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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第691页 > SGL50N60
SGL50N60RUF
IGBT
SGL50N60RUF
短路额定IGBT
概述
飞兆半导体的RUF系列绝缘栅双极晶体管
（ IGBT的）提供低传导和开关损耗
以及短路耐用性。联阵系列
设计
应用，如电机控制，
不间断电源（UPS ）和通用变频器
其中，短路耐用是必需的功能。
特点
短路额定10us的@ T
C
= 100℃ ，V
GE
= 15V
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.2 V @ I
C
= 50A
高输入阻抗
应用
交流&直流电机的控制，一般用途的逆变器，机器人和伺服控制。
C
G
TO-264
G
C
E
T
C
= 25 ° C除非另有说明
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
T
SC
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
短路承受时间
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
用途1/ 8“案件从5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
SGL50N60RUF
600
±
20
80
50
150
10
250
100
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
us
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
马克斯。
0.5
25
单位
° C / W
° C / W
2002仙童半导体公司
SGL50N60RUF牧师A1
SGL50N60RUF
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
IC = 50mA时V
CE
= V
GE
I
C
= 50A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 80A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
--
6.0
2.2
2.5
8.5
2.8
--
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
=30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
3311
399
139
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
--
26
89
66
118
1.68
1.03
2.71
28
91
68
261
1.7
2.31
4.01
--
145
25
70
18
--
--
100
200
--
--
3.8
--
--
110
400
--
--
5.62
--
210
35
100
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
us
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 300 V，I
C
= 50A,
R
G
= 5.9, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 50A,
R
G
= 5.9, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
@
T
C
=
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V,
100°C
V
CE
= 300 V，I
C
= 50A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
2002仙童半导体公司
SGL50N60RUF牧师A1
SGL50N60RUF
140
120
共发射极
T
C
= 25℃
20V
15V
140
120
12V
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
8
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
V
GE
= 10V
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压特性
5
60
共发射极
V
GE
= 15V
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
V
CC
= 300V
负载电流：方波的峰值
4
100A
50
负载电流[ A]
40
3
50A
2
I
C
= 30A
30
20
1
10
0
-50
0
50
100
150
0
占空比： 50 ％
T
C
= 100℃
功耗= 70W
1
10
100
1000
外壳温度，T
C
[℃]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
16
20
共发射极
T
C
= 125℃
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
12
12
8
8
100A
4
I
C
= 30A
0
50A
4
I
C
= 30A
0
0
4
8
100A
50A
12
16
20
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2002仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
SGL50N60RUF牧师A1
SGL50N60RUF
7000
6000
5000
资本投资者入境计划
4000
3000
卓越中心
2000
CRES
1000
0
1
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
1000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
电容[ pF的]
吨
开关时间[ NS ]
Tr
100
10
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
1000
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
10000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
花花公子
花花公子
宙
开关损耗[ UJ ]
EOFF
Tf
EOFF
1000
Tf
100
10
100
10
100
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 5.9
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1000
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
吨
Tr
100
花花公子
Tf
花花公子
100
Tf
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 5.9
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
10
10
20
40
60
80
100
10
20
40
60
80
100
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2002仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGL50N60RUF牧师A1
SGL50N60RUF
10000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 5.9
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
15
共发射极
R
L
= 6
T
C
= 25℃
V
CC
= 100 V
300 V
EOFF
宙
EOFF
门 - 发射极电压， V [ V]
GE
12
开关损耗[ UJ ]
9
200 V
1000
6
3
100
10
20
40
60
80
100
0
0
30
60
90
120
150
180
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
500
I
C
MAX 。 （脉冲）
100
I
C
MAX 。 （连续）
1
10
直流操作
50us
100us
100
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
10
1
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.3
1
10
100
1000
安全工作区
V
GE
= 20V ，T
C
= 100℃
1
1
10
100
1000
0.1
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开，关闭的SOA特性
热响应， Zthjc [ ℃ / W]
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
PDM
t1
t2
单脉冲
1E-3
10
-5
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
2002仙童半导体公司
