SGR20N40L / SGU20N40L
2001年8月
IGBT
SGR20N40L / SGU20N40L
概述
绝缘栅双极晶体管（IGBT ）与沟槽
栅结构提供了优异的导通和开关
性能比较与具有平面型晶体管
栅结构。他们也有广泛的抗噪声能力。这些
装置非常适合于选通脉冲的应用
特点
高输入阻抗
高峰值电流能力（ 150A ）
简单的栅极驱动
表面贴装： SGR20N40L
直导语： SGU20N40L
应用
频闪闪光灯。
C
C
G
G
E
D- PAK
GC ê
I- PAK
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
CM （1）
P
C
T
J
T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
描述
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流脉冲
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
SGR / SGU20N40L
400
±
6
150
45
-40到+150
-40到+150
300
单位
V
V
A
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
（ D- PAK ）
R
θJA
（ I- PAK ）
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境（ PCB安装）
(2)
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
3.0
50
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（ 2 ）装上1 “方形PCB（ FR4或G - 10材料）
2001仙童半导体公司
SGR20N40L / SGU20N40L牧师A1
SGR20N40L / SGU20N40L
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
450
--
--
--
--
--
--
10
±
0.1
V
A
A
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
C- ê饱和电流
I
C
= 1mA时， V
CE
= V
GE
I
C
= 150A ，V
GE
= 4.5V
0.5
2.0
1.0
4.5
1.4
8.0
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 30V,
F = 1MHz的
--
--
--
3800
50
35
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
CC
= 300V ，我
C
= 150A,
V
GE
= 4.5V ，R
G
= 15*
阻性负载
--
--
--
--
0.2
1.7
0.3
1.5
--
--
0.5
2.0
s
s
s
s
*注：建议的R
G
值，R
G
≥15
2001仙童半导体公司
SGR20N40L / SGU20N40L牧师A1
SGR20N40L / SGU20N40L
200
共发射极
T
C
= 25℃
7
5.0V
4.5V
共发射极
V
GE
= 4.5V
150A
集电极 - 发射极电压，V
CE
[v]
集电极电流，I
C
[A]
150
4.0V
3.5V
6
5
100
3.0V
4
100A
V
GE
= 2.5V
50
3
I
C
= 70A
0
0
2
4
6
8
2
-50
0
50
100
150
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
外壳温度，T
C
[
℃
]
图1.典型的输出特性
图2.饱和电压与案例
温度变电流等级
20
共发射极
T
C
= -40℃
20
共发射极
T
C
= 25℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
12
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
16
12
8
150A
4
100A
I
C
= 70A
0
0
1
2
3
4
5
6
8
150A
4
100A
I
C
= 70A
0
0
1
2
3
4
5
6
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
图3.饱和电压与V
GE
图4.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125℃
10000
资本投资者入境计划
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
1000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
12
8
150A
100A
电容[ pF的]
100
卓越中心
4
I
C
= 70A
0
0
1
2
3
4
5
6
10
0
10
CRES
20
30
40
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2001仙童半导体公司
图6.电容特性
SGR20N40L / SGU20N40L牧师A1
SGR20N40L / SGU20N40L
6
共发射极
V
CC
= 300V ，R
L
= 2Ω
T
C
= 25℃
200
175
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
集电极电流峰值，我
CP
[A]
150
125
100
75
50
25
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
2
4
6
8
10
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图7.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
图8.集电极电流限随
门 - 发射极电压极限
2001仙童半导体公司
SGR20N40L / SGU20N40L牧师A1
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
SGR20N40L / SGU20N40L
2001年8月
IGBT
SGR20N40L / SGU20N40L
概述
绝缘栅双极晶体管（IGBT ）与沟槽
栅结构提供了优异的导通和开关
性能比较与具有平面型晶体管
栅结构。他们也有广泛的抗噪声能力。这些
装置非常适合于选通脉冲的应用
特点
高输入阻抗
高峰值电流能力（ 150A ）
简单的栅极驱动
表面贴装： SGR20N40L
直导语： SGU20N40L
应用
频闪闪光灯。
C
C
G
G
E
D- PAK
GC ê
I- PAK
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
CM （1）
P
C
T
J
T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
描述
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流脉冲
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
SGR / SGU20N40L
400
±
6
150
45
-40到+150
-40到+150
300
单位
V
V
A
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
（ D- PAK ）
R
θJA
（ I- PAK ）
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境（ PCB安装）
(2)
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
3.0
50
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（ 2 ）装上1 “方形PCB（ FR4或G - 10材料）
2001仙童半导体公司
SGR20N40L / SGU20N40L牧师A1
SGR20N40L / SGU20N40L
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
450
--
--
--
--
--
--
10
±
0.1
V
A
A
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
C- ê饱和电流
I
C
= 1mA时， V
CE
= V
GE
I
C
= 150A ，V
GE
= 4.5V
0.5
2.0
1.0
4.5
1.4
8.0
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 30V,
F = 1MHz的
--
--
--
3800
50
35
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
CC
= 300V ，我
C
= 150A,
V
GE
= 4.5V ，R
G
= 15*
阻性负载
--
--
--
--
0.2
1.7
0.3
1.5
--
--
0.5
2.0
s
s
s
s
*注：建议的R
G
值，R
G
≥15
2001仙童半导体公司
SGR20N40L / SGU20N40L牧师A1
SGR20N40L / SGU20N40L
200
共发射极
T
C
= 25℃
7
5.0V
4.5V
共发射极
V
GE
= 4.5V
150A
集电极 - 发射极电压，V
CE
[v]
集电极电流，I
C
[A]
150
4.0V
3.5V
6
5
100
3.0V
4
100A
V
GE
= 2.5V
50
3
I
C
= 70A
0
0
2
4
6
8
2
-50
0
50
100
150
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
外壳温度，T
C
[
℃
]
图1.典型的输出特性
图2.饱和电压与案例
温度变电流等级
20
共发射极
T
C
= -40℃
20
共发射极
T
C
= 25℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
12
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
16
12
8
150A
4
100A
I
C
= 70A
0
0
1
2
3
4
5
6
8
150A
4
100A
I
C
= 70A
0
0
1
2
3
4
5
6
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
图3.饱和电压与V
GE
图4.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125℃
10000
资本投资者入境计划
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
1000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
12
8
150A
100A
电容[ pF的]
100
卓越中心
4
I
C
= 70A
0
0
1
2
3
4
5
6
10
0
10
CRES
20
30
40
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2001仙童半导体公司
图6.电容特性
SGR20N40L / SGU20N40L牧师A1
SGR20N40L / SGU20N40L
6
共发射极
V
CC
= 300V ，R
L
= 2Ω
T
C
= 25℃
200
175
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
集电极电流峰值，我
CP
[A]
150
125
100
75
50
25
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
2
4
6
8
10
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图7.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
图8.集电极电流限随
门 - 发射极电压极限
2001仙童半导体公司
SGR20N40L / SGU20N40L牧师A1
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
QQ：2880707522 复制
