SGM4684
概述
芯片级封装，低电压
0.4Ω ，双路， SPDT模拟开关
特点
低工作电压： 1.8 V至5.5 V
低导通电阻： 0 4Ω （典型值）
低导通电阻平坦度
-3 dB带宽： 30 MHz的
快速开关时间
t
ON
25纳秒
t
关闭
28纳秒
轨到轨工作
典型功耗（ <0.01
W)
TTL / CMOS兼容
芯片级封装
该SGM4684是一款双通道，低导通电阻，低电压，
双向，单刀/双掷（ SPDT ） CMOS
旨在从单一的+ 1.8V操作模拟开关
+ 5.5V电源供电。目标应用包括电池
供电设备受益于低R
ON
（ 0.4Ω ）和
快速开关速度（T
ON
= 25纳秒，T
关闭
= 28纳秒） 。
导通电阻曲线非常平坦，在整个模拟
信号范围。这可确保出色的线性度和低
失真切换音频信号时。
该SGM4684是一个坚定的双路单刀/双
-throw （SPDT）即包括两个常开（NO ）和
2常闭（ NC）开关。这种构造可以
用作双2选1多路复用器。
SGM4684是采用10焊球芯片级封装（ CSP ）
引脚配置/框图
（顶视图）的CSP
C
NC1
B
GND
A
NC2
1
IN1
IN2
2
应用
电池供电，手持式，便携式和设备
蜂窝/移动电话
笔记本电脑，笔记本电脑，掌上电脑
通信系统
采样保持电路
音频信号路由
音频和视频切换
便携式测试和测量
医疗设备
逻辑
0
1
COM1
COM2
3
NO1
V
+
NO2
4
功能表
NC1 ， NC2
ON
关闭
NO1 ， NO2
关闭
ON
圣邦微电子有限公司
联系电话： 86/451/84348461
www.sg-micro.com
版本C
订购信息
模型
PIN的
包
CSP-10
特定网络版
温度
范围
- 40 ° C至+ 125°C
订购
数
SGM4684XG/TR
包
记号
4684XG
包
选项
SGM4684
磁带和卷轴， 3000
绝对最大额定值
V
+
到GND ................................................ ....................- 0.3V至+ 6V
模拟，数字电压范围
(1)
..................... - 0.3V至V
+
+ 0.3V
连续电流NO ， NC或COM ............................ ± 300毫安
峰值电流NO ， NC或COM ...................................... ± 500毫安
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 125°C
结温................................................ ........... + 150°C
储存温度.............................................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ....................................... 260℃
ESD敏感性
HBM..........................................................................................2000V
MM..............................................................................................400V
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是强调
只有收视率，以及该设备的这些功能操作或超出在操作指示的任何其他条件
规格部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
(1)
在NC ，NO或COM或IN超过V +信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大
电流额定值。
引脚说明
名字
V
+
GND
IN1，IN2
COM1 ， COM2
NO1 ， NO2
NC1 ， NC2
电源
地
数字控制引脚连接至COM端子NO或NC终端
公共端
常开端子
常闭端子
功能
注： NO ， NC和COM
终奌站
可以是输入或输出。
2
SGM4684
电气特性
(V
+
= + 5V ±10 ％ ， GND = 0 V ，T
A
= - 40 ° C至+ 125°C ，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C.)
