（ 8 ） Tr1的漏
1
1
(1)
(2)
(3)
(4)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
A
保护二极管被包含在栅极和间
源端，以防止静电的二极管
电时，该产品在使用中。使用保护
当固定电压超过电路。
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷板上。
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
N沟道
P沟道
250
250
30
20
±2.5
±3.0
±10
±12
1.0
1.0
10
12
2.0 （ TOTAL ） 1.4 （元）
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
连续
脉冲
连续
脉冲
www.rohm.com
c
○
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
1/7
2010.06 - Rev.B的
SH8M70
N沟道
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
符号
分钟。
典型值。
1.25
180
70
20
10
20
20
25
5.2
2.1
1.2
马克斯。
±10
25
4.0
1.63
栅源漏
I
GSS
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
250
I
DSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.0
静态漏源导通状态
R
DS （ ON）
阻力
正向转移导纳
Y
fs
0.75
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
下降时间
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
单位
μA
V
μA
V
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±25V,
V
DS
=0V
I
D
=1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=250V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=1.5A,
V
GS
=10V
I
D
=1.5A,
V
DS
=10V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=1.5A,
V
DD
125V
V
GS
=10V
R
L
=83Ω
R
G
=10Ω
V
DD
125V
V
GS
=10V
I
D
=3A
R
L
=42Ω
R
G
=10Ω
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
单位
V
条件
I
S
=3A,
V
GS
=0V
www.rohm.com
c
○
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
2/7
2010.06 - Rev.B的
SH8M70
P沟道
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
符号
栅源漏
I
GSS
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
I
DSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
R
DS （ ON）
阻力
正向转移导纳
Y
fs
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
下降时间
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
栅极 - 源电荷
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
分钟。
250
2.0
1.0
典型值。
2.2
250
40
10
9
15
30
20
8
2.5
2.8
马克斯。
±10
25
4.0
2.8
单位
μA
V
μA
V
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±15V,
V
DS
=0V
I
D
= -1mA ，
V
GS
=0V
V
DS
= 250V,
V
GS
=0V
V
DS
= 10V,
I
D
= -1mA
I
D
= 1.25A,
V
GS
= 10V
I
D
= 1.25A,
V
DS
= 10V
V
DS
= 25V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 1.25A,
V
DD
125V
V
GS
= 10V
R
L
=100Ω
R
G
=10Ω
V
DD
125V,
I
D
= 2.5A
V
GS
= 10V
R
L
=50Ω,
R
G
=10Ω
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极） （ TA = 25 ° C）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
单位
V
条件
I
S
=2.5A,
V
GS
=0V
www.rohm.com
c
○
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
3/7
2010.06 - Rev.B的
SH8M70
N沟道
ⅵELECTRICAL
特性曲线
1000
数据表
10000
Ta=25°C
V
DD
=125V
V
GS
=10V
R
G
=10Ω
脉冲
1000
典型的电容：C （PF ）
开关时间： T（ NS ）
1000
反向恢复时间： TRR
（纳秒）
西塞
100
tf
TD （关闭）
100
100
科斯
10
f=1MHz
V
GS
=0V
Ta=25°C
1脉冲
0.01
0.1
TD （上）
10
10
Ta=25°C
di/dt=100A/μs
V
GS
=0V
脉冲
10
tr
CRSS
1
10
100
1000
1
0.01
0.1
1
10
1
0.1
1
漏源电压： V
DS
(V)
漏电流：我
D
(A)
反向漏电流：我
DR
(A)
图1典型的电容与
漏源电压
图2开关特性
图3反向恢复时间 -
反向漏电流
静态漏源导通电阻
15
10
门源电压： V
GS
(V)
V
DS
=10V
脉冲
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
1.5A
I
D
=3A
Ta=25°C
脉冲
