SGM8531
SGM8532
SGM8534
产品说明
该SGM8531 （单） ， SGM8532 （双通道）和SGM8534
（四）有轨到轨输入和输出电压反馈
放大器提供成本低。他们有一个很宽的输入
共模电压范围及输出电压摆幅，
和
采取最低工作电源电压下降到
2.1V和建议的最大电源电压为
5.5 V.
一切都工作在-40° C至
+ 125 ° C温度范围。
该SGM8531 /八千五百三十四分之八千五百三十二提供500KHz的带宽，在
18μA每个放大器的低电流消耗。很
0.5 pA的低输入偏置电流，使
SGM8531 / 8534分之8532用于集成商，
光电二极管放大器和压电传感器。
轨至轨输入和输出的特性是设计
缓冲ASIC的单电源系统。
应用这些放大器包括安全监控仪
荷兰国际集团，便携设备，电池和电源
控制和信号调理和接口的
换能器在非常低功率的系统。
该SGM8531是微小的SOT23-5和SO- 8可
包。该SGM8532进来微型SO -8和
MSOP - 8封装。该SGM8534是采用TSSOP - 14提供的，
TSSOP -16， SO-14和SO- 16封装。
500KHz的， 18μA ，轨至轨I / O
CMOS运算放大器
特点
低成本
轨至轨输入和输出
0.8mV典型的V
OS
单位增益稳定
增益带宽积： 500KHz的
极低的输入偏置电流： 0.5pA
工作在2.1 V至5.5 V电源
输入电压范围= - 0.1 V至5.6 V与V
S
= 5.5V
低电源电流： 18μA /放大器
小包装
SGM8531可在SO -8和SOT23-5
SGM8532可在SO- 8和MSOP - 8
SGM8534可在SO- 14 ， SO- 16 ，
TSSOP -14和TSSOP -16
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
SGM8531
OUT
-V
S
1
2
4
-IN
5
+V
S
+ IN 3
SOT23-5
SGM8531
SGM8532
8
7
6
5
NC
+V
S
OUT
NC
OUT A
-INA
INA +
-V
S
1
2
3
4
8
7
6
+V
S
OUT B
-INB
应用
ASIC输入或输出放大器
传感器接口
压电传感器放大器
医疗器械
移动通信
音频输出
便携式系统
烟雾探测器
移动电话
笔记本电脑
PCMCIA卡
电池供电设备
NC
-IN
+ IN
-V
S
1
2
3
4
NC =无连接
5 + INB
SO-8
SO - 8 / MSOP - 8
SGM8534
SGM8534
OUT A
-IN一
+ IN A
+V
S
+ IN B
-IN B
OUT B
1
2
3
4
5
6
7
14
13
输出D
- 在
OUT A
-IN一
+ IN A
+V
S
+ IN B
-IN B
OUT B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
NC =无连接
16
15
输出D
- 在
14 + D中
13 -V
S
12 + IN C
11
10
9
- 在
输出C
NC
12 + D中
11 -V
S
10 + IN C
9
8
- 在
输出C
SO - 14 / TSSOP -14
SO- 16 / TSSOP -16
圣邦微电子有限公司
联系电话： 86/451/84348461
www.sg-micro.com
版本C
电气特性：
V
S
= +5V
（为R
L
= 200kΩ的连接与Vs / 2和V
OUT
= VS / 2，除非另有说明）
SGM8531/8532/8534
参数
符号
条件
典型值
+25℃
输入特性
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模电压范围
共模抑制比
开环电压增益
输入失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅由铁路
输出电流
动力
供应
2.1
5.5
电源抑制比
静态电流/放大器
动态性能
增益带宽积
压摆率
建立时间至0.1％
过载恢复时间
噪声性能
电压噪声密度
e
n
F = 1kHz时
F = 10kHz的
37
28
内华达州/
内华达州/
Hz
Hz
最小/最大温度过高
+25
℃
0到
70℃
- 40 ℃至 - 40 ℃至
+85℃
+ 125 ℃机组
MIN /
最大
V
OS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
A
OL
V
OS
/
T
V
S
= 5.5V
V
S
= 5.5V, V
CM
= -0.1V 4 V
V
S
= 5.5V, V
CM
= -0.1V至5.6 V
R
L
= 5KΩ ， VO = 0.1V至4.9V
R
L
= 100KΩ ， VO = 0.035V到4.965V
±0.8
0.5
0.5
-0.1到+5.6
92
83
100
104
1.7
±3.5
±3.7
±4.1
±5.4
mV
pA
pA
V
最大
典型值
典型值
典型值
民
民
民
民
典型值
72
63
84
90
72
62
84
90
71
61
84
90
71
61
82
89
dB
dB
dB
dB
V/℃
R
L
= 100K
I
OUT
0.008
22
20
19.1
18.8
18
V
mA
最大
民
工作电压范围
PSRR
I
Q
V
s
= + 2.5V至+ 5.5 V
V
CM
=
(-V
S
) + 0.5
I
OUT
= 0
C
L
= 100pF的
英镑
SR
t
S
G = +1 ， 2V输出步骤
G = 1 ， 2 V输出步骤
V
IN
·增益= VS
500
0.2
18
16
90
18
2.5
5.5
73
26.6
2.5
5.5
71
27.4
2.5
5.5
71
29.7
V
V
dB
A
民
最大
民
最大
76
24
千赫
V / μs的
s
s
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
２
SGM8531/8532/8534
封装/订购信息
模型
SGM8531
订单号
SGM8531XN5/TR
SGM8531XS/TR
SGM8532XS/TR
SGM8532XMS/TR
SGM8534XS/TR
SGM8534
SGM8534XS14
SGM8534XTS/TR
SGM8534XTS14
包
描述
SOT23-5
SO-8
SO-8
MSOP-8
SO-16
SO-14
TSSOP-16
TSSOP-14
包
选项
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
管
磁带和卷轴， 3000
管
记号
信息
8531
SGM8531XS
SGM8532XS
SGM8532XMS
SGM8534XS
SGM8534XS14
SGM8534XTS
SGM8534XTS14
SGM8532
绝对最大额定值
电源电压，V +至V-
.................
