SGD02N120,
在NPT技术的快速IGBT
40％下
E
关闭
相比上一代
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
- 逆变器
- SMPS
NPT -科技提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力
1
PG-TO-252-3-11
SGP02N120
SGI02N120
C
G
E
PG-TO-220-3-1
根据JEDEC的目标应用资格
（ D- PAK ）
无铅镀铅;符合RoHS标准
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
PG-TO-262-3-1
（ β-内PAK ）
TYPE
SGP02N120
SGD02N120
SGI02N120
最大额定值
参数
V
CE
1200V
1200V
1200V
I
C
2A
2A
2A
E
关闭
0.11mJ
0.11mJ
0.11mJ
T
j
150°C
150°C
150°C
记号
GP02N120
02N120
GI02N120
包
PG-TO-220-3-1
PG-TO-252-3-11
PG-TO-262-3-1
符号
V
CE
I
C
价值
1200
6.2
2.8
单位
V
A
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量，单脉冲
I
C
= 2A,
V
CC
= 50V,
R
GE
= 25Ω ，开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
焊接温度，
PG- TO252 （回流焊， MSL3 ）
其他包： 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒
2
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
t
SC
P
合计
T
j
,
T
英镑
-
9.6
9.6
±20
10
10
62
-55...+150
260
260
V
mJ
s
W
°C
V
GE
= 15V, 100V
≤
V
CC
≤
1200V,
T
j
≤
150°C
1
2
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
修订版2.3
9月7日
功率半导体
SGD02N120,
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
SMD版本， PCB上的元件
1)
SGP02N120
SGI02N120
马克斯。值
2.0
单位
K / W
符号
R
thJC
R
thJA
R
thJA
条件
PG-TO-220-3-1
PG-TO-262-3-1
PG-TO-252-3-11
62
50
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 1 00
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 2 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 10 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 12 0 0V ,
V
摹ê
= 0V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
2)
符号
条件
价值
分钟。
1200
2.5
-
3
-
-
-
典型值。
-
3.1
3.7
4
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
205
20
12
11
7
24
马克斯。
-
3.6
4.3
5
单位
V
A
25
100
100
-
250
25
14
-
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 0V ,
V
摹ê
=2 0 V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 2 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 96 0 V,
I
C
=2 A
V
摹ê
= 15 V
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
10 0 V≤
V
C C
≤
12 0 0 V,
T
j
≤
1 5 0° C
-
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区
集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1)
2
功率半导体
2
修订版2.3
9月7日
QQ：2881677436 复制
