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硅保护电路
表面贴装Surgector
TM
瞬态电压抑制器
Surgector晶闸管对于电信保护
旨在抑制雷电等瞬变, Surgector抑制器
主要用于操作电话线路上的“塞尖和塞环”
环境,为了保护电信CPE和COE
产品与Littelfuse的461系列电信结合纳米
2
保险丝。
这些器件提供电信二级保护
设备,如电话,调制解调器,线卡和其他设备
受到瞬态损坏过电压事件。 Surgectors可以是一个
电话线路保护装置的组成部分,会议交流电源交叉
标准中的关联与正确选择电阻/ PTC /保险丝使用时
组合如Littelfuse的461系列保险丝。 Littelfuse的表面
山Surgectors使用的是硅晶闸管技术制造,
提供双向电压钳位的任一极性的瞬变
从单个芯片中。
本数据表中所描述的Surgector设备制造
与DO- 214AA低调风格的情况下,并且是第二个来源
相当部分业内人士“ SIDAC ”类型。表面贴装Surgector
抑制器提供的压纹载带的330毫米
( 13英寸)卷轴。
特点
额定电信业瞬态浪涌等级:
- 符合Telcordia ( Bellcore实验室) GR -1089
- ITU K.20 CCITT / 0.21
- FCC第68部分
- UL 60950
薄型封装,兼容PCMCIA卡, UL- 94V- 0上市
订购信息
部分
B型
SGT0640SBT
SGT0720SBT
SGT2300SBT
SGT2900SBT
SGT3100SBT
C型
SGT0640SCT
SGT0720SCT
SGT1300SCT
SGT1500SCT
SGT2300SCT
SGT2900SCT
SGT3100SCT
SGT3500SCT
77
88
160
180
260
330
350
400
100
100
100
100
100
100
100
100
600
600
600
600
500
500
500
500
77
88
260
330
350
50
50
50
50
50
320
320
200
200
200
V
BO
(最大)
ATI
BO
=800MA
(V)
I
PP
(最大)
10× 1000μs脉冲
(A)
I
PP
(最大)
2× 10μs的脉冲
(A)
参团中最常见的电压VDRM类型
低通态电压
跨常见行业类型
高最小维持电流
机构认证:
下的组件程序识别
美国保险商实验室。
代理文件编号:
UL E135010 。
应用
二级保护:
- DSL调制解调器
- 机顶盒
- 电话
- 传真
- 调制解调器
- 线卡
- SLIC
- TLPU模块
报警系统
CATV线路
电缆调制解调器
注:t SUF科幻x表示磁带和卷轴。
符号
236
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
NEXT
硅保护电路
表面贴装Surgector
TM
瞬态电压抑制器
Surgector晶闸管对于电信保护
绝对最大额定值
连续反向电压, VDRM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .58V至300V
瞬态峰值浪涌电流, IPP
B型C型
8× 20μs的
400A
200A
10× 160μs
200A
150A
10× 560μs
150A
100A
10× 1000μs
100A
50A
电压, dv / dt的临界上升率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2000V / μs的
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA (
o
C / W )
J-弯套餐
C型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85
B型...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .- 65
o
C至150
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大的铅温度(焊接5秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
工作条件
温度范围( TA ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是该装置的应力只评级和操作
在这些或超出本规范的业务部门所标明的其他条件是不是暗示。
注意:
1.
θ
JA测量与安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气规格
TC = 25
o
C,除非另有规定编
I
DRM
(最大)
在V
DRM
A
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
T
(最大)
在2A
V
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
BO
(最大)
A I
BO
= 800毫安
T
(注2 )
V
77
88
260
330
350
77
88
160
190
260
330
350
400
I
PP
(MAX),用于10
X 1000μs脉冲
(注3)
A
50
50
50
50
50
100
100
100
100
100
100
100
100
I
TSM
(注4 )
A
25
25
25
25
25
65
65
65
65
65
65
65
65
C
O
(典型值)
在1MHz /
1V
RMS ,
2V
DC
pF
80
80
30
30
30
280
280
150
150
100
70
70
55
5
硅保护
电路
V
DRM
(最大)
型号
B型
SGT0640SBT
SGT0720SBT
SGT2300SBT
SGT2900SBT
SGT3100SBT
C型
SGT0640SCT
SGT0720SCT
SGT1300SCT
SGT1500SCT
SGT2300SCT
SGT2900SCT
SGT3100SCT
SGT3500SCT
58
63
120
140
190
250
275
300
58
63
190
250
275
V
I
H
(分钟)
mA
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
百分比峰值
注意事项:
2.的dv / dt = 100V / μs的。
3.双指数电流波形。
4.一个半周期, 50 60Hz的正弦波,不重复。
100
90
I
T
I
BO
I
H
I
DRM
V
BO
V
T
V
DRM
50
10
O
1
T
T
1
时间
T
2
O
1
=波的虚拟原点
T =时间从10 %到90 %的峰值
T
1
=虚拟前时间= 1.25 吨
T
2
=虚拟半峰值时间(脉冲持续时间)
例如:对于一个8 / 20μs的电流波形:
8μs = T
1
=前时间
为20μs = T
2
=虚拟半峰值时间
图1的V-I特性
图2.峰值脉冲电流测试波形
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
237
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硅保护电路
表面贴装Surgector
TM
瞬态电压抑制器
Surgector晶闸管对于电信保护
