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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第155页 > SGM2014AM
SGM2014AM
砷化镓N沟道双栅场效应管MES
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
描述
该SGM2014AM是N沟道双栅极的GaAs
MES FET的UHF频段低噪声放大。
此FET的是适用于广泛的应用范围
包括电视调谐器，移动设备和DBS IF
放大器器。
特点
低电压操作
噪音低：在900MHz NF = 1.5分贝（典型值）。
高增益：嘎= 18分贝（典型值）在900MHz
低交叉调制
高稳定性
内置的栅极保护二极管
应用
UHF频带放大器，混频器和振荡器
结构
砷化镓N沟道双栅极金属半导体场效应晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
漏源极电压
V
DSX
12
1号门至源极电压
V
G1S
–5
2号门至源极电压
V
G2S
–5
漏电流
I
D
55
允许功耗
P
D
150
通道温度
总胆固醇
150
储存温度
TSTG -55到+150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E96Y09-PS
SGM2014AM
电气特性
项
排水截止电流
符号
I
DSX
条件
V
DS
= 12V
V
G1S
= –4V
V
G2S
= 0V
V
G1S
= –4.5V
V
G2S
= 0V
V
DS
= 0V
V
G2S
= –4.5V
V
G1S
= 0V
V
DS
= 0V
V
DS
= 5V
V
G1S
= 0V
V
G2S
= 0V
8
分钟。
典型值。
（ TA = 25°C ）
马克斯。
50
单位
A
1号门至源极电流
I
G1SS
–8
A
2门源电流
I
G2SS
–8
A
饱和漏电流
I
DSS
28
mA
栅1到源极截止电压
V
DS
= 5V
V
G1S
（OFF）状态余
D
= 100A
V
G2S
= 0V
V
DS
= 5V
V
G2S
（OFF）状态余
D
= 100A
V
G1S
= 0V
V
DS
= 5V
I
D
= 10毫安
gm
V
G2S
=1.5V
F = 1kHz时
V
DS
= 5V
西塞
I
D
= 10毫安
V
G2S
= 1.5V
CRSS
F = 1MHz的
V
DS
= 5V
NF
I
D
= 10毫安
V
G2S
= 1.5V
Ga
F = 900MHz的
–2.5
V
门2到源截止电压
–2.5
V
正向转移导纳
输入电容
反馈电容
噪声系数
相关的增益
13
17
0.9
25
1.5
2
50
2.5
ms
pF
fF
dB
dB
15
18
典型特征
（ TA = 25°C ）
I
D
与V
DS
40
(V
G2S
= 1.5V)
20
25
(V
DS
= 5V)
I
D
与V
G1S
V
G2S
= 1.5V
1.0V
0.5V
0V
I
D
- 漏极电流[mA ]
V
G1S
= 0V
20
–0.3V
–0.6V
10
–0.9V
–1.2V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压[ V]
6
–1.5V
I
D
- 漏极电流[mA ]
30
15
–0.5V
10
–1.0V
5
–1.5V
0
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0
–2–
SGM2014AM
I
D
与V
G2S
25
(V
DS
= 5V)
25
(V
DS
= 5V)
通用汽车与V
G1S
GM - 正向转移导纳[毫秒]
20
I
D
- 漏极电流[mA ]
V
G1S
= 0V
–0.2V
–0.4V
–0.6V
20
V
G2S
= 1.5V
15
15
1.0V
10
0.5V
5
0V
–0.5V
–1.0V
–1.5
–1.0
–0.5
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0
10
–0.8V
–1.0V
5
–1.2V
–1.4V
0
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
V
G2S
- 门2至源极电压[V]
0
0
–2.0
NF与V
G1S
6
(V
DS
= 5V ， F = 900MHz的）
5
V
G2S
= 0.5V
20
25
嘎与V
G1S
(V
DS
= 5V ， F = 900MHz的）
V
G2S
= 1.5V
NF - 噪声系数（分贝）
嘎 - 增益（分贝）
4
1.0V
15
1.0V
10
0.5V
5
3
2
1.5V
1
0
–1.8 –1.6 –1.4 –1.2 –1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 0
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0.2
0
–1.8 –1.6 –1.4 –1.2 –1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 0
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0.2
NF ，嘎与我
D
3.0
(V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V ， F = 900MHz的）
2.5
25
Ga
30
3.0
NF ，嘎与F
30
(V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V ，我
D
= 10毫安）
NFmin - 最小噪声系数（分贝）
2.5
Ga
25
NF - 噪声系数（分贝）
嘎 - 增益（分贝）
1.5
NF
1.0
15
1.5
15
10
1.0
NFmin
0.5
10
0.5
5
5
0
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20 22
I
D
