产品说明
该SGL - 0163是一款高性能的SiGe HBT MMIC低噪声上午
plifier具有1微米发射器为F
T
高达50 GHz 。该装置
具有内部温度补偿电路，允许操
直接从电源电压低至2.5 V的SGL- 0163拥有和灰
被定性为VD = 3 V低功耗4 V为中
电源应用。只有2个隔直电容，偏置电阻，
和一个可选的RF扼流圈，需要从800-1300操作
兆赫。的SGL- 0163的使用范围可以向下延伸至
100 MHz的使用简单的集总元件调整。
在Sirenza的无铅“Z”包雾锡涂层的应用
使用后退火处理，以减轻锡须的形成
并且符合RoHS每欧盟指令2002/95标准。包
体与含有绿色塑封料生产
没有三氧化锑或卤化阻燃剂。
V
S
温度
赔偿金
电路
SGL-0163
SGL-0163Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
100 - 1300 MHz的硅锗
级联低噪声放大器
产品特点
可以在无铅，符合RoHS
绿色包装（Z后缀）
内部匹配至50欧姆800-1300兆赫
高输入/输出截获
低噪声系数： 1.2分贝典型。在900兆赫
低功耗
单电压电源供电
内部温度补偿
RF OUT / V
S
在RF
应用
接收机，GPS
,
RFID
蜂窝，固定无线，陆地移动
符号
参数
频率。
（兆赫）
800
900
1000
800
900
1000
800
900
1000
800
900
1000
900
900
900
9.5
10.0
11.5
分钟。
(V
S
=3V)
典型值。
(V
S
=3V
)
马克斯。
(V
S
=3V)
典型值。
(V
S
=4V)
单位
G
小信号增益
14.0
15.7
15.5
14.1
4.4
5.2
5.6
5.3
7.0
9.0
1.1
1.2
1.2
12.5
15.6
20.9
12.0
255
17.0
16.6
15.8
15.0
9.9
10.1
10.5
12.1
13.4
14.8
dB
P
1dB
在1dB压缩输出功率
输入三阶截点
3.2
分贝米
国际投资头寸
3
音间距= 1兆赫
每个音噘嘴= -13dBm
5.0
分贝米
NF
IRL
ORL
S
12
I
D
R
TH
J-升
噪声系数，Z
S
= 50欧姆
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
器件的电流
热阻（结带领）
1.7
1.6
1.7
1.7
15.7
17.6
20.9
dB
dB
dB
dB
mA
o
14.0
23
C / W
测试条件： 800-1300
MH
应用电路牛逼
领导
= 25C
Z
0
=
Z
L
= 50欧姆
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授权或保证任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的Microdevices公司，公司。保留所有权利世界各地。
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101501 C版本
1
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
SGL - 0163 （ Z） 100-1300兆赫的SiGe低噪声放大器
典型的射频性能在V
S
= 3 V和24 V - 800-1300兆赫评估板 - T的
领导
=+25
°
C
输入IP3与频率
22.0
20.0
18.0
16.0
输入IP3 （ dBm的）
P1dB的（ DBM）
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
800
+3V
+4V
20.0
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
800
的P1dB与频率
+3V
+4V
850
900
950
1000
1050
频率。 （兆赫）
1100
1150
1200
1250
1300
850
900
950
1000
1050
频率。 （兆赫）
1100
1150
1200
1250
1300
SGL - 0163噪声系数
2.0
1.9
1.8
1.7
输出IP3与频率
34.0
32.0
30.0
28.0
输出IP3 （ dBm的）
26.0
24.0
22.0
20.0
18.0
16.0
14.0
800
+3V
+4V
NF（ dB）的
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
800
+3V
+4V
850
900
950
1000
1050
频率。 （兆赫）
1100
1150
1200
1250
1300
850
900
950
1000
1050
频率。 （兆赫）
1100
1150
1200
1250
1300
绝对最大额定值
装置的电压（V
D
）与器件电流（I
D
），过温
对于V负载线
S
= 5伏特，R
B2
= 43
W
和180
W
5.0
V
S
= 5 V ，R
B2
= 43
W
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
S
)
马克斯。
RF输入功率
绝对限制
45
mA
5V
+10 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
4.5
4.0
3.5
V
D
（伏）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
6
11
16
I
D
（MA ）
21
26
V
S
= 5 V ，R
B2
= 180
W
-40°C
+25°C
+85°C
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
领导
)
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
领导
) / R
TH
J-升
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布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101501 C版本
2
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
SGL - 0163 （ Z） 100-1300兆赫的SiGe低噪声放大器
典型的射频性能在V
S
= 3 V - 800-1300兆赫评估板 - T的
领导
=+25
°
C
20
18
16
14
12
10
800
900
1000
1100
1200
1300
|
S
21
|
与频率的关系
-1 0
-1 2
-1 4
-1 6
-1 8
-2 0
