SH177
单身
产量
公司Bauelemente
符合RoHS产品
霍尔效应锁存IC
描述
该SH177是一款集成霍尔效应锁存输出的传感器
上拉电阻驱动器，设计用于电子换向
无刷直流电机应用和非接触式开关。该
装置包括用于磁性片上霍尔电压发生器
传感，一个比较器，它放大该霍尔电压，和一个
施密特触发器提供噪声抑制开关滞后，
输出驱动器具有上拉电阻。一个内部带隙
调节器被用来提供温度补偿的供给
电压为内部电路，并允许一个宽工作电源
范围内。如果磁通密度高于阈波普较大，DO是
接通（低）。输出状态保持到磁通量
逆转密度低于BRP造成DO被关闭（高） 。
o
SH177的额定工作温度范围为-20℃
o
至100℃和电压范围从3.5V到28V 。该装置是
低成本提供死亡形式或崎岖的3引脚SIP封装。
特点
*
内部带隙稳压器允许温度补偿
REF 。
A
A1
b
b1
毫米
分钟。
1.245
马克斯。
1.753
REF 。
D
E
L
e
毫米
分钟。
3.962
2.870
13.60
马克斯。
4.216
3.124
15.60
操作和较宽的工作电压范围
*
建立在保护二极管芯片反向电源连接
0.750REF.
0.330
0.406
0.432
0.508
* TTL和MOS集成电路直接驱动的输出通过
*宽电源电压范围： 3.5V至28V
*高灵敏度和一块小磁铁
1.27 REF 。
应用
*旋转传感器
*测速
*键盘开关
*无刷直流风扇
*位置传感器
*微动开关
*直流无刷电机
*革命计数
引脚说明
名字
V
cc
V
ss
DO
P / I / O
P
P
O
针＃
1
2
3
描述
正电源。
地
数字输出
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SH177
公司Bauelemente
单身
产量
霍尔效应锁存IC
功能块图
VCC
1
VCC
1
注册。
27K
3
输出（ DO ）
HALL
传感器
2
VSS
在Ta绝对最大额定值= 25℃
参数
电源电压
倒V
CC
极性电压
磁通量密度
输出电压OFF
产量
ON
当前
工作温度范围
存储温度范围
封装功耗
最大。结温
o
符号
V
CC
V
RCC
B
V
CE
I
C
连续
T
A
T
S
P
D
Tj
价值
28
-28
无限
35
25
-20~100
-65~150
250
单位
V
V
V
mA
o
o
C
C
C
mW
o
175
电气特性TA = 25
C
参数
符号
测试条件
民
典型值。
马克斯。
单位
o
电源电压
低输出电压
高输出电压
输出漏电流
输出短路电流
电源电流
输出上升时间
输出下降时间
V
CC
V
OL
V
OH
I
CEX
-I
OS
I
CC
tr
tf
-
V
CC
= 16V ，木卫一= 12毫安， B = 130高斯
V
CC
= 3.6V ，木卫一= 12毫安， B = 130高斯
V
CC
= 16V ，木卫一= -30 A，B = -130高斯
V
CC
= 3.6V ，输入输出= -30 A，B = -130高斯
V
CC
=16V,Vcc=16V
V
CC
= 16V ， VO = 0V ， B = -130高斯
V
CC
= 24V ，输出开路
V
CC
= 16V ， RL = 820 CL = 20PF
V
CC
=16V,RL=820
CL=20pf
3.5
-
-
14.6
2.2
-
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
<0.1
-
5
0.3
0.3
28
0.4
0.4
-
-
10
0.9
10
1.5
1.5
V
V
V
V
V
uA
mA
mA
us
us
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测试电路
16V
Vout的（ DO）的
RL
RL = 820欧姆
CL = 20 pF的
功耗VS.环境温度
TA（ ： ）
25 50 60 70 80 85 90 95 100 105 110 115
加入Pd（毫瓦） 275 262 257 252 242 237 232 227 222 212 202 192
P（D） （M W）
300
250
200
150
100
0
25
50
75
T A （ ° C）
100
P 2 O宽E R d为的IP一件T IO N c个ü诉ê
CL
125
182
125
150
电气特性曲线
˙
˙
˙
—
`
`
¨
˙
¨ ¨ ¨
…
…
ICC v.s的Vcc在不同温度
¨
¨
¨
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电流容量与电源电压引脚DO
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磁特性
特征
一个BIN
操作点
BIN B
滨
一个BIN
放点
BIN B
滨
一个BIN
迟滞
BIN B
滨
符号
BOP
BOP
BOP
BRP
BRP
BRP
BHYS
BHYS
BHYS
民
0
-
-
-70
-100
-130
40
50
60
TA = + 25 ：
最大
70
100
130
0
-
-
110
150
160
TA = -0 ： +70 ：
民
0
-
-
-70
-100
-130
20
30
40
最大
70
100
130
0
-
-
140
200
220
单位
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
磁滞特性
一个BIN
DO
输出电压伏
12
10
8
6
4
RP
-200
-100
0
2
100
ON
200
关闭
OP
在高斯磁通密度
BIN B
DO
输出电压伏
12
10
8
6
4
RP
-200
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关闭
OP
2
-100
0
100
ON
200
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单身
产量
霍尔效应锁存IC
滨
DO
输出电压伏
关闭
12
10
8
6
4
OP
RP
-200
-100
0
2
100
ON
200
在高斯磁通密度
包装信息
活动区域深度
0.51mm
喃
包装传感器位置
马克斯： 2.13毫米
闵： 1.87毫米
马克斯： 1.53毫米
闵： 1.27毫米
BRANDED
表面
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