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SGP04N60
SGD04N60
在NPT技术的快速IGBT
75 %低
E
关闭
相比上一代
C
加上低传导损耗
短路承受时间 - 10
s
设计用于:
- 电机控制
G
E
- 逆变器
NPT -技术600V应用提供:
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性,温度稳定的行为
PG-TO-220-3-1
PG- TO- 252-3-1 ( D- PAK )
- 并行交换能力
(TO-220AB)
(TO-252AA)
无铅镀铅;符合RoHS标准
2
根据JEDEC的目标应用资格
完整的产品范围和PSpice的模型:
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SGP04N60
SGD04N60
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲,
t
p
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
600V,
T
j
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量,单脉冲
I
C
= 4 A,
V
CC
= 50 V,
R
GE
= 25
,
开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
焊接温度,
PG- TO- 252 (回流焊, MSL3 )
其他:从案例波峰焊接, 1.6毫米( 0.063英寸) 10秒
T
j
,
T
英镑
T
s
-55...+150
260
260
°C
1)
V
CE
600V
600V
I
C
4A
4A
V
CE(sat)150°C
2.3V
2.3V
T
j
150°C
150°C
记号
G04N60
G04N60
PG-TO-220-3-1
PG-TO-252-3-11
符号
V
CE
I
C
价值
600
9.4
4.9
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
19
19
±20
25
V
mJ
t
SC
P
合计
10
50
s
W
V
GE
= 15V,
V
CC
600V,
T
j
150°C
2
1)
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号: <1000 ;短路的时间: >1s 。
1
2.2版
9月07
SGP04N60
SGD04N60
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻,
结 - 案
热阻,
结 - 环境
SMD版本, PCB上的元件
1)
符号
R
thJC
R
thJA
R
thJA
条件
马克斯。值
2.5
单位
K / W
PG-TO-220-3-1
PG-TO-252-3-1
62
50
电气特性,
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
( B R )C (E S)
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 5 00
A
V
CE ( SAT )
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 4 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE (日)
I
CES
I
C
= 20 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 60 0 V,
V
摹ê
= 0 V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
( 0.197英寸)的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
2)
符号
条件
价值
分钟。
600
1.7
-
3
-
-
-
典型值。
-
2.0
2.3
4
-
-
-
3.1
-
-
-
-
-
264
29
17
24
7
40
马克斯。
-
2.4
2.8
5
单位
V
A
20
500
100
-
317
35
20
31
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
L
E
I
C( SC )
V
权证
= 0V ,
V
摹ê
=2 0 V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 4 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 48 0 V,
I
C
=4 A
V
摹ê
= 15 V
V
摹ê
= 15 V ,T
S·C
10
s
V
C C
6 0 0 V,
T
j
1 5 0° C
-
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米( 1层, 70微米厚)的铜区
集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。
2)
允许短路号: <1000 ;短路的时间: >1s 。
2
2.2版
9月07
1)
2
SGP04N60
SGD04N60
开关特性,电感负载,
at
T
j
=25
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
=2 5
°C
,
V
C C
= 40 0 V,
I
C
= 4 A,
V
摹ê
= 0/ 15 V ,
R
G
=67 ,
1)
L
σ
= 18 0 NH,
1)
C
σ
= 18 pF的0
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
22
15
237
70
0.070
0.061
0.131
26
18
284
84
0.081
0.079
0.160
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性,电感负载,
at
T
j
=150
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
总开关能量
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
j
=1 5 0° C
V
C C
= 40 0 V,
I
C
=4 A ,
V
摹ê
= 0/ 15 V ,
R
G
= 67
,
1)
L
σ
= 18 0 NH,
1)
C
σ
= 18 pF的0
能量损失包括
“尾巴”和二极管
反向恢复。
-
-
-
-
-
-
-
22
16
264
104
0.115
0.111
0.226
26
19
317
125
0.132
0.144
0.277
mJ
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1)
漏感
L
σ
钕杂散电容
C
σ
由于动态测试电路如图E.
3
2.2版
9月07
SGP04N60
SGD04N60
I
c
10A
t
p
=2
s
20A
15
s
I
C
,
集电极电流
I
C
,
集电极电流
T
C
=80°C
10A
T
C
=110°C
1A
50
s
200
s
1ms
0.1A
DC
I
c
0A
10Hz
0.01A
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
1V
10V
100V
1000V
f,
开关频率
图1.集电极电流的一个函数
开关频率
(T
j
150°C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 67)
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图2.安全工作区
(D
=
0,
T
C
= 25°C,
T
j
150°C)
60W
12A
50W
10A
40W
I
C
,
集电极电流
P
合计
,
功耗
8A
30W
6A
20W
4A
10W
2A
0W
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0A
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
T
C
,
外壳温度
图3.功耗作为一个函数
外壳温度
(T
j
150°C)
T
C
,
外壳温度
图4.集电极电流的一个函数
外壳温度
(V
GE
15V,
T
j
150°C)
4
2.2版
9月07
SGP04N60
SGD04N60
15A
15A
12A
12A
V
GE
=20V
I
C
,
集电极电流
I
C
,
集电极电流
V
GE
=20V
9A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
9A
6A
15V
13V
11V
9V
7V
5V
6A
3A
3A
0A
0V
1V
2V
3V
4V
5V
0A
0V
1V
2V
3V
4V
5V
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图5.典型的输出特性
(T
j
= 25°C)
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图6.典型的输出特性
(T
j
= 150°C)
12A
10A
8A
6A
4A
2A
0A
0V
T
j
=+25°C
-55°C
+150°C
V
CE ( SAT )
,
集热器
-
发射极饱和电压
14A
4.0V
3.5V
I
C
= 8A
I
C
,
集电极电流
3.0V
2.5V
I
C
= 4A
2.0V
1.5V
2V
4V
6V
8V
10V
1.0V
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
V
GE
,
-
发射极电压
图7.典型的传输特性
(V
CE
= 10V)
T
j
,
结温
图8.典型的集电极 - 发射极
饱和电压作为接头的功能
温度
(V
GE
= 15V)
5
2.2版
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