SGM8631
SGM8632
SGM8633
SGM8634
产品说明
该SGM8631 （单） ， SGM8632 （双） ， SGM8633 （单
与关机）
和SGM8634 （四）
低噪音，低
电压和低功率运算放大器，其可以是
设计成广泛的应用。该
SGM8631 / 2 /3/4具有高的增益带宽积
为6MHz ， 3.7V / μs的转换速率和静态电流
470μA /放大器在5V 。该SGM8633具有掉电
禁用功能，可降低到90nA电源电流。
该SGM8631 / 2 /3/4的目的是提供最佳
表现在低电压和低噪声系统。他们
提供轨到轨输出摆幅为重物。该
输入共模电压范围包括地面，并
最大输入失调电压是3.5mV为
SGM8631 / 2 /3/4 。他们工作在扩展
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 125°C ） 。该
工作电压范围为2.5V至5.5V 。
单机版， SGM8631 / 8633 ，是SC70-5可用，
SO-8和SOT23-5 （6）包。双版本SGM8632
在SO- 8和MSOP - 8封装。
四方
470μA ，为6MHz ，轨至轨I / O
CMOS运算放大器
特点
低成本
轨至轨输入和输出
0.8mV典型的V
OS
高增益带宽积： 6MHz的
高压摆率： 3.7V / μs的
建立时间至0.1％与2V步骤： 2.1μs
过载恢复时间： 0.9μs
低噪音： 12内华达州/
Hz
工作在2.5 V至5.5V供应
输入电压范围= - 0.1 V至5.6 V与V
S
= 5.5 V
低功耗
470μA /放大器的典型电源电流
禁用时SGM8633 90nA
小包装
SGM8631可在SC70-5 ， SOT23-5和SO- 8
SGM8632采用MSOP - 8和SO- 8
SGM8633可在SOT23-6和SO- 8
SGM8634可在TSSOP -16和SO- 16
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
SGM8631
OUT
-V
S
1
2
4
SOT23-5 / SC70-5
-IN
5
+V
S
NC
-IN
+ IN
-V
S
1
2
3
4
NC =无连接
版本SGM8634可在SO -16和TSSOP -16
包。
SGM8631/8633
8
7
6
5
SO-8
6
5
4
+V
S
关闭
（ SGM8633只）
+V
S
OUT
NC
应用
传感器
音频
主动滤池
A / D转换器
通讯
测试设备
手机和无绳电话
笔记本电脑和掌上电脑
光电二极管放大
电池供电仪器仪表
+ IN 3
SGM8633
8633
OUT
-V
S
+ IN
1
2
3
SOT23-6
SGM8634
关闭
OUT A
-IN
-IN一
+ IN A
+V
S
8
7
6
5
+V
S
OUT B
-IN B
+ IN B
+ INB
-INB
OUT B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
NC =无连接
16输出D
15 -Ind
14 + IND
13 -V
S
12 + INC。
11
10
9
-INC
输出C
NC
SGM8632
OUT A 1
-IN一
2
+ IN A 3
-V
S
4
SO - 8 / MSOP - 8
TSSOP - 16 / SO- 16
圣邦微电子有限公司
联系电话： 86/451/84348461
www.sg-micro.com
版本B
电气特性： V
S
= +5V
（在T
A
= +25℃,V
CM
= VS / 2，R
L
= 600Ω ，除非另有说明）
SGM8631/2/3/4
参数
条件
典型值
+25℃
输入特性
输入失调电压（V
OS
)
输入偏置电流（我
B
)
输入失调电流（I
OS
)
共模电压范围（Ⅴ
CM
)
共模抑制比（ CMRR ）
开环电压增益（A
OL
)
输入失调电压漂移（ ΔV
OS
/
T
)
输出特性
输出电压摆幅由铁路
输出电流（I
OUT
)
闭环输出阻抗
掉电
开启时间
打开-O FF时间
关闭
最小/最大温度过高
+25℃
3.5
0到
70℃
3.9
-40℃
至85 ℃
4.3
-40 °到
125℃
4.6
单位
mV
pA
pA
V
75
90
74
87
74
86
73
79
dB
dB
dB
dB
V/℃
V
V
49
45
40
35
mA
s
s
0.8
2
2.5
5.5
2.5
5.5
78
660
2.5
5.5
78
680
2.5
5.5
77
740
V
V
V
V
dB
A
nA
兆赫
千赫
V / μs的
s
s
内华达州/
FA /
民
典型值
典型值
典型值
最大
民
民
最大
民
最大
最大
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
MIN /
最大
最大
典型值
典型值
典型值
民
民
民
民
典型值
典型值
0.8
1
1
V
S
= 5.5V
V
S
= 5.5V, V
CM
= - 0.1V至24 V
V
S
= 5.5V, V
CM
= - 0.1V至5.6 V
R
L
= 600Ω ， VO = 0.15V到4.85V
R
L
= 10KΩ ， VO = 0.05V到4.95V
-0.1到+5.6
90
83
97
108
2.4
R
L
= 600
R
L
= 10K
F = 200KHz的，G = 1
0.1
0.015
53
3
4
1.2
关闭
电压 - 关
