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4V驱动N沟道+ P沟道MOSFET

SH8M24

Structure

硅的N沟道/ P沟道MOSFET

■特点

1）低导通电阻。

2 ）内置G -S保护二极管。

3 ）小型表面贴装封装（ SOP8 ）。

●应用

开关

每根导线具有相同的尺寸

尺寸

（单位：毫米）

SOP8

Packaging

特定网络阳离子

包

TYPE

SH8M24

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

2500

Inner

电路

(8)

(7)

(6)

(5)

（1） Tr1的源

（2） Tr1的栅极

（3） Tr2的源

（4） Tr2的栅

（ 5 ） Tr2的漏

（ 6 ） Tr2的漏

（ 7 ） Tr1的漏

（ 8 ） Tr1的漏

“绝对

最大额定值

(Ta=25C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

总功耗

通道温度

储存温度

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷板上。

符号

DSS

GSS

总胆固醇

TSTG

连续

脉冲

连续

脉冲

范围

TR1 ： N沟道

TR2 ： P沟道

±20

±3.5

±4.5

±14

±18

1.0

2.0

1.4

150

+150

单位

W / TOTAL

W /元

°C

(1)

(2)

(3)

(4)

ESD保护二极管

体二极管

www.rohm.com

○

1/3

2009.12 - Rev.A的

SH8M24

N沟道

ⅵELECTRICAL

特征

(Ta=25C)

参数

符号

分钟。

1.0

3.5

典型值。

550

140

6.8

2.0

2.9

马克斯。

GSS

栅源漏

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

零栅极电压漏极电流

DSS

栅极阈值电压

GS （ TH）

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

DS （ ON）

数据表

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

2.5

9.6

单位

μA

mΩ

条件

20V, V

=0V

= 1mA时， V

=0V

= 45V, V

=0V

= 10V ，我

= 1毫安

= 4.5A ，V

= 10V

= 4.5A ，V

= 4.5V

= 4.5A ，V

= 4V

= 10V ，我

= 4.5A

= 10V

= 0V

f=1MHz

25V

= 2.5A

= 10V

= 10Ω

25V, V

= 5V

= 4.5A

= 5.6Ω, R

= 10Ω

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极）（ TA = 25 ° C）

参数

正向电压

脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

= 4.5A ，V

=0V

www.rohm.com

○

2/3

2009.12 - Rev.A的

SH8M24

P沟道

ⅵELECTRICAL

特征

(Ta=25C)

参数

符号

分钟。

典型值。

1700

200

135

13.0

3.6

4.7

马克斯。

GSS

栅源漏

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

零栅极电压漏极电流

DSS

栅极阈值电压

GS （ TH）

1.0

静态漏源导通状态

DS （ ON）

阻力

4.5

正向转移导纳

输入电容

国际空间站

OSS

输出电容

RSS

反向传输电容

导通延迟时间

D（上）

上升时间

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

脉冲

数据表

2.5

18.2

单位

μA

mΩ

条件

20V, V

=0V

1mA,

=0V

45V,

=0V

10V,

1mA

3.5A,

10V

3.5A,

4.5V

3.5A,

10V,

3.5A

10V

=0V

f=1MHz

2.0A

10V

=12.5Ω

=10Ω

25V,

3.5A

= 7.1Ω, R

= 10Ω

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极）（ TA = 25 ° C）

参数

正向电压

脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

3.5A,

=0V

www.rohm.com

○

3/3

2009.12 - Rev.A的

通告

笔记

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"Products" ）。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，

这可以从ROHM要求获得。

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示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须

在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。

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使用这样的技术信息。

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设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-

讯设备，电子电器，娱乐设备）。

本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。

而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一

产品可能会失败或因各种原因发生故障。

请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现

对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性

任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM

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范围或者没有按照使用说明书。

该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或

系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中

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仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，

燃料控制器或其他安全装置）。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任

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