初步数据表
SGM8521
SGM8522
SGM8524
产品说明
该SGM8521 （单） ， SGM8522 （双通道）和SGM8524
（四）有轨到轨输入和输出电压反馈
放大器提供成本低。他们有一个很宽的输入
共模电压范围及输出电压摆幅，
和
采取最低工作电源电压下降到
2.1V和建议的最大电源电压为
5.5 V.
一切都工作在-40° C至
+ 125 ° C温度范围。
该SGM8521 / 8524分之8522 provide150KHz带宽在
每个放大器4.7μA的低电流消耗。很
0.5pA的低输入偏置电流，使
SGM8521 / 8524分之8522用于集成商，
光电二极管放大器和压电传感器。
轨至轨输入和输出的特性是设计
缓冲ASIC的单电源系统。
应用这些放大器包括安全监控仪
荷兰国际集团，便携设备，电池和电源
控制和信号调理和接口的
换能器在非常低功率的系统。
该SGM8521是微小的SOT23-5和SO- 8可
包。该SGM8522进来微型SO -8和
MSOP - 8封装。该SGM8524提供的TSSOP- 16
SO -16和SO- 14封装。
为150KHz ， 4.7μA ，轨至轨I / O
CMOS运算放大器
特点
低成本
轨至轨输入和输出
0.8mV典型的V
OS
单位增益稳定
增益带宽积：为150KHz
极低的输入偏置电流： 0.5pA
工作在2.1 V至5.5 V电源
输入电压范围= - 0.1 V至5.6 V与V
S
= 5.5V
低电源电流： 4.7μA /放大器
小包装
SGM8521可在SO -8和SOT23-5
SGM8522可在SO- 8和MSOP - 8
SGM8524可在SO- 16 ， SO -14和
TSSOP-16
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
SGM8521
OUT
-V
S
1
2
4
-IN
5
+V
S
+ IN 3
SOT23-5
SGM8521
NC
-IN
+ IN
-V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
+V
S
OUT
NC
INA +
-V
S
OUT A
-INA
1
2
3
4
SGM8522
8
7
6
+V
S
OUT B
-INB
应用
ASIC输入或输出放大器
传感器接口
压电传感器放大器
医疗器械
移动通信
音频输出
便携式系统
烟雾探测器
移动电话
笔记本电脑
PCMCIA卡
电池供电设备
5 + INB
NC =无连接
SO-8
SO - 8 / MSOP - 8
SGM8524
OUT A
-IN一
+ IN A
+V
S
+ INB
-IN B
OUT B
1
2
3
4
5
6
7
14输出D
13
-Ind
+ IN A
12 + IND
+V
S
11 -V
S
10 + INC。
9
8
-INC
输出C
+ INB
-IN B
OUT B
NC
5
6
7
8
4
OUT A
-IN一
1
2
3
SGM8524
16输出D
15
-Ind
14 + IND
13 -V
S
12 + INC。
11
10
NC =无连接
-INC
输出C
NC
9
SO-14
SO-16/TSSOP-16
圣邦微电子有限公司
联系电话： 86/451/84348461
www.sg-micro.com
版本B
电气特性：
V
S
= +5V
（为R
L
= 500kΩ的连接与Vs / 2和V
OUT
= VS / 2，除非另有说明）
SGM8521/8522/8524
参数
符号
条件
典型值
+25℃
输入特性
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模电压范围
共模抑制比
开环电压增益
输入失调电压漂移
输出特性
输出电压摆幅由铁路
输出电流
短路电流
动力
供应
2.1
5.5
电源抑制比
静态电流/放大器
动态性能
增益带宽积
压摆率
建立时间至0.1％
过载恢复时间
噪声性能
电压噪声密度
e
n
F = 1kHz时
F = 10kHz的
40
12
内华达州/
内华达州/
Hz
Hz
最小/最大温度过高
+25
℃
0到
70℃
- 40 ℃至 - 40 ℃至
+85℃
+ 125 ℃机组
MIN /
最大
V
OS
I
B
I
OS
V
CM
CMRR
A
OL
V
OS
/
T
V
S
= 5.5V
V
S
= 5.5V, V
CM
= -0.1V 4 V
V
S
= 5.5V, V
CM
= -0.1V至5.6 V
R
L
= 100KΩ ， VO = 0.1V至4.9V
R
L
= 500KΩ ， VO = 0.015V到4.965V
±0.8
0.5
0.5
-0.1到+5.6
91
83
100
104
1.7
±3.5
mV
pA
pA
V
最大
典型值
典型值
典型值
民
民
民
民
典型值
72
63
84
90
dB
dB
dB
dB
V/℃
R
L
= 500K
I
OUT
I
SC
0.005
22
V
mA
mA
最大
民
典型值
工作电压范围
PSRR
I
Q
V
s
= + 2.5V至+ 5.5 V
V
CM
=
(-V
S
) + 0.5
I
OUT
= 0
C
L
= 100pF的
英镑
SR
t
S
G = +1 ， 2V输出步骤
G = 1 ， 2 V输出步骤
V
IN
·增益= VS
150
0.04
32
91
4.7
V
V
dB
A
民
最大
民
最大
千赫
V / μs的
s
s
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
２
SGM8521/8522/8524
封装/订购信息
模型
SGM8521
订单号
SGM8521XN5/TR
SGM8521XS/TR
SGM8522XS/TR
SGM8522XMS/TR
SGM8524XS/TR
SGM8524
SGM8524XS14
SGM8524XTS/TR
包
描述
SOT23-5
SO-8
SO-8
MSOP-8
SO-16
SO-14
TSSOP-16
包
选项
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
管
磁带和卷轴， 3000
记号
信息
8521
SGM8521XS
