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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第373页 > SGH15N60RUFD
SGH15N60RUFD
IGBT
SGH15N60RUFD
短路额定IGBT
概述
飞兆半导体的RUFD系列绝缘栅双极型的
晶体管（IGBT ）提供低传导和开关
损耗以及短路坚固性。该RUFD
系列是专为应用，如电机控制，
不间断电源（UPS ）和通用变频器
其中，短路耐用是必需的功能。
特点
短路额定10us的@ T
C
= 100℃ ，V
GE
= 15V
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.2 V @ I
C
= 15A
高输入阻抗
CO- PAK ， IGBT与FRD ：吨
rr
= 42ns （典型值）。
应用
交流&直流电机的控制，一般用途的逆变器，机器人和伺服控制。
C
G
TO-3P
克碳ê
E
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
T
SC
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
SGH15N60RUFD
600
±
20
24
15
45
15
160
10
160
64
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
us
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.77
0.7
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2002仙童半导体公司
SGH15N60RUFD牧师A1
SGH15N60RUFD
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 15毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 15A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 24A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
--
6.0
2.2
2.5
8.5
2.8
--
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
948
101
33
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
--
17
33
44
118
320
356
676
20
34
48
212
340
695
1035
--
42
7
17
14
--
--
65
200
--
--
950
--
--
70
350
--
--
1450
--
60
10
24
--
ns
ns
nS
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
us
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 300 V，I
C
= 15A,
R
G
= 13, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 15A,
R
G
= 13, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
@
T
C
=
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
100°C
V
CE
= 300 V，I
C
= 15A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
T
C
= 25°C
I
F
= 15A
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
F
= 15A,
的di / dt = 200 A /美
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
1.4
1.3
42
60
3.5
5.6
80
220
马克斯。
1.7
--
60
--
6.0
--
180
--
单位
V
ns
A
nC
2002仙童半导体公司
SGH15N60RUFD牧师A1
SGH15N60RUFD
50
45
40
共发射极
T
C
= 25℃
20V
45
15V
12V
40
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
集电极电流，I
C
[A]
8
35
30
25
20
15
10
5
0
集电极电流，I
C
[A]
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
V
GE
= 10V
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压特性
4.0
24
共发射极
V
GE
= 15V
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
V
CC
= 300V
负载电流：方波的峰值
3.5
30A
20
3.0
负载电流[ A]
16
2.5
15A
2.0
I
C
= 8A
1.5
12
8
4
1.0
-50
0
50
100
150
0
占空比： 50 ％
T
C
= 100℃
功耗= 25W
0.1
1
10
100
1000
外壳温度，T
C
[℃]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
20
共发射极
T
C
= 125℃
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
12
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
12
8
8
30A
4
I
C
= 7A
0
15A
30A
4
I
C
= 7A
0
0
4
8
12
16
20
15A
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2002仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
SGH15N60RUFD牧师A1
SGH15N60RUFD
1800
1500
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
资本投资者入境计划
电容[ pF的]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 15A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
吨
1200
开关时间[ NS ]
100
Tr
900
卓越中心
600
CRES
300
0
1
10
10
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
1000
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 15A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 15A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
开关损耗[ UJ ]
花花公子
1000
EOFF
宙
EOFF
花花公子
Tf
Tf
100
100
1
10
100
1
10
100
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 13
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 13
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
开关时间[ NS ]
吨
100
开关时间[ NS ]
Tr
花花公子
Tf
花花公子
100
Tf
10
5
10
15
20
25
30
5
10
15
20
25
30
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2002仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGH15N60RUFD牧师A1
SGH15N60RUFD
15
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 13
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
门 - 发射极电压，V
GE
[ V ]
12
共发射极
R
L
= 20
T
C
= 25℃
V
CC
= 100 V
300 V
开关损耗[ UJ ]
EOFF
1000
EOFF
9
200 V
6
宙
3
100
5
10
15
20
25
30
0
0
10
20
30
40
50
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
100
I
C
MAX 。 （脉冲）
50us
100us
1
100
集电极电流，I
C
[A]
10
直流操作
集电极电流，I
C
[A]
I
C
MAX 。 （连续）
10
1
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.1
1
10
100
1000
安全工作区
V
GE
= 20V ，T
C
= 100℃
1
1
10
100
1000
0.1
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开，关闭的SOA特性
热响应， Zthjc [
℃
/W]
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
PDM
t1
单脉冲
1E-3
10
-5
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
2002仙童半导体公司
SGH15N60RUFD牧师A1
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SD253N04S20PBV
S29GL032N90BFIV20
S29GL512P11TFIR12
S71PL129JC0BAI9Z2
SI3210PPQX-EVB
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