【SGM0410公司Bauelemente3.5A ， 100V ，RDS （ ON）170 mN沟道】,IC型号SGM0410,SGM0410 PDF资料,SGM0410经销商,ic,电子元器件-51电子网

SGM0410

公司Bauelemente

3.5A ， 100V ，R

DS （ ON）

170 m

N沟道增强型功率MOSFET

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素&无铅

描述

该SGM0410为设计者提供了最好的

快速开关，坚固耐用的设备设计，低相结合

导通电阻和成本效益。采用SOT -89封装

普遍首选的所有商业，工业表面

安装应用程序和适用于低电压应用

诸如DC / DC转换器。

顶视图

SOT-89

特点

低栅极电荷

简单的驱动要求

快速开关特性

毫米

分钟。

马克斯。

4.40

4.60

4.05

4.25

2.40

2.60

1.40

1.60

3.00参考。

0.40

0.52

毫米

分钟。

马克斯。

0.89

1.20

0.35

0.41

0.70

0.80

1.50 REF 。

REF 。

记号

0410

=日期代码

包装信息

包

SOT-89

MPQ

负责人尺寸

7寸

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源电压

栅源电压

连续DrainCurrent @

= 5V ，T

=70°

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

工作结&储藏温度

, T

英镑

1,2

符号

= 5V ，T

=25°

等级

100

±20

3.5

2.2

0.016

-55~150

单位

W/°

热阻率

热阻结到环境（MAX）。

62.5

° /W

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规范的任何更改将不个别通知。

11月3日， 2011版本A

第1页4

SGM0410

公司Bauelemente

3.5A ， 100V ，R

DS （ ON）

170 m

N沟道增强型功率MOSFET

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

正向跨导

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

静态漏源导通电阻

总栅极电荷

符号

DSS

GS （ TH）

政府飞行服务队

GSS

DSS

DS （ ON）

MIN 。 TYP 。

100

11.2

4.4

9.4

26.8

2.6

975

马克斯。

2.5

±100

170

单位

乳头条件

=0, I

=1mA

= 10V ，我

=1mA

= 10V ，我

=2.5A

=±20V

=100V, V

= 10V ，我

=2.6A

= 5V ，我

=1.7A

=3.5A

=80V

=5V

=30V

=1A

=10V

=30

=25V

F = 1.0 MHz的

200

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

正向电压上

1.5

= 3.5A ，V

注意事项：

1.脉冲宽度有限的最大。结温。

2.脉冲测试。

3.表面安装1

FR4电路板的铜垫; 135 ° /安装在MI N当w 。铜垫。

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3.5A ， 100V ，R

DS （ ON）

170 m

N沟道增强型功率MOSFET

特性曲线

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DS （ ON）

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特性曲线

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SGM0410

SECOS

20+

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SOT-89

全新原装正品/质量有保证

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SGM0410

HAMOS/汉姆

2024

20918

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上海原装现货库存，欢迎咨询合作

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23000

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联系人：陈佳隆

地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室

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21000

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真实库存信息/只做原装正品/支持实单

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原装正品假一赔百！

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绝对原装进口现货！渠道优势供应!

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电话：17302677633

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地址：深圳市福田区都会大厦B座24K

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联系人：林先生

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