电压-ON
关闭
电源
工作电压范围
电源抑制比（ PSRR ）
静态电流/放大器（我
Q
)
禁用时电源电流
（ SGM8633只）
动态性能
增益带宽积（ GBP ）
相位裕度（ φ
O
)
全功率带宽（BW
P
)
压摆率（ SR ）
建立时间至0.1％ （T
S
)
过载恢复时间
噪声性能
电压噪声密度（E
n
)
电流噪声密度（我
n
)
F = 1kHz时
F = 1kHz时
12
3
Hz
Hz
V
s
= + 2.5V至+ 5.5 V
V
CM
=
(-V
S
) + 0.5V
I
OUT
= 0
91
470
90
R
L
= 10K
＜1%
失真，R
L
= 600
G = +1 ， 2V步骤，R
L
= 10K
G = 1 ， 2 V步骤，R
L
= 600
V
IN
·增益= VS ，R
L
= 600
6
60
250
3.7
2.1
0.9
80
590
度（典型值）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
２
SGM8631/2/3/4
封装/订购信息
模型
订单号
SGM8631XC5/TR
SGM8631
SGM8631XN5/TR
SGM8631XS/TR
SGM8632
SGM8633
SGM8634
SGM8632XMS/TR
SGM8632XS/TR
SGM8633XN6/TR
SGM8633XS/TR
SGM8634XS/TR
SGM8634XTS
包
描述
SC70-5
SOT23-5
SO-8
MSOP-8
SO-8
SOT23-6
SO-8
SO-16
TSSOP-16
包
选项
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
记号
信息
8631
8631
SGM8631XS
SGM8632XMS
SGM8632XS
8633
SGM8633XS
SGM8634XS
SGM8634XTS
绝对最大额定值
电源电压，V +至V- 。
...........................................
7.5 V
共模输入电压
....................................
(–V
S
） - 0.5 V至（ + V
S
) +0.5V
存储温度范围
.....................
-65 °至+ 150 °
结温
.................................................
160℃
工作温度范围
.................
-55 ℃至+ 150 ℃
封装热阻@ T
A
= 25℃
SC70-5,
θ
JA
............................
.................
................... 333
℃
/W
SOT23-5,
θ
JA
........................
......
................................ 190
℃
/W
SOT23-6,
θ
JA
..........
.................
................................... 190
℃
/W
SO-8,
θ
JA
.............................
.....
....................................125
℃
/W
MSOP-8,
θ
JA
..............
.....
........................................... 216
℃
/W
SO-16,
θ
JA
...................
.......
........................................... 82
℃
/W
TSSOP-16,
θ
JA
................
......
...................................... 105
℃
/W
铅温度范围（焊接10秒）
.....................................................
260℃
ESD敏感性
HBM ............................................
.....
...............................1500V
MM...............................
.................
....................................400V
笔记
1 ，超出上述绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是
一个额定值;该装置的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
小心
这个集成电路可以被ESD损坏。
圣邦微电子建议所有
集成电路与适当处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能
下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受
因为伤害非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
３
SGM8631/2/3/4
QQ：2881677436 复制
