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SGM2301
-2.6A ， -20V ，R
DS （ ON）
130m
Ω
公司Bauelemente
P沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
描述
该SGM2301为设计者提供了最好的
快速切换的组合，低导通电阻
和成本效益。该SGM2301是普遍
首选的所有商业工业表面贴装
应用和适合于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
SOT-89
特点
*表面贴装器件
*简单的驱动要求
REF 。
D
G
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 ° TYP 。
0.70 REF 。
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
3
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
C
I
D
@T
A
=70
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
o
C
o
o
评级
-20
±12
-2.6
-2.1
-10
1.38
0.01
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
o
o
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
马克斯。
Rthj -A
评级
90
o
单位
C / W
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页
4
SGM2301
公司Bauelemente
-2.6A ， -20V ，R
DS （ ON）
130m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
o
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
C
)
静态漏源导通电阻
2
2
o
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
分钟。
-20
_
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V / C
V
nA
uA
uA
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250uA
V
GS
=
±
12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0
V
DS
=-16V,V
GS
=0
V
GS
= -5.0V ，我
D
=-2.8A
V
GS
= -2.8V ，我
D
=-2A
o
-0.1
_
_
_
_
_
_
-0.5
_
_
_
_
_
±
100
-1
-10
130
190
10
_
_
R
DS （ ON）
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
m
Ω
总栅极电荷
5.2
1.36
0.6
5.2
9.7
19
29
295
170
65
4.4
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
nC
I
D
=-2.8A
V
DS
=-6.0V
V
GS
=-5.0V
_
_
_
_
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
nS
V
GS
=-10V
R
G
=6
Ω
R
D
=15
Ω
_
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=-6V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
SD
Is
I
SM
分钟。
_
_
典型值。
_
_
马克斯。
-1.2
-1
单位
V
测试条件
I
S
= -1.6A ，V
GS
=0V.
V
D
=V
G
=0V, V
S
=-1.2V
G
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
1
A
_
_
-10
A
注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
3.表面安装在1英寸
2
FR4电路板的铜垫; 270
° C / W
安装在最小的时候。铜垫。
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of
4
SGM2301
公司Bauelemente
Ω
-2.6A ， -20V ，R
DS （ ON）
130m
P沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
图5.正向特性
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反向二极管
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图6.栅极阈值电压V.S.
结温
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SGM2301
公司Bauelemente
-2.6A ， -20V ，R
DS （ ON）
130m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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