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SGR2N60UFD
IGBT
SGR2N60UFD
超快速IGBT
概述
飞兆半导体的UFD系列绝缘栅双极晶体管
( IGBT的)提供低传导损耗和开关损耗。
该UFD系列是专为应用,如电机
控制和通用变频器在高速切换
所需的功能。
特点
高速开关
低饱和电压: V
CE ( SAT )
= 2.1 V @ I
C
= 1.2A
高输入阻抗
CO- PAK , IGBT与FRD :吨
rr
=为45nS ( TYP。)
应用
交流&直流电机的控制,一般用途的逆变器,机器人和伺服控制。
C
C
G
G
E
D- PAK
E
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM (1)
I
F
I
FM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的, 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
SGR2N60UFD
600
±
20
2.4
1.2
10
1.5
12
25
10
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
注意事项:
( 1 )重复评价:脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
(IGBT)
R
θJC
(二极管)
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到外壳
热阻,结到环境( PCB安装)
(2)
典型值。
--
--
--
马克斯。
5.0
5.0
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
( 2 )装上1 “ SQURE PCB( FR4或G - 10材料)
2002仙童半导体公司
SGR2N60UFD牧师A1
SGR2N60UFD
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时,我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时,我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 1.2毫安,V
CE
= V
GE
I
C
= 1.2A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 2.4A
,
V
GE
= 15V
3.5
--
--
4.5
2.1
2.6
6.5
2.6
--
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
98
18
4
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
15
20
80
95
30
13
43
19
24
115
176
36
27
63
9
3
1.5
7.5
--
--
130
160
--
--
70
--
--
200
250
--
--
100
14
5
3
--
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 300 V,I
C
= 1.2A,
R
G
= 200, V
GE
= 15V,
感性负载,T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V,I
C
= 1.2A,
R
G
= 200, V
GE
= 15V,
感性负载,T
C
= 125°C
V
CE
= 300 V,I
C
= 1.2A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
C
= 25 ° C除非另有说明
I
F
= 2A
测试条件
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
1.4
1.3
45
75
1.5
2.5
60
120
马克斯。
1.7
--
80
--
3.0
--
135
--
单位
V
ns
A
nC
I
F
= 2A,
的di / dt = 200A / us的
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
2002仙童半导体公司
SGR2N60UFD牧师A1
SGR2N60UFD
12
共发射极
T
C
= 25℃
10
20V
6
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
5
15V
集电极电流,I
C
[A]
8
12V
集电极电流,I
C
[A]
8
4
6
3
V
GE
= 10V
4
2
2
1
0
0
2
4
6
0
0.5
1
10
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压
特征
4
3.0
共发射极
V
GE
= 15V
2.5
2.4A
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
V
CC
= 300V
负载电流:方波的峰值
3
负载电流[ A]
2.0
1.2A
2
I
C
= 0.6A
1
1.5
1.0
0.5
0
0
30
60
90
120
150
0.0
占空比: 50 %
T
C
= 100℃
功耗= 4W
0.1
1
10
100
1000
外壳温度,T
C
[
]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
16
20
共发射极
T
C
= 125℃
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
16
12
12
8
8
2.4A
4
I
C
= 0.6A
0
1.2A
4
I
C
= 0.6A
0
0
4
1.2A
2.4A
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压,V
GE
[V]
门 - 发射极电压,V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2002仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
SGR2N60UFD牧师A1
SGR2N60UFD
160
共发射极
V
GE
= 0V , F = 1MHz的
T
C
= 25℃
120
资本投资者入境计划
100
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 1.2A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
电容[ pF的]
80
卓越中心
40
CRES
0
1
10
30
开关时间[ NS ]
Tr
10
10
100
500
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
栅极电阻,R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开,在主场迎战特点
栅极电阻
600
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 1.2A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
100
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 1.2A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
花花公子
开关损耗[ UJ ]
EOFF
Tf
花花公子
100
EOFF
10
Tf
50
10
100
500
5
10
100
500
栅极电阻,R
G
[
]
栅极电阻,R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
100
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 200
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
1000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 200
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
花花公子
花花公子
Tf
Tf
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
100
1.5
2.0
2.5
0.5
Tr
10
0.5
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
集电极电流,I
C
[A]
集电极电流,I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2002仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGR2N60UFD牧师A1
SGR2N60UFD
100
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 200
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
15
共发射极
R
L
= 250
TC = 25 ?
门 - 发射极电压,V
GE
[ V ]
12
开关损耗[ UJ ]
9
300 V
6
V
CE
= 100 V
3
200 V
EOFF
10
EOFF
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0
2
4
6
8
10
集电极电流,I
C
[A]
栅极电荷,Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
30
I
C
MAX 。 (脉冲)
10
50us
20
10
集电极电流,I
C
[A]
100us
I
C
MAX 。 (连续)
1
直流操作
1
集电极电流,I
C
[A]
1
0.1
0.01
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.3
1
10
100
1000
安全工作区
V
GE
= 20V ,T
C
=100 C
0.1
1
10
100
1000
o
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开,关闭的SOA特性
10
热响应, Zthjc [
/W]
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
PDM
t1
1
单脉冲
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间(秒)
IGBT图17.瞬态热阻抗
2002仙童半导体公司
SGR2N60UFD牧师A1
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数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SGR2N60UFD
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
SGR2N60UFD
FAIRCHILD
17+
9600
N/A
全新原装正品现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SGR2N60UFD
FAIRCHIL
2443+
23000
TO-252
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
SGR2N60UFD
FAIRC
13+
18500
TO-252(DPAK)
全新原装正品,大量现货库存供应
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393564 复制

电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
SGR2N60UFD
FAIRCHILD
23+
1210
原厂标准封装
绝对进口原装,公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制

电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
SGR2N60UFD
FAIRCHILD
24+
11758
TO-252(DPAK)
全新原装现货热卖
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
SGR2N60UFD
FAIRCHIL
2024
20000
TO-252
原装现货上海库存,欢迎查询
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SGR2N60UFD
FAIRC
21+
17000
TO-252(DPAK)
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
SGR2N60UFD
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9397
贴◆插
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
SGR2N60UFD
仙童FAIRCHILD/FSC
21+
364122
TO-252(DPAK)
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-22669259 83214703
联系人:李先生,夏小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
SGR2N60UFD
FAIRCHIL
2116+
52000
TO-252
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