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SGM3055
公司Bauelemente
15A ， 30V ，R
DS （ ON）
100m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
描述
采用SOT -89封装普遍首选的所有
商业工业表面贴装应用和
适用于低电压应用，如直流/直流
转换器。
SOT-89
D
REF 。
A
B
C
D
E
F
S
G
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 ° TYP 。
0.70 REF 。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=10
0 C
I
DM
P
D
@T
A
=25
C
TJ ， TSTG
o
o
o
评级
30
±20
15
9
50
15
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
o
C
热数据
参数
热阻结到环境
热阻结案件
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -A
Rthj -C
评级
42
3
o
单位
C / W
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页
6
SGM3055
公司Bauelemente
15A ， 30V ，R
DS （ ON）
100m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 150
C
)
静态漏源导通电阻
o
o
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
30
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250uA
V
GS
=
±
20V
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
DS
=24V,V
GS
=0
V
GS
= 10V ，我
D
= 8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
I
D
=8A
V
DS
=24V
V
GS
= 5V
o
0.037
_
_
_
_
_
_
1.0
_
_
_
_
3.0
±
100
25
250
80
100
_
_
_
_
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
2
5.4
1.3
3.6
3.6
19.8
13
3.2
260
144
13
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
nC
_
_
_
_
_
_
_
V
DS
=15V
I
D
=8A
nS
V
GS
=10V
R
G
=3.4
Ω
R
D
=1.9
Ω
_
_
_
_
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
S.D。
I
S
I
SM
分钟。
_
_
典型值。
_
马克斯。
1.3
15
单位
V
测试条件
I
S
=15A,V
GS
=0V,Tj=25
C
V
D
=V
G
=0V,V
S
=1.3V
o
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
1
_
_
A
_
50
A
注： 1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
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SGM3055
公司Bauelemente
15A ， 30V ，R
DS （ ON）
100m
Ω
N沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
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