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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1591页 > SGS6N60
SGS6N60UF
2001年4月
IGBT
SGS6N60UF
超快速IGBT
概述
飞兆半导体的UF系列绝缘栅双极晶体管
（ IGBT的）提供低传导损耗和开关损耗。
用友系列是专为应用，如电机
控制和通用变频器在高速切换
所需的功能。
特点
高开关速度
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.1 V @ I
C
= 3A
高输入阻抗
应用
AC &直流马达控制，通用变频器，机器人，伺服控制
C
G
克碳ê
TO-220F
T
C
= 25 ° C除非另有说明
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
SGS6N60UF
600
±
20
6
3
25
22
9
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
马克斯。
5.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
2001仙童半导体公司
SGS6N60UF版本A
SGS6N60UF
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
A
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 3mA电流， V
CE
= V
GE
I
C
= 3A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 6A
,
V
GE
= 15V
3.5
--
--
4.5
2.1
2.6
6.5
2.6
--
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
220
22
7
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
Le
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
15
25
60
70
57
25
82
22
32
80
122
65
46
111
15
5
4
7.5
--
--
130
150
--
--
120
--
--
200
300
--
--
170
22
8
6
--
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 300 V，I
C
= 3A,
R
G
= 80, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 3A,
R
G
= 80, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
V
CE
= 300 V，I
C
= 3A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
2001仙童半导体公司
SGS6N60UF版本A
SGS6N60UF
30
共发射极
T
C
= 25℃
25
20V
15
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
集电极电流，I
C
[A]
15V
20
集电极电流，I
C
[A]
8
12
9
15
12V
6
10
V
GE
= 10V
5
3
0
0
2
4
6
0
0.5
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出Chacracteristics
图2.典型的饱和电压
特征
4
5
共发射极
V
GE
= 15V
4
集电极 - 发射极电压， V [ V]
CE
V
CC
= 300V
负载电流：方波的峰值
3
6A
负载电流[ A]
3
2
3A
2
I
C
= 1.5A
1
1
占空比： 50 ％
T
C
= 100℃
功耗5W =
0.1
1
10
100
1000
0
0
30
60
90
120
150
0
外壳温度，T
C
[
℃
]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
20
共发射极
T
C
= 125℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压， V [ V]
CE
16
16
12
12
8
8
6A
4
I
C
= 1.5A
0
3A
4
I
C
= 1.5A
0
0
4
8
6A
3A
12
16
20
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2001仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
SGS6N60UF版本A
SGS6N60UF
400
350
300
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
100
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 3A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
吨
电容[ pF的]
资本投资者入境计划
250
200
150
100
50
0
1
10
30
开关时间[ NS ]
Tr
卓越中心
CRES
10
1
10
100
400
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
600
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 3A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
花花公子
花花公子
300
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 3A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
100
开关损耗[ UJ ]
宙
EOFF
EOFF
Tf
100
10
Tf
50
1
10
100
400
5
1
10
100
400
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
200
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 80
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
500
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 80
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
100
花花公子
吨
100
Tr
Tf
10
1
2
3
4
5
6
50
1
2
3
4
5
6
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2001仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGS6N60UF版本A
SGS6N60UF
200
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 80
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
15
共发射极
R
L
= 100
TC = 25 ？
门 - 发射极电压， V [ V]
GE
100
12
开关损耗[ UJ ]
9
300 V
6
V
CC
= 100 V
3
200 V
宙
宙
EOFF
10
EOFF
5
1
2
3
4
5
6
0
0
3
6
9
12
15
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
100
IC MAX 。 （脉冲）
10
IC最大。 （连续）
1
1
直流操作
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
linerarly与增长
温度
0.3
1
10
100
1000
100us
50
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
50us
10
1
0.1
安全工作区
V
GE
= 20V ，T
C
=100 C
0.1
1
10
100
1000
o
0.01
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开，关闭的SOA特性
10
0.5
热响应， Zthjc [
℃
/W]
0.2
1
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
PDM
t1
单脉冲
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
