SGM8061
SGM8062
SGM8063
产品说明
该SGM8061 ， SGM8062 ， SGM8063的轨到轨
输出电压反馈放大器提供方便
使用成本低。他们拥有的带宽和压摆率
通常在电流反馈放大器。所有
具有宽输入共模电压范围和
输出电压摆幅，使其易于使用的
单电源低至2.5 V.
尽管是成本低， SGM8061系列提供
出色的整体性能。他们提供广泛的
带宽为500兆赫（G = 1 ）沿着长为0.1 dB
平坦度为130兆赫（G = 1 ），并提供了一个典型的低
8.2毫安/放大器的电源。
该SGM8061系列
低失真和快速建立
使得它非常适合用于高速A / D或D / A
转换器。
该SGM8063具有掉电关闭
功能，可降低到75μA的电源电流。这些
特点使SGM8063适用于便携式和
电池供电应用对尺寸和功耗
是至关重要的。一切都在扩展-40°C
至+ 125 °C温度范围。
500MHz的轨到轨输出
CMOS运算放大器
特点
低成本
轨到轨
产量
为2mV典型的V
OS
高速
500 MHz的-3 dB带宽（G = 1 ）
420 V / μs的，压摆率
16 ns的建立时间为0.1 ％与2V阶跃
工作在2.5 V至5.5V供应
输入电压范围= - 0.2 V至+ 3.8 V与V
S
= 5V
出色的视频规格（R
L
= 150Ω, G = +2)
增益平坦度0.1分贝至80 MHz
差异增益： 0.015 ％ ，差相： 0.05度
低功耗
8.2毫安/放大器的典型电源电流
禁用时SGM8063 75μA
小包装
SGM8061可在SO -8和SOT23-5
SGM8062可在SO- 8
SGM8063可在SO -8和SOT23-6
应用
成像
光电二极管前置放大器
专业视频和照相机
手台
DVD / CD
基站
过滤器
A-到-D驱动器
非反相小信号
频率响应
3
VO = 0.1V
P-P
0
归一化的增益（ dB）的
-3
-6
-9
-12
-15
1
10
100
频率（MHz）
1000
G = +2
G = +5
G = +10
R
F
= 24Ω
G = +1
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
SGM8061
V
OUT
-V
S
1
2
4
-IN
5
+V
S
V
OUT1
1
-IN1 2
IN1 + 3
-V
S
4
SGM8062
8
7
6
5
+V
S
V
OUT2
-IN2
+IN2
+ IN 3
SOT23-5
SO-8
SGM8061/8063
NC
-IN
+ IN
-V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
关闭
（ SGM8063只）
+V
S
V
OUT
NC
+ IN
V
OUT
-V
S
1
2
3
SGM8063
8063
6
5
4
+V
S
关闭
-IN
SO-8
NC =无连接
SOT23-6
圣邦微电子有限公司
联系电话： 86/451/84348461
www.sg-micro.com
REV 。一
电气特性： V
S
= +5V
（G = + 2 ，R
F
= 402Ω, R
L
= 150Ω ，除非另有说明）
SGM8061/2/3
参数
条件
典型值
+25℃
动态性能
-3dB小信号带宽
G = 1 ， VO = 0.1 V P-P ，R
F
= 24,
G = 1 ， VO = 0.1 V P-P ，R
F
= 24, R
L
= 1K
G = 2 ， VO = 0.1 V P-P ，R
L
= 50
G = 2 ， VO = 0.1 V P-P ，R
L
= 150
G = 2 ， VO = 0.1 V P-P ，R
L
= 1k
G = 2 ， VO = 0.1 V P-P ，R
L
= 10k
G = 10 ，R
L
= 150
G = 10 ，R
L
= 1K
G = 1 ， VO = 0.1 V P-P ，R
F
= 24
G = 2 ， VO = 0.1 V P-P ，R
F
= 330
G = +1 ， 2V输出步骤
G = 2 ， 2V输出步骤
G = 2 ， 4V输出步骤
G = 2 ，武= 0.2 V P-P ，10％至90％的
G = 2 ， VO = 2 V P-P ，10％至90％的
G = 2 ， 2 V输出步骤
V
IN
﹒G
= +V
S
500
550
130
210
250
420
200
230
130
80
320/-370
350/-320
420/-390
4
4.5
16
6.2
+25℃
最小/最大温度过高
0℃
to70℃
-40℃to
85℃
-40℃to
125℃
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
V / μs的
ns
ns
ns
ns
MIN /
最大
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
增益带宽积
带宽0.1分贝平整度
压摆率
上升和下落时间
建立时间至0.1％
过载恢复时间
噪声/失真性能
谐波失真
2nd-Harmonic
3rd-Harmonic
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差（ NTSC ）
差分相位误差（ NTSC ）
直流性能
输入失调电压（V
OS
)
输入失调电压漂移
输入偏置电流（I
B
）
输入失调电流（I
OS
）
开环增益（A
OL
)