表1.电气特性
变化
V的
BO
VS TEMP
T
A
= -40
o
C至85
o
C
(%)
(注5 )
-6到+6
-6到+6
-5到+4
-4至+4
-4至+4
-6到+6
-6到+6
-5 1
-5 1
-5到+4
-4至+4
-4至+4
-3到+4
典型的V
T
在山顶
I
T
, T
A
= 25
o
(V)
(注6 )
4.2在50A
4.2在50A
3.2在50A
3.3在50A
3.3在50A
5.2在100A
5.2在100A
4.1在100A
4.1在100A
4.9在100A
7.2在100A
7.2在100A
7.7在100A
的C变化
O
vs
频率
(%)
(注7 )
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
最高临界
增长速度的
通态电流
( DL / DT ) ( A /
s)
(注8)
120
120
120
120
120
250
250
250
250
250
250
250
250
我最大
PP
2x10μs波形
(A)
(注9 )
320
320
200
200
200
600
600
600
600
500
500
500
500
模型
SGT0640SBT
SGT0720SBT
SGT2300SBT
SGT2900SBT
SGT3100SBT
SGT0640SCT
SGT0720SCT
SGT1300SCT
SGT1500SCT
SGT2300SCT
SGT2900SCT
SGT3100SCT
SGT3500SCT
注意事项:
从标准的25 5.典型的百分比转变
o
C值为(正系数) 。
6.典型的最大峰值在指定的峰值电流正向压降。
7.典型的百分比移的测试频率范围从1kHz至1MHz的/ 1V
RMS
(为0V和50V的两个恒定的DC偏压) 。
8.的di / dt为正弦波的领先优势,其中1/2额定我
PP
达到在初始30
o
的正弦值。
9.额定我
PP
值的2x10μs波形上面,可能导致设备损坏。
典型性能曲线
3.0
标准化为25
o
C值为
标准化为25
o
C值为
SGT0640SB
SGT0720SB
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-40
3.0
SGT2300SB
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-40
I
H
/I
H
在25
o
C
I
H
/I
H
在25
o
C
-20
0
20
40
60
80
100
120
-20
0
20
40
60
80
100
120
温度(
o
C)
温度(
o
C)
图3.典型的控股电流与结
温度
图4.典型的控股电流与结
温度
238
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
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硅保护电路
表面贴装Surgector
TM
瞬态电压抑制器
Surgector晶闸管对于电信保护
典型性能曲线
3.0
SGT2900SB
SGT3100SB
2.5
标准化为25
o
C值为
2.0
1.5
标准化为25
o
C值为
2.0
(续)
2.5
SGT0640SC
SGT0720SC
I
H
/I
H
在25
o
C
I
H
/I
H
在25
o
C
1.5
1.0
1.0
0.5
0
-40
0.5
-20
0
20
40
60
80
100
120
0
-40
0
40
80
120
150
温度(
o
C)
温度(
o
C)
图5.典型HOLDING电流与结
温度
图6.典型HOLDING电流与结
温度
5
硅保护
电路
120
120
3.0
标准化为25
o
C值为
标准化为25
o
C值为
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-40
SGT1500SC
SGT1300SC
3.0
SGT2300SC
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-40
I
H
/I
H
在25
o
C
I
H
/I
H
在25
o
C
0
40
80
120
-20
0
20
40
60
80
100
温度(
o
C)
温度(
o
C)
图7.典型HOLDING电流与结
温度
图8.典型HOLDING电流与结
温度
3.0
SGT2900SC
SGT3100SC
标准化为25
o
C值为
标准化为25
o
C值为
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-40
2.5
SGT3500SC
2.0
I
H
/I
H
在25
o
C
I
H
/I
H
在25
o
C
-20
0
20
40
60
80
100
120
1.5
1.0
0.5
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度(
o
C)
温度(
o
C)
图9.典型HOLDING电流与结
温度
图10.典型HOLDING电流与结
温度
239
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
NEXT
硅保护电路
表面贴装Surgector
TM
瞬态电压抑制器
Surgector晶闸管对于电信保护
典型性能曲线
1000
500
电容(pF)
SGT0640SB , SGT0720SB
F = 1MHz的/ 1V
RMS
, T
A
= 25
o
C
(续)
1000
SGT2300SB
F = 1MHz的/ 1V
RMS
, T
A
= 25
o
C
100
50
电容(pF)
1
BIAS ( V)
101
00
100
10
0.1
10
0.1
1
BIAS ( V)
101
00
图11.典型电容VS偏置电压
图12.典型电容VS偏置电压
1000
500
电容(pF)
SGT2900SB , SGT3100SB
F = 1MHz的/ 1V
RMS
, T
A
= 25
o
C
1000
500
电容(pF)
SGT0640SC , SGT0720SC
F = 1MHz的/ 1V
RMS
, T
A
= 25
o
C
100
50
100
50
10
0.1
1
BIAS ( V)
101
00
10
0.1
1
BIAS ( V)
101
00
图13.典型电容VS偏置电压
图14.典型电容VS偏置电压
1000
500
电容(pF)
SGT1300SC
F = 1MHz的/ 1V
RMS
, T
A
= 25
o
C
电容(pF)
1000
SGT2300SC
F = 1MHz的/ 1V
RMS
, T
A
= 25
o
C
100
50
100
10
0.1
1
BIAS ( V)
101
00
10
0.1
1
BIAS ( V)
101
00
图15.典型电容VS偏置电压
240
图16.典型电容VS偏置电压
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
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    -
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    -
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