800
900
|
S
11
|
与频率的关系
S
21
（ dB）的
S
11
（ dB）的
1000
1100
1200
1300
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
-1 5
-1 7
-1 9
-2 1
-2 3
-2 5
800
900
1000
1100
1200
1300
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
-1 0
-1 4
-1 8
-2 2
-2 6
-3 0
800
900
1000
1100
1200
1300
|
S
12
|
与频率的关系
|
S
22
|
与频率的关系
S
12
（ dB）的
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
S
22
（ dB）的
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
典型的射频性能在V
S
= 4 V - 800-1300兆赫评估板 - T的
领导
=+25
°
C
20
18
16
14
12
10
800
900
1000
1100
1200
1300
|
S
21
|
与频率的关系
-1 0
-1 2
-1 4
-1 6
-1 8
-2 0
800
900
|
S
11
|
与频率的关系
S
21
（ dB）的
S
11
（ dB）的
1000
1100
1200
1300
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
-1 5
-1 7
-1 9
-2 1
-2 3
-2 5
800
900
1000
1100
1200
1300
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
-1 0
-1 4
-1 8
-2 2
-2 6
-3 0
800
900
1000
1100
1200
1300
|
S
12
|
与频率的关系
|
S
22
|
与频率的关系
S
12
（ dB）的
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
S
22
（ dB）的
f重新Q ü简 Y（ M·H Z）
注：可在完整的S参数数据
www.sirenza.com
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3
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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SGL - 0163 （ Z） 100-1300兆赫的SiGe低噪声放大器
800-1300兆赫应用电路
+V
S
注：1脚必须是电浮动。办
不连接到地。提供隔离
焊盘安装的完整性。
应用电路元件值
R
B2
C
D2
C
D1
参考
代号
L
B
价值
33 nH的
厂家专业
urer &
产品型号
TOKO LL1608 - FS27NJ
R
B1
（ OPT ）。
B1
（ OPT ）。
B1
1
1500欧姆FAIR -RITE 2508051527y0
@ 100 MHz的铁氧体磁珠
0.1 uF的
22 pF的
47欧姆
0欧姆
三星CL10B103KBNC
ROHM MCH185AA220DJK
PHILLIPS 9C06031A47R0 JL HFT
PHILLIPS 9C06031A0R00 JL HFT
RF
输入
C
B
3
4
SGL-0163
L
B
RF
产量
C
B
C
B
, C
D 1
C
D2
R
B1
R
B2
1
6
5
2
800-1300兆赫评估电路板
Sirenza的
微型器件
ECB-101761
版本B
注意事项：
1.
B1和R
B1
提供完善
K因子，但是可选的。
2. R
B2
可以引入一个降压电阻与使用
供应电压高于所需的设备的偏置电压。
器件引脚输出指南
针＃
功能
N / C
描述
没有电连接。提供隔离（除非
接地）焊盘安装的完整性。
射频输入引脚。该引脚需要使用一个外部的
隔直电容选用的频率
操作。
电源连接。旁路用合适的
电容器。
连接到地。通路孔尽可能靠近提供
设备接地引线尽可能减少地面
电感和实现最佳的RF性能。
RF输出和电压供给。直流电压存在上
这个引脚，因此隔直电容是必要的
正确操作。
RF
IN
C
B
SGL- 0163
C
B
L
B
R
B1
RF
OUT
1
3
在RF
B1
4
C
D1
C
D2
R
B2
直流偏置
2, 5
地
6
RF OUT /
BIAS
注意：
电路板的介电
材料是GETEK ， ML200C
+V
S
GND
部分标识标记&引脚输出
可靠性&资质信息
参数
ESD额定值 - 人体模型（ HBM ）
湿度敏感度等级
等级
1A级
MSL 1
6 5 4
6 5 4
L3
1 2 3
锡 - 铅
L3Z
1 2 3
无铅
符合RoHS
产品合格报告可道nloaded在
W W w.sirenza.com
订购信息
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
部分
数
SGL-0163
SGL-0163Z
P ackag E / L EAD
作文
锡 - 铅
无铅，符合RoHS标准
鳗鱼
SIZ ê
7"
7"
器件
/ R鳗鱼
3000
3000
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101501 C版本
4
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
SGL - 0163 （ Z） 100-1300兆赫的SiGe低噪声放大器
SOT- 363的PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
焊盘布局
0.026
0.075
注意事项：
1.在器件引脚提供一个接地焊盘面积2 & 5
与通孔连接至PCB地平面镀。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
ments此数据表中的31万做
厚GETEK与两侧1盎司铜。
0.035
0.016
SOT- 363封装标称尺寸
尺寸以英寸[毫米]
链接到SOT -363封装外形全尺寸和图纸
公差可以在www.sirenza.com产品网页上找到。
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101501 C版本
5
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
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