SGM321
SGM358
SGM324
产品说明
该SGM321 （单） ， SGM358 （双通道）和SGM324 （四）
有轨到轨输入和输出电压反馈
放大器提供成本低。他们有一个很宽的输入
共模电压范围及输出电压
Swing和
采取最低工作电源
电压降低到2.1V ，最大推荐
电源电压为5.5 V.
所有被指定在
扩展 - 40 ° C至+ 85 °C温度范围。
该SGM321 / 324分之358提供1MHz的带宽在
60μA每个放大器的低电流消耗。很
为10pA的低输入偏置电流，使SGM321 / 358 /
324可用于积分器，光电二极管放大器，
和压电传感器。轨至轨输入和
输出的特性是设计在ASIC缓冲
单电源系统。
应用该系列放大器包括安全
监控，便携设备，电池和电源
供给控制，以及信号调节和接口
为在非常低的电力系统转换器。
该SGM321可在SOT23-5和SC70-5
包。该SGM358进来SO- 8 ， MSOP- 8和
PDIP - 8封装。该SGM324是SO- 14提供的，
TSSOP -14 ， TSSOP -16和SO- 16封装。
为1MHz ， 60μA ，轨至轨I / O
CMOS运算放大器
特点
低成本
轨至轨输入和输出
0.8mV典型的V
OS
单位增益稳定
增益带宽积： 1MHz的
极低的输入偏置电流： 10pA的
工作在2.1 V至5.5 V电源
输入电压范围：
- 0.1 V至5.6 V与V
S
= 5.5 V
低电源电流： 60μA /放大器
小包装
SGM321可在SOT23-5和SC70-5
SGM358可在SO- 8 ， MSOP - 8和PDIP - 8
SGM324可在SO- 14 ， SO- 16和TSSOP -14和
TSSOP-16
销刀豆网络gurations
（ TOP VIEW ）
SGM321
OUT A 1
+ IN
1
5
+V
S
-INA 2
-V
S
2
INA + 3
-IN 3
4
OUT
-V
S
4
SGM358
8
7
+V
S
OUT B
6 -INB
5 + INB
SOT23-5 / SC70-5
SO - 8 / MSOP - 8 / PDIP - 8
应用
ASIC输入或输出放大器
传感器接口
压电传感器放大器
医疗器械
移动通信
音频输出
便携式系统
烟雾探测器
笔记本电脑
PCMCIA卡
电池-Powered设备
DSP接口
OUT A
-IN一
+ IN A
+V
S
+ INB
-INB
OUT B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
SGM324
16输出D
15 -Ind
14 + IND
13 -V
S
12 + INC。
11 -INC
10输出C
NC =无连接
SGM324
OUT A
-IN一
+ IN A
+V
S
+ INB
-INB
OUT B
1
2
3
4
5
6
7
14输出D
13 -Ind
12 + IND
11 -V
S
10 + INC。
9
8
-INC
输出C
9
NC
TSSOP - 16 / SO- 16
TSSOP-14/SO-14
圣邦微电子有限公司
联系电话： 86/451/84348461
www.sg-micro.com
Rev. D的
电气特性： V
S
= +5V
（为R
L
= 100kΩ的连接与Vs / 2，和V
OUT
= VS / 2，除非另有说明）
SGM321/358/324
参数
条件
典型值
+25℃
输入特性
输入失调电压（V
OS
)
输入偏置电流（我
B
)
输入失调电流（I
OS
)
共模电压范围（Ⅴ
CM
)
共模抑制比（ CMRR ）
开环电压增益（A
OL
)
输入失调电压漂移（ ΔV
OS
/
T
)
输出特性
输出电压摆幅由铁路
输出电流（I
OUT
)
动力
供应
2.1
5.5
电源抑制比（ PSRR ）
静态电流/放大器（我
Q
)
动态性能
增益带宽积（ GBP ）
压摆率（ SR ）
建立时间至0.1％ （T
S
)
过载恢复时间
噪声性能
电压噪声密度（E
n
)
F = 1kHz时
F = 10kHz的
27
20
内华达州/
内华达州/
Hz
Hz
最小/最大温度过高
+25℃
-40℃
至85 ℃
单位
最小/最大
±0.8
10
10
V
S
= 5.5V
V
S
= 5.5V, V
CM
= - 0.1V至24 V
V
S
= 5.5V, V
CM
= - 0.1V至5.6 V
R
L
= 5KΩ ， VO = 0.1V至4.9V
R
L
= 100KΩ ， VO = 0.035V到4.965V
- 0.1 + 5.6
70
68
80
84
2.7
±5
±5.6
mV
pA
pA
V
最大
典型值
典型值
典型值
民
民
民
民
典型值
62
56
70
80
62
55
70
80
dB
dB
dB
dB
V/℃
R
L
= 100K
R
L
= 10K
0.008
0.08
23
20
18.8
V
V
mA
典型值
典型值
民
工作电压范围
V
s
= + 2.5V至+ 5.5 V
V
CM
=
(-V
S
) + 0.5
I
OUT
= 0
C
L
= 100pF的
1
G = +1 ， 2V输出步骤
G = 1 ， 2 V输出步骤
V
IN
·增益= VS
0.52
5.3
2.6
82
60
2.5
5.5
58
86
V
V
dB
A
民
最大
民
最大
60
80
兆赫
V / μs的
s
s
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
２
SGM321/358/324
封装/订购信息
模型
SGM321
订单号
SGM321YC5/TR
SGM321YN5/TR
SGM358YS/TR
SGM358
SGM358YMS/TR
SGM358YP
SGM324YS/TR
SGM324
SGM324YTS/TR
SGM324YS14/TR
SGM324YTS14/TR
包
描述
SC70-5
SOT23-5
SO-8
MSOP-8
PDIP-8
SO-16
TSSOP-16
SO-14
TSSOP-14
包
选项
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
管， 50
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 2500
磁带和卷轴， 3000
记号
信息
321
321
SGM358YS
SGM358YMS
SGM358YP
SGM324YS
SGM324YTS
SGM324YS14
SGM324YTS14
绝对最大额定值
电源电压，V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.5 V
共模输入电压
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (–V
S
） - 0.5 V至（ + V
S
)+0.5V
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃ + 150 ℃
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .. 。 。 。 。 。 。 0.160 ℃
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 -45 ℃ + 85 ℃
封装热阻@ T
A
= 25℃
SC70-5,
θ
JA
............................