SGM4684
- 40 ℃
+125℃
单位
0
V
+
0
≤
V
NO
或V
NC
≤
V
+
, I
COM
=
10
毫安，
测试电路1
0
≤
V
NO
或V
NC
≤
V + ，我
COM
=
10
毫安，
测试电路1
0
≤
V
NO
或V
NC
≤
V + ，我
COM
=
10
毫安，
测试电路1
0.4
0.6
0.04
0.08
0.1
0.15
±4
±10
±4
±10
±1000
2.4
0.8
V
IN
= V
INH
或V
INH
±0.01
±0.1
±1
±1000
0.4
0.12
1.1
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
nA
nA
nA
nA
V
V
A
A
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻
导通电阻之间的匹配
频道
导通电阻平坦度
漏电流
来源OFF漏电流
通道泄漏电流
数字输入
输入高电压
输入低电压
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入，
先开后合式时间
延迟
关断隔离
总谐波失真
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
源关断电容
通道导通电容
电源要求
电源电流
I
+
V
+
= +5.5V, V
IN
= 0V或5V
0.001
1
A
A
典型值
最大
t
ON
t
关闭
Q
t
D
O
ISO
THD
X
TALK
BW
C
NC （关闭）
, C
否（关）
C
数控（ON）的
, C
编号为（ON）的
,
C
COM（上）
V
NO
或V
NC
= 3V,
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ，测试电路4
V
NO
或V
NC
= 3V,
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ，测试电路4
C
L
= 1.0nF ，V
G
= 0V ，R
G
= 0 ，测试电路5
V
NO1
或V
NC1
= V
NO2
或V
NC2
= 3V,
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ，测试电路6
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的，
F = 100KHz的
测试电路7
F = 10kHz的
f
= 20Hz到20kHz ，
V
COM
= 3.5V
P-P
,
R
L
= 600Ω, C
L
= 50pF的
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的，
测试电路8
F = 100KHz的
F = 10kHz的
25
28
3
10
-75
-85
0.07
-100
-105
30
94
450
ns
ns
pC
ns
dB
dB
%
dB
dB
兆赫
pF
pF
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
V
INH
V
INL
I
INL
还是我
INH
民
最大
典型值
最大
I
NC （关闭）
, I
否（关）
I
数控（ON）的
, I
编号为（ON）的
,
I
COM（上）
V
NO
或V
NC
= 4.5V/1V,
V
COM
=
1V/4.5V,
V
+
= +5.5V
，测试电路2
V
NO
或V
NC
= V
COM
= 1V或4.5V ，
V
+
= +5.5V
，测试电路3
典型值
最大
典型值
最大
V
NO
, V
NC
, V
COM
R
ON
R
ON
R
平（ON）的
民
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
符号
条件
+25℃
MIN /
最大
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的，测试电路9
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
３
SGM4684
电气特性
(V
+
= 3 V± 10 ％ ， GND = 0 V ，T
A
= - 40 ° C至+ 125°C ，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C.)
SGM4684
- 40 ℃
+125℃
单位
0
V
+
0
≤
V
NO
或V
NC
≤
V
+
, I
COM
=
10
毫安，
测试电路1
0
≤
V
NO
或V
NC
≤
V + ，我
COM
=
10
毫安，
测试电路1
0
≤
V
NO
或V
NC
≤
V + ，我
COM
=
10
毫安，
测试电路1
0.6
1.0
0.05
0.1
0.25
0.3
±5
±11
±5
±11
±1000
2.0
0.4
V
IN
= V
INH
或V
INH
±0.01
±0.1
±1
±1000
0.4
0.13
1.3
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
nA
nA
nA
nA
V
V
A
A
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻
导通电阻之间的匹配
频道
导通电阻平坦度
漏电流
来源OFF漏电流
通道泄漏电流
数字输入
输入高电压
输入低电压
输入电流
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入，
先开后合式时间
延迟
关断隔离
总谐波失真
通道到通道的串扰
带宽的-3 dB
源关断电容
通道导通电容
电源要求
电源电流
I
+
V
+
= +3.3V, V
IN
= 0V或3V
0.001
1
A
A
典型值
最大
t
ON
t
关闭
Q
t
D
O
ISO
THD
X
TALK
BW
C
NC （关闭）
, C
否（关）
C
数控（ON）的
, C
编号为（ON）的
,
C
COM（上）
V
NO
或V
NC
= 2V,
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ，测试电路4
V
NO
或V
NC
= 2V,
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ，测试电路4
C
L
= 1.0nF ，V
G
= 0V ，R
G
= 0 ，测试电路5
V
NO1
或V
NC1
= V
NO2
或V
NC2
= 2V,
R
L
= 300Ω, C
L
= 35pF ，测试电路6
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的，
F = 100KHz的
测试电路7
F = 10kHz的
f
= 20Hz到20kHz ，
V
COM
= 2V
P-P
,
R
L
= 600Ω, C
L
= 50pF的
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的，
测试电路8
F = 100KHz的
F = 10kHz的
30
32
5
11
-75
-85
0.065
-100
-105
30
94
450
ns
ns
pC
ns
dB
dB
%
dB
dB
兆赫
pF
pF
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
V
INH
V
INL
I
INL
还是我
INH
民
最大
典型值
最大
I
NC （关闭）
, I
否（关）
I
数控（ON）的
, I
编号为（ON）的
,
I
COM（上）
V
NO
或V
NC
= 3V/1V,
V
COM
=
1V/3V,
V
+
= +3.3V
，测试电路2
V
NO
或V
NC
= V
COM
= 1V和3V ，
V
+
= +3.3V
，测试电路3
典型值
最大
典型值
最大
V
NO
, V
NC
, V
COM
R
ON
R
ON
R
平（ON）的
民
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
符号
条件
+25℃
MIN /
最大
R
L
= 50Ω, C
L
= 5pF的，测试电路9
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
４
SGM4684
QQ：2880707522 复制
