添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1036页 > SGS23N60UF
SGS23N60UF
2001年4月
IGBT
SGS23N60UF
超快速IGBT
概述
飞兆半导体的UF系列绝缘栅双极晶体管
（ IGBT的）提供低传导损耗和开关损耗。
用友系列是专为应用，如电机
控制和通用变频器在高速切换
所需的功能。
特点
高开关速度
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.1 V @ I
C
= 12A
高输入阻抗
应用
AC &直流马达控制，通用变频器，机器人，伺服控制
C
G
克碳ê
TO-220F
T
C
= 25 ° C除非另有说明
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
SGS23N60UF
600
±
20
23
12
92
73
29
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
马克斯。
1.7
62.5
单位
° C / W
° C / W
2001仙童半导体公司
SGS23N60UF版本A
SGS23N60UF
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
A
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 12毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 12A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 23A
,
V
GE
= 15V
3.5
--
--
4.5
2.1
2.6
6.5
2.6
--
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
720
100
25
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
Le
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
17
27
60
70
115
135
250
23
32
100
220
205
320
525
49
11
14
7.5
--
--
130
150
--
--
400
--
--
200
250
--
--
800
80
17
22
--
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 300 V，I
C
= 12A,
R
G
= 23, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 12A,
R
G
= 23, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
V
CE
= 300 V，I
C
= 12A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
2001仙童半导体公司
SGS23N60UF版本A
SGS23N60UF
100
共发射极
T
C
= 25℃
80
20V
15V
50
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
集电极电流，I
C
[A]
60
12V
集电极电流，I
C
[A]
8
40
30
40
V
GE
= 10V
20
20
10
0
0
2
4
6
0
0.5
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出Chacracteristics
图2.典型的饱和电压
特征
4
18
共发射极
V
GE
= 15V
15
V
CC
= 300V
负载电流：方波的峰值
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
3
24A
负载电流[ A]
12
2
12A
9
I
C
= 6A
1
6
3
0
0
30
60
90
120
150
0
占空比： 50 ％
T
C
= 100℃
功耗= 16W
0.1
1
10
100
1000
外壳温度，T
C
[
℃
]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
20
共发射极
T
C
= 125℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
16
12
12
8
8
24A
4
I
C
= 6A
0
12A
4
I
C
= 6A
0
0
4
24A
12A
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2001仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
SGS23N60UF版本A
SGS23N60UF
1200
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
资本投资者入境计划
200
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 12A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
1000
吨
100
电容[ pF的]
800
开关时间[ NS ]
Tr
600
卓越中心
400
200
CRES
0
1
10
30
10
1
10
100
200
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
1000
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 12A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
1000
EOFF
开关损耗[ UJ ]
花花公子
宙
宙
EOFF
100
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 12A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
30
1
10
100
200
Tf
花花公子
100
Tf
50
1
10
100
200
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
200
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 23
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
1000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 23
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
100
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
花花公子
Tf
吨
花花公子
100
Tr
10
4
8
12
16
20
24
50
Tf
4
8
12
16
20
24
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2001仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGS23N60UF版本A
SGS23N60UF
1000
15
共发射极
R
L
= 25
T
C
= 25℃
门 - 发射极电压，V
GE
[ V ]
12
开关损耗[ UJ ]
9
300 V
6
V
CC
= 100 V
3
200 V
100
EOFF
宙
宙
EOFF
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 23
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
4
8
12
16
20
24
10
0
0
10
20
30
40
50
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
300
100
I
C
MAX 。 （脉冲）
200
100
集电极电流，I
C
[A]
I
C
MAX 。 （连续）
10
1
50us
100us
集电极电流，I
C
[A]
10
1
直流操作
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
linerarly与增长
温度
0.3
1
10
100
1000
1
0.1
0.05
安全工作区
V
GE
= 20V ，T
C
= 100℃
0.1
1
10
100
1000
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开，关闭的SOA特性
5
热响应， Zthjc [
℃
/W]
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
PDM
t1
t2
0.01
0.005
10
-5
单脉冲
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
2001仙童半导体公司
SGS23N60UF版本A
查看更多SGS23N60UFPDF信息
推荐型号
SSG4462N
SBG1030L-T
SDM20U30LP-7
STP08CP05
SDR250AS12-F
SN74AHC00DBR
SQ201
SPU15B-111
SMTT-50-14
SN54HC379
SM-A469-FREQ
SA16B3
SI8710AC-B-IP
SN7406DRE4
SS361CT
SROD
S30L60
SAB80C537-M
SN75114J
SN74LS75D
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SGS23N60UF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SGS23N60UF
FAIRCHILD
2024
20918
TO-220F
原装现货上海库存，欢迎查询
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
SGS23N60UF
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8880
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
SGS23N60UF
FAIRCHILD
21+
3555
TO-220F
全新原装正品/质量有保证
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
SGS23N60UF
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10319
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2433532182 复制

电话：0755-23607529/23603360/83258002
联系人：江先生
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
SGS23N60UF
仙童
2015+
9800
TO
香港原装现货 3-5天
查询更多SGS23N60UF供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！