- 漏极电流[mA ]
0
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
的F - 频率[ GHz的]
0
–3–
嘎 - 增益（分贝）
2.0
20
2.0
20
SGM2014AM
S参数与频率特性（V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V ，我
D
= 10毫安）
f
（兆赫）
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
S11
MAG
0.999
0.997
0.991
0.981
0.968
0.956
0.944
0.929
0.917
0.898
0.877
0.855
0.831
0.809
0.785
0.762
0.737
0.721
0.685
0.655
昂
–2.8
–5.9
–9.0
–12.3
–15.5
–18.9
–21.8
–24.7
–27.4
–30.4
–32.8
–35.4
–38.0
–40.8
–43.3
–45.8
–48.2
–50.5
–52.7
–54.5
MAG
1.531
1.527
1.526
1.520
1.506
1.497
1.486
1.478
1.468
1.454
1.440
1.422
1.412
1.399
1.387
1.366
1.349
1.333
1.316
1.298
S21
昂
175.1
170.2
165.4
160.3
155.6
150.7
146.1
141.5
136.7
131.8
127.4
122.8
118.4
113.8
109.3
104.6
100.3
95.8
91.5
87.2
MAG
0.001
0.003
0.003
0.005
0.006
0.008
0.008
0.009
0.010
0.011
0.012
0.012
0.013
0.013
0.013
0.013
0.013
0.013
0.013
0.013
S12
昂
87.1
78.7
81.9
82.0
78.7
83.6
83.0
77.8
77.2
79.9
81.0
78.3
76.9
76.6
74.7
76.7
76.4
80.2
79.8
83.2
MAG
0.979
0.979
0.975
0.974
0.970
0.969
0.968
0.967
0.967
0.967
0.962
0.959
0.956
0.955
0.952
0.950
0.950
0.950
0.949
0.945
(Z
0
= 50)
S22
昂
–1.9
–4.0
–6.1
–8.2
–10.2
–12.1
–14.2
–16.3
–18.2
–20.3
–22.3
–24.4
–26.5
–28.9
–31.4
–33.9
–36.9
–39.5
–42.4
–45.0
噪声系数特性（V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V ，我
D
= 10毫安）
f
（兆赫）
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
NFmin
（ dB）的
0.76
0.88
0.99
1.11
1.23
1.34
1.45
1.54
1.62
1.71
1.80
1.90
1.99
2.09
2.18
2.26
2.34
2.42
2.50
伽玛优化
昂
0.94
0.91
0.88
0.86
0.83
0.81
0.79
0.77
0.75
0.73
0.71
0.69
0.67
0.65
0.63
0.61
0.59
0.56
0.54
MAG
5.8
8.4
11.0
13.4
15.6
17.8
19.9
22.0
24.0
25.9
27.8
29.7
31.6
33.5
35.5
37.5
39.5
41.6
43.8
Rn
()
59.7
59.6
59.4
59.1
58.8
58.4
58.0
57.4
56.8
56.2
55.4
54.6
53.8
52.8
51.8
50.7
49.6
48.3
47.0
–4–
SGM2014AM
包装外形
单位：mm
M-254
2.9 ± 0.2
1.9
( 0.95 )
( 0.95 )
+ 0.2
1.1 – 0.1
3
2
0.6
+ 0.2
1.6 – 0.1
2.8 ± 0.2
0-0.1
4
+ 0.1
0.4 – 0.05
( 0.95 )
1.8
1
+ 0.1
0.6 – 0.05
( 0.85 )
+ 0.1
0.10 – 0.01
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
SONY CODE
EIAJ代码
JEDEC代码
M-254
包装MASS
0.01g
–5–
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SN74AUC2G53_07
SST89E58RD2-40-I-QI
SN74LVC3G07YZPR
SDR640CT
SST29LE010-250-3C-WH
SN74ABT377APW
STK4030II
SDA167HCEUF
SPU45-110
SC431CZTC3
SA2007HSA
SMB6.0A
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SGM2014AM
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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SGM2014AM
SONY
2019
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原装正品 钻石品质 假一赔十
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SGM2014AM
SONY
25+23+
12500
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24+
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