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SGS5N60RUFD
2001年4月
IGBT
SGS5N60RUFD
短路额定IGBT
概述
飞兆半导体的RUFD系列绝缘栅双极型的
晶体管（IGBT ）提供低传导和开关
损耗以及短路坚固性。该RUFD
系列是专为应用，如电机控制，
不间断电源（UPS ）和通用变频器
其中，短路耐用是必需的功能。
特点
短路额定10us的@ T
C
= 100℃ ，V
GE
= 15V
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.2 V @ I
C
= 5A
高输入阻抗
CO- PAK ， IGBT与FRD ：吨
rr
= 37ns （典型值）。
应用
AC &直流马达控制，通用变频器，机器人，伺服控制
C
G
克碳ê
TO-220F
T
C
= 25 ° C除非另有说明
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
T
SC
I
F
I
FM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
短路承受时间
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
SGS5N60RUFD
600
±
20
8
5
15
10
8
56
35
14
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
s
A
A
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
3.5
5.0
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2001仙童半导体公司
SGS5N60RUFD版本A
SGS5N60RUFD
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
A
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 5毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 5A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 8A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
--
6.0
2.2
2.5
8.5
2.8
--
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
354
67
14
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
Le
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
--
13
24
34
136
88
107
195
13
26
40
250
103
220
323
--
16
3
7
7.5
--
--
50
200
--
--
280
--
--
60
350
--
--
--
--
24
6
14
--
ns
ns
nS
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
s
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 300 V，I
C
= 5A,
R
G
= 40, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 5A,
R
G
= 40, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
@
T
C
=
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
100°C
V
CE
= 300 V，I
C
= 5A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
C
= 25 ° C除非另有说明
I
F
= 8A
测试条件
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
1.4
1.3
37
55
3.5
4.5
65
124
马克斯。
1.7
--
55
--
5.0
--
138
--
单位
V
ns
A
nC
I
F
= 8A,
的di / dt = 200 A / μs的
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
2001仙童半导体公司
SGS5N60RUFD版本A
SGS5N60RUFD
25
共发射极
T
C
= 25℃
20
20V
20
15V
集电极电流，I
C
[A]
15
集电极电流，I
C
[A]
16
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
12V
12
10
V
GE
= 10V
5
8
4
0
0
2
4
6
8
0
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出Chacracteristics
图2.典型的饱和电压
特征
4.0
8
共发射极
V
GE
= 15V
V
CC
= 300V
负载电流：方波的峰值
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
3.5
10A
6
负载电流[ A]
150
3.0
2.5
5A
2.0
I
C
= 3A
1.5
4
2
占空比： 50 ％
T
C
= 100℃
功耗9W =
0.1
1
10
100
1000
1.0
-50
0
50
100
0
外壳温度，T
C
[
℃
]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
20
共发射极
T
C
= 125℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
12
12
8
8
4
I
C
= 3A
0
0
4
8
10A
5A
10A
4
I
C
= 3A
0
5A
12
16
20
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2001仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
SGS5N60RUFD版本A
SGS5N60RUFD
700
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
100
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 5A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
600
电容[ pF的]
400
资本投资者入境计划
开关时间[ NS ]
500
吨
Tr
300
200
卓越中心
100
CRES
0
1
10
10
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
1000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 5A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
开关时间[ NS ]
开关损耗[ UJ ]
EOFF
宙
100
EOFF
花花公子
Tf
花花公子
Tf
100
10
10
100
10
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 5A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
100
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 40
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 40
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
开关时间[ NS ]
100
吨
Tr
开关时间[ NS ]
Tf
花花公子
花花公子
Tf
100
10
3
4
5
6
7
8
9
10
3
4
5
6
7
8
9
10
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2001仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGS5N60RUFD版本A
SGS5N60RUFD
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 40
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
15
共发射极
R
L
= 60
T
C
= 25℃
门 - 发射极电压， V [ V]
GE
12
300V
200V
开关损耗[ UJ ]
9
V
CC
= 100V
EOFF
100
宙
6
3
0
3
4
5
6
7
8
9
10
0
3
6
9
12
15
18
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
50
I
C
MAX 。 （脉冲）
10
50us
100us
1
1
直流操作
I
C
MAX 。 （连续）
40
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
10
0.1
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.3
1
10
100
1000
0.01
1
1
安全工作区
V
GE
= 20V ，T
C
= 100℃
10
100
1000
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开，关闭的SOA特性
10
热响应， Zthjc [
℃
/W]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
PDM
t1
t2
单脉冲
0.01
10
-5
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
2001仙童半导体公司
SGS5N60RUFD版本A
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