G = 2 ， F = 1MHz时， V
O
= 2VP - P，R
L
= 150
G = 2 ， F = 1MHz时， V
O
= 2VP - P，R
L
= 150
F = 1MHz的
F = 1MHz的
G = 2 ，R
L
= 150
G = 2 ，R
L
= 150
5.6
0.015
0.05
dBc的
dBc的
内华达州/
Hz
F A /
Hz
%
度
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
V
O
= 0.3 V至4.7 V ，R
L
= 150
V
O
= 0.2 V至4.8 V ，R
L
= 1K
±2
3
6
2
80
104
±8
±8.5
±9
±9.3
75
90
75
90
74
89
70
80
mV
V/℃
pA
pA
dB
dB
最大
典型值
典型值
典型值
民
民
输入特性
输入共模电压范围
(V
CM
)
共模抑制比
（ CMRR ）
输出特性
输出电压摆幅由铁路
输出电流
闭环输出阻抗
掉电关闭
开启时间
打开-O FF时间
关闭
电压 - 关
关闭
电压-ON
电源
工作电压范围
静态电流（每个放大器）
禁用时电源电流
（ SGM8063只）
电源抑制比（ PSRR ）
V
CM
= - 0.1 V至+ 3.5 V
-0.2到+3.8
80
66
65
64
62
V
dB
典型值
民
R
L
= 150
R
L
= 1K
f＜100kHz
0.12
0.03
120
0.015
100
98
93
87
V
V
mA
典型值
典型值
民
典型值
50
44
0.8
2
2.5
5.5
10
120
66
2.7
5.5
10.3
127
66
2.7
5.5
10.5
130
65
2.7
5.5
11
139
63
ns
ns
V
V
V
V
mA
A
dB
典型值
典型值
最大
民
民
最大
最大
最大
民
8.2
75
-VS
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
CM
= (-V
S
) + 0.5
80
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
２
SGM8061/2/3
封装/订购信息
模型
SGM8061
SGM8062
SGM8063
订单
数
SGM8061XN5/TR
SGM8061XS/TR
SGM8062XS/TR
SGM8063XN6/TR
SGM8063XS/TR
包
描述
SOT23-5
SO-8
SO-8
SOT23-6
SO-8
包
选项
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
记号
信息
8061
SGM8061XS
SGM8062XS
8063
SGM8063XS
绝对最大额定值
电源电压，V +至V- .......................................... 7.5 V
共模输入电压
........................................ (–V
S
） - 0.5 VTO （ + V
S
) +0.5V
存储温度范围................. -65 ℃至+ 150 ℃
结温.............................................. 160 ℃
工作温度范围............ -55 ℃至+ 150 ℃
封装热阻@ T
A
= 25℃
SOT23-5,
θ
JA
......................................................... 190
℃
/W
SOT23-6,
θ
JA
......................................................... 190
℃
/W
SO-8,
θ
JA
................................................................ 125
℃
/W
铅温度范围（焊接10秒）
...................................................... 260℃
ESD敏感性
HBM...........................................................................1000V
MM...............................................................................400V
笔记
1 ，超出上述绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
额定值只;该装置的这些功能操作
或高于任何其他条件的说明
本规范的操作部分是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
小心
这个集成电路可以被ESD损坏。
圣邦微电子建议所有
集成电路与适当处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能
下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损坏
因为非常小的参数变化可能导致的
设备不能满足其公布的规格。
３
SGM8061/2/3
QQ：2881677436 复制