SGL50N60RUF牧师A1
SGL50N60RUF
IGBT
SGL50N60RUF
短路额定IGBT
概述
飞兆半导体的RUF系列绝缘栅双极晶体管
（ IGBT的）提供低传导和开关损耗
以及短路耐用性。联阵系列
设计
应用，如电机控制，
不间断电源（UPS ）和通用变频器
其中，短路耐用是必需的功能。
特点
短路额定10us的@ T
C
= 100℃ ，V
GE
= 15V
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.2 V @ I
C
= 50A
高输入阻抗
应用
交流&直流电机的控制，一般用途的逆变器，机器人和伺服控制。
C
G
TO-264
G
C
E
T
C
= 25 ° C除非另有说明
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
T
SC
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
短路承受时间
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
用途1/ 8“案件从5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
SGL50N60RUF
600
±
20
80
50
150
10
250
100
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
us
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
马克斯。
0.5
25
单位
° C / W
° C / W
2002仙童半导体公司
SGL50N60RUF牧师A1
SGL50N60RUF
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
IC = 50mA时V
CE
= V
GE
I
C
= 50A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 80A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
--
6.0
2.2
2.5
8.5
2.8
--
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
=30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
3311
399
139
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
--
26
89
66
118
1.68
1.03
2.71
28
91
68
261
1.7
2.31
4.01
--
145
25
70
18
--
--
100
200
--
--
3.8
--
--
110
400
--
--
5.62
--
210
35
100
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
us
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 300 V，I
C
= 50A,
R
G
= 5.9, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 50A,
R
G
= 5.9, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
@
T
C
=
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V,
100°C
V
CE
= 300 V，I
C
= 50A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
2002仙童半导体公司
SGL50N60RUF牧师A1
SGL50N60RUF
140
120
共发射极
T
C
= 25℃
20V
15V
140
120
12V
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
8
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
V
GE
= 10V
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压特性
5
60
共发射极
V
GE
= 15V
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
V
CC
= 300V
负载电流：方波的峰值
4
100A
50
负载电流[ A]
40
3
50A
2
I
C
= 30A
30
20
1
10
0
-50
0
50
100
150
0
占空比： 50 ％
T
C
= 100℃
功耗= 70W
1
10
100
1000
外壳温度，T
C
[℃]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
16
20
共发射极
T
C
= 125℃
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
12
12
8
8
100A
4
I
C
= 30A
0
50A
4
I
C
= 30A
0
0
4
8
100A
50A
12
16
20
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2002仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
SGL50N60RUF牧师A1
SGL50N60RUF
7000
6000
5000
资本投资者入境计划
4000
3000
卓越中心
2000
CRES
1000
0
1
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
1000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
电容[ pF的]
吨
开关时间[ NS ]
Tr
100
10
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
1000
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
10000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 50A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
花花公子
花花公子
宙
开关损耗[ UJ ]
EOFF
Tf
EOFF
1000
Tf
100
10
100
10
100
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 5.9
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1000
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
吨
Tr
100
花花公子
Tf
花花公子
100
Tf
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 5.9
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
10
10
20
40
60
80
100
10
20
40
60
80
100
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2002仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGL50N60RUF牧师A1
SGL50N60RUF
10000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 5.9
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
15
共发射极
R
L
= 6
T
C
= 25℃
V
CC
= 100 V
300 V
EOFF
宙
EOFF
门 - 发射极电压， V [ V]
GE
12
开关损耗[ UJ ]
9
200 V
1000
6
3
100
10
20
40
60
80
100
0
0
30
60
90
120
150
180
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
500
I
C
MAX 。 （脉冲）
100
I
C
MAX 。 （连续）
1
10
直流操作
50us
100us
100
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
10
1
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.3
1
10
100
1000
安全工作区
V
GE
= 20V ，T
C
= 100℃
1
1
10
100
1000
0.1
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开，关闭的SOA特性
热响应， Zthjc [ ℃ / W]
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
PDM
t1
t2
单脉冲
1E-3
10
-5
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
2002仙童半导体公司
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