..
........................
7.5 V
共模输入电压
.................
......
...................
(–V
S
） - 0.5 V至（ + V
S
)+0.5V
存储温度范围......
............
-65 °至+ 150 °
结温......
............
......
........................
160℃
工作温度范围...
.........
-55 ℃至+ 150 ℃
封装热阻@ T
A
= 25℃
SOT23-5,
θ
JA
........................
......
................................ 190
℃
/W
SO-8,
θ
JA
.............................
.....
....................................125
℃
/W
MSOP-8,
θ
JA
..............
.....
........................................... 216
℃
/W
SO-16,
θ
JA
...................
.......
........................................... 82
℃
/W
TSSOP-16,
θ
JA
................
......
...................................... 105
℃
/W
铅温度范围（焊接10秒）
.....................................................
260℃
ESD敏感性
HBM ............................................
.....
...............................4000V
MM...............................
.................
....................................400V
笔记
1 ，超出上述绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是
一个额定值;该装置的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
小心
这个集成电路可以被ESD损坏。
圣邦微电子建议所有
集成电路与适当处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能
下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受
因为伤害非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
３
SGM8531/8532/8534
典型性能特性
在T
A
= +25℃, V
S
= + 5V ，而R
L
= 200kΩ的连接与Vs / 2，除非另有说明。
小信号阶跃响应
G = +1
C
L
= 100pF的
R
L
= 5K
小信号阶跃响应
G = +1
C
L
= 100pF的
R
L
= 200K
20mV/div
10s/div
50mV/div
10s/div
大信号阶跃响应
G = +1
C
L
= 100pF的
R
L
= 200K
小信号过冲vs.Load电容
60
小信号过冲（ ％ ）
50
40
30
20
10
0
G = -1
R
FB
= 5KΩ
G = -1
R
FB
=100KΩ
G = +1
R
L
= 200KΩ
500mV/div
20s/div
10
100
1000
负载电容（pF ）
10000
小信号过冲vs.Load电容
60
小信号过冲（ ％ ）
50
40
30
20
10
0
10
100
1000
负载电容（pF ）
10000
G = -5
R
FB
= 100KΩ
最大输出电压vs.Frequency
6
5
输出电压（ Vp-p的）
V
S
= 5.5V
4
V
S
= 5V
3
2
V
S
= 2.5V
1
0
1
10
100
频率（KHz ）
1000
最大输出电压
不摆率
引起的失真
４
SGM8531/8532/8534
典型性能特性
在T
A
= +25℃, V
S
= + 5V ，而R
L
= 200kΩ的连接与Vs / 2，除非另有说明。
静态电流和短路电流
vs.Supply电压
30
静态电流（
μ
A)
27
24
21
18
15
2
2.5
3
3.5
4
4.5
电源电压（ V）
5
23
短路电流（mA ）
20
17
14
CMRR和PSRR vs.Frequency
100
90
80
CMRR ， PSRR （DB ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
10
100
频率（KHz ）
1000
10000
PSRR
CMRR
I
SC
I
Q
11
8
5.5
输入电压噪声谱密度
vs.Frequency
输出电压摆幅vs.Output电流
3
135℃
目前采购
25℃
2
V
S
= 3V
1
-50℃
135℃
25℃
吸收电流
12
16
20
-50℃
1000
电压噪声（NV /
√
赫兹）
100
输出电压（V）的
10
0.01
0
0.1
1
频率（KHz ）
10
100
0
4
8
输出电流（mA ）
输出电压摆幅vs.Output电流
5
135℃
4
输出电压（V）的
3
2
1
135℃
0
0
5
10
15
20
25
30
输出电流（mA ）
25℃
目前采购
25℃
V
S
= 5V
电源电流vs.TEMPERATURE
24
22
电源电流（
μ
A)
-50℃
20
V
S
= 5V
18
V
S
= 3V
16
14
12
-50 -30 -10
10 30 50 70
温度（ ℃ ）
90
110 130
V
S
= 2.5V
吸收电流
-50℃
５
SGM8531/8532/8534
QQ：2881677436 复制