漏电流：我
D
(A)
10
1
5
Ta=25°C
V
DD
=125V
I
D
=3A
脉冲
5
6
7
0.1
Ta=-25°C
25°C
75°C
125°C
0
0
1
2
3
4
0.01
0
2
4
6
8
20
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
栅源电压： VGS （V ）
栅源电压： V
GS
(V)
图4动态输入特性
图5典型的转移
特征
图6静态漏源导通状态
性vs.Gate源电压
静态漏源导通电阻：
V
GS
=0V
脉冲
10
静态漏源导通电阻
10
3
2.5
V
GS
=10V
脉冲
V
GS
=10V
脉冲
I
D
=3.0A
源电流：我
S
(A)
2
1.5
1
0.5
0
-50 -25
1.5A
1
Ta=-25°C
25°C
75°C
125°C
1
Ta=125°C
75°C
25°C
-25°C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.1
0.1
1
10
0
25
50
75 100 125 150
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
漏电流：我
D
(A)
温度：总胆固醇（ ° C）
图7源电流和
源 - 漏电压
图8静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
图9静态漏源导通状态
电阻与通道温度
www.rohm.com
c
○
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
4/7
2010.06 - Rev.B的
SH8M70
数据表
10
栅极阈值电压： V
GS
（ TH） （V ）
V
DS
=10V
脉冲
5
V
DS
=10V
I
D
=1mA
正向转移导纳
： | YFS | （ S）
4
漏电流：我
D
(A)
V
GS
=10V
9V
8V
1.6
7V
1.8
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
2
6V
1
3
5V
0.1
Ta=-25°C
25°C
75°C
75°C
2
1
4V
3V
0
2
4
6
8
10
0.01
0.01
0.1
1
10
0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
0
漏电流：我
D
(A)
图10正向转移导纳
与漏电流
通道温度：总胆固醇（C ）
汲极电压水稻源： V
DS
(V)
图11栅极阈值电压
与通道温度
图12典型的输出特性
P沟道
ⅵELECTRICAL
特性曲线
1000
西塞
10000
典型的电容：C （PF ）
1000
tf
100
TD （关闭）
TD （上）
10
门源电压：
V
GS
(V)
开关时间： T（ NS ）
Ta=25°C
V
DD
=
125V
V
GS
=
10V
R
G
=10Ω
脉冲
15
100
科斯
10
10
f=1MHz
V
GS
=0V
Ta=25°C
脉冲
1
0.01
0.1
CRSS
5
Ta=25°C
V
DD
=125V
I
D
=2.5A
脉冲
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
tr
1
10
100
1000
1
0.01
0.1
1
10
0
漏源电压： -V
DS
(V)
漏电流： -I
D
(A)
图1典型的电容与
漏源电压
图2开关特性
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图3动态输入特性
10
静态漏 - 源导 - 国家
阻力
V
DS
=-10V
脉冲
10
9
10
漏电流： -I
D
(A)
1
7
6
5
4
3
2
1 TA = 25℃
脉冲
0
0
5
I
D
=-2.5A
-1.25A
源电流： -I
S
(A)
8
1
Ta=-25°C
25°C
75°C
125°C
V
GS
=0V
脉冲
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.1
Ta=-25°C
25°C
75°C
125°C
0.01
0
2
4
6
8
0.1
10
15
20
栅源电压：
V
GS
(V)
栅源电压： -V
GS
(V)
源极 - 漏极电压： -V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
www.rohm.com
c
○
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
5/7
2010.06 - Rev.B的
查看更多SH8M70TB1PDF信息
推荐型号
ST6208BT1/OTP
S-1132B44-I6T2G
SY58037UMY
SIP43102DQ-T1-E3
S-812C37BPI-C4RTFG
SI2337DS-T1-E3
SN74HC164
STB80NF75L-1
S71PL064J0ABAW9Z3
SN54LS47
S-1132B20-I6T2G
SN74AHC1G04DRLR
SY10E104JYTR
SBP1050
SN74LVTH125-EP
SDR405
SM5833
SD203N25S20MSV
SY10H841LZC
SN54BCT374
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SH8M70TB1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
SH8M70TB1
Rohm
2025+
26820
8-SOIC
【原装优势★★★绝对有货】
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
SH8M70TB1
Rohm Semiconductor
24+
10000
8-SOP
原厂一级代理，原装现货
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SH8M70TB1
Rohm Semiconductor
24+
13439
8-SOP
全新原装现货，原厂代理。
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SH8M70TB1
Rohm Semiconductor
21+
12540
SMD
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
SH8M70TB1
Rohm Semiconductor
21+
12540
SMD
全新原装正品/质量有保证
查询更多SH8M70TB1供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！