.................
................... 333
℃
/W
SOT23-5,
θ
JA
........................
......
................................ 190
℃
/W
SO-8,
θ
JA
.............................
.....
....................................125
℃
/W
MSOP-8,
θ
JA
..............
.....
........................................... 216
℃
/W
SO-16,
θ
JA
...................
.......
........................................... 82
℃
/W
TSSOP-16,
θ
JA
................
......
...................................... 105
℃
/W
铅温度范围（焊接10秒）
.....................................................
260℃
ESD敏感性
HBM ............................................
.....
...............................4000V
MM...............................
.................
....................................400V
小心
这个集成电路可以被ESD损坏。
圣邦微电子建议所有
集成电路与适当处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能
下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受
因为伤害非常小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
笔记
1 ，超出上述绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是
一个额定值;该装置的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
３
SGM321/358/324
典型性能特性
在T
A
= +25℃, V
S
= + 5V ，而R
L
= 100kΩ的连接与Vs / 2，除非另有说明。
小信号阶跃响应
G = +1
C
L
= 100pF的
R
L
= 100K
大信号阶跃响应
G = +1
C
L
= 100pF的
R
L
= 100K
20mV/div
2s/div
500mV/div
10s/div
小信号过冲vs.Load电容
小信号过冲vs.Load电容
60
小信号过冲（ ％ ）
50
40
30
20
10
0
G = +1
R
L
= 100KΩ
G = -1
R
FB
= 5KΩ
G = -1
R
FB
= 100KΩ
60
小信号过冲（ ％ ）
50
40
30
20
10
0
10
100
1000
负载电容（pF ）
10000
G = -5
R
FB
= 100KΩ
10
100
1000
负载电容（pF ）
10000
最大输出电压vs.Frequency
6
5
输出电压（ Vp-p的）
4
3
2
1
0
1
10
100
1000
频率（KHz ）
10000
V
S
= 2.5V
V
S
= 5V
最大输出电压
不摆率
引起的失真
50
静态电流和短路电流
vs.Supply电压
30
25
短路电流（mA ）
V
S
= 5.5V
静态电流（
μ
A)
45
40
35
30
25
2
2.5
3
3.5
4
4.5
电源电压（ V）
5
5.5
I
Q
I
SC
20
15
10
5
４
SGM321/358/324
典型性能特性
在T
A
= +25℃, V
S
= + 5V ，而R
L
= 100kΩ的连接与Vs / 2，除非另有说明。
输入电压噪声谱密度
vs.Frequency
CMRR和PSRR vs.Frequency
100
90
80
CMRR ， PSRR （DB ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
10
100
频率（KHz ）
1000
10000
PSRR
CMRR
1000
电压噪声（NV /
√
赫兹）
100
10
0.01
0.1
1
频率（KHz ）
10
100
输出电压摆幅vs.Output电流
3
135℃
输出电压（V）的
2
V
S
= 3V
1
-50℃
25℃
135℃
吸收电流
0
0
4
8
12
16
20
输出电流（mA ）
目前采购
-50℃
输出电压（V）的
25℃
4
3
2
1
5
输出电压摆幅vs.Output电流
135℃
V
S
= 5V
-50℃
目前采购
25℃
吸收电流
-50℃
135℃
25℃
15
20
25
30
0
0
5
10
输出电流（mA ）
电源电流vs.TEMPERATURE
60
55
50
45
40
35
30
-50 -30 -10
10 30 50 70
温度（ ℃ ）
90
110 130
V
S
= 2.5V
开环增益vs.Temperature
120
110
开环增益（dB ）
R
L
= 5kΩ
R
L
= 100kΩ
电源电流（
μ
A)
V
S
= 5V
V
S
= 3V
100
90
80
70
60
-50 -30 -10
10 30 50 70
温度（ ℃ ）
90
110 130
５
SGM321/358/324
QQ：2881677436 复制