SGM8522XS
SGM8522XMS
SGM8524XS
SGM8524XS14
SGM8524XTS
SGM8522
绝对最大额定值
电源电压，V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.5 V
共模输入电压
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (–V
S
） - 0.5 V至（ + V
S
)+0.5V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃ + 150 ℃
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .. 。 。 。 。 。 。 0.160 ℃
工作温度范围。 。 。 。 。 。 -55 ℃至+ 150 ℃
封装热阻@ T
A
= 25℃
SOT23-5,
θ
JA
........................
......
................................ 190
℃
/W
SO-8,
θ
JA
.............................
.....
....................................125
℃
/W
MSOP-8,
θ
JA
..............
.....
........................................... 216
℃
/W
SO-16,
θ
JA
...................
.......
........................................... 82
℃
/W
TSSOP-16,
θ
JA
................
......
...................................... 105
℃
/W
铅温度范围（焊接10秒）
.....................................................
260℃
ESD敏感性
HBM ............................................
.....
...............................4000V
MM...............................
.................
....................................400V
笔记
1 ，超出上述绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是
一个额定值;该装置的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
小心
这个集成电路可以被ESD损坏。
圣邦微电子建议所有
集成电路与适当处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能
下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受
因为伤害非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
３
SGM8521/8522/8524
典型性能特性
在T
A
= +25℃, V
S
= + 5V ，而R
L
= 500kΩ的连接与Vs / 2，除非另有说明。
小信号阶跃响应
G = +1
R
L
= 500K
C
L
= 20pF的
小信号阶跃响应
G = +1
R
L
= 500K
C
L
= 100pF的
50mV/div
50s/div
50mV/div
50s/div
大信号阶跃响应
小信号过冲（ ％ ）
G = +1
C
L
= 100pF的
R
L
= 500K
小信号过冲vs.Load电容
50
40
30
20
10
0
G=+1
R
L
=500KΩ
10
100
负载电容（pF ）
1000
G=-1
R
FB
=560KΩ
1V/div
100s/div
最大输出电压与频率
6
5
输出电压（ Vp-p的）
4
3
2
V
S
= 2.5V
1
0
1
10
频率（KHz ）
100
V
S
= 5V
最大输出电压
不摆率
引起的失真
静态电流和短路电流
vs.Supply电压
6
静态电流（
μ
A)
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2
2.5
3
3.5
4
4.5
电源电压（ V）
5
5.5
20
17.5
短路电流（mA ）
V
S
= 5.5V
I
SC
15
12.5
I
Q
10
7.5
5
４
SGM8521/8522/8524
典型性能特性
在T
A
= +25℃, V
S
= + 5V ，而R
L
= 500kΩ的连接与Vs / 2，除非另有说明。
输入电压噪声谱密度
vs.Frequency
CMRR和PSRR vs.Frequency
100
90
80
CMRR ， PSRR （DB ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
PSRR
1
10
频率（KHz ）
100
1000
CMRR
1000
电压噪声（NV /
√
赫兹）
100
10
0.01
0.1
1
频率（KHz ）
10
100
输出电压摆幅vs.Output电流
3
135℃
输出电压（V）的
2
V
S
= 3V
1
-50℃
25℃
135℃
吸收电流
0
0
4
8
12
16
20
输出电流（mA ）
目前采购
25℃
-50℃
输出电压（V）的
4
3
2
1
5
输出电压摆幅vs.Output电流
135℃
V
S
= 5V
-50℃
目前采购
25℃
吸收电流
-50℃
135℃
25℃
15
20
25
30
0
0
5
10
输出电流（mA ）
电源电流vs.TEMPERATURE
7
6
V
S
=5V
5
4
3
2
-45 -25
-5
15
35
55
75
95
115 135
温度（ ℃ ）
电源电流（
A)
５
SGM8521/8522/8524
QQ：2880707522 复制