2001仙童半导体公司
SGS6N60UF版本A
SGS6N60UF
2001年4月
IGBT
SGS6N60UF
超快速IGBT
概述
飞兆半导体的UF系列绝缘栅双极晶体管
（ IGBT的）提供低传导损耗和开关损耗。
用友系列是专为应用，如电机
控制和通用变频器在高速切换
所需的功能。
特点
高开关速度
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.1 V @ I
C
= 3A
高输入阻抗
应用
AC &直流马达控制，通用变频器，机器人，伺服控制
C
G
克碳ê
TO-220F
T
C
= 25 ° C除非另有说明
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
SGS6N60UF
600
±
20
6
3
25
22
9
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
马克斯。
5.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
2001仙童半导体公司
SGS6N60UF版本A
SGS6N60UF
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
A
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 3mA电流， V
CE
= V
GE
I
C
= 3A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 6A
,
V
GE
= 15V
3.5
--
--
4.5
2.1
2.6
6.5
2.6
--
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
220
22
7
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
Le
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
15
25
60
70
57
25
82
22
32
80
122
65
46
111
15
5
4
7.5
--
--
130
150
--
--
120
--
--
200
300
--
--
170
22
8
6
--
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 300 V，I
C
= 3A,
R
G
= 80, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 3A,
R
G
= 80, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
V
CE
= 300 V，I
C
= 3A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
2001仙童半导体公司
SGS6N60UF版本A
SGS6N60UF
30
共发射极
T
C
= 25℃
25
20V
15
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
集电极电流，I
C
[A]
15V
20
集电极电流，I
C
[A]
8
12
9
15
12V
6
10
V
GE
= 10V
5
3
0
0
2
4
6
0
0.5
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出Chacracteristics
图2.典型的饱和电压
特征
4
5
共发射极
V
GE
= 15V
4
集电极 - 发射极电压， V [ V]
CE
V
CC
= 300V
负载电流：方波的峰值
3
6A
负载电流[ A]
3
2
3A
2
I
C
= 1.5A
1
1
占空比： 50 ％
T
C
= 100℃
功耗5W =
0.1
1
10
100
1000
0
0
30
60
90
120
150
0
外壳温度，T
C
[
℃
]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
20
共发射极
T
C
= 125℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压， V [ V]
CE
16
16
12
12
8
8
6A
4
I
C
= 1.5A
0
3A
4
I
C
= 1.5A
0
0
4
8
6A
3A
12
16
20
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2001仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
SGS6N60UF版本A
SGS6N60UF
400
350
300
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
100
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 3A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
吨
电容[ pF的]
资本投资者入境计划
250
200
150
100
50
0
1
10
30
开关时间[ NS ]
Tr
卓越中心
CRES
10
1
10
100
400
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
600
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 3A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
花花公子
花花公子
300
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 3A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
100
开关损耗[ UJ ]
宙
EOFF
EOFF
Tf
100
10
Tf
50
1
10
100
400
5
1
10
100
400
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
200
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 80
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
500
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 80
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
100
花花公子
吨
100
Tr
Tf
10
1
2
3
4
5
6
50
1
2
3
4
5
6
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2001仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGS6N60UF版本A
SGS6N60UF
200
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 80
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
15
共发射极
R
L
= 100
TC = 25 ？
门 - 发射极电压， V [ V]
GE
100
12
开关损耗[ UJ ]
9
300 V
6
V
CC
= 100 V
3
200 V
宙
宙
EOFF
10
EOFF
5
1
2
3
4
5
6
0
0
3
6
9
12
15
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
100
IC MAX 。 （脉冲）
10
IC最大。 （连续）
1
1
直流操作
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
linerarly与增长
温度
0.3
1
10
100
1000
100us
50
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
50us
10
1
0.1
安全工作区
V
GE
= 20V ，T
C
=100 C
0.1
1
10
100
1000
o
0.01
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开，关闭的SOA特性
10
0.5
热响应， Zthjc [
℃
/W]
0.2
1
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
PDM
t1
单脉冲
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
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