SGP04N60,
SGD04N60,
在NPT技术的快速IGBT
75 ％低
E
关闭
相比上一代
加上低传导损耗
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
- 逆变器
NPT -技术600V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力
SGB04N60
SGU04N60
C
G
E
P- TO- 251-3-1 （Ⅰ- PAK ）
(TO-251AA)
P- TO- 252-3-1 （ D- PAK ）
(TO-252AA)
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
P- TO- 263-3-2 （ D -PAK ）
(TO-263AB)
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SGP04N60
SGB04N60
SGD04N60
SGU04N60
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
600V,
T
j
≤
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量，单脉冲
I
C
= 4 A,
V
CC
= 50 V,
R
GE
= 25
,
开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
T
j
,
T
英镑
-55...+150
°C
1)
V
CE
600V
I
C
4A
V
CE （ SAT ）
2.3V
T
j
150°C
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-252AA(DPAK)
TO-251AA(IPAK)
订购代码
Q67040-S4443
Q67040-S4442
Q67041-A4708
Q67040-S4444
符号
V
CE
I
C
价值
600
9.4
4.9
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
19
19
±20
25
V
mJ
t
SC
P
合计
10
50
s
W
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
600V,
T
j
≤
150°C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
Jul-02
SGP04N60,
SGD04N60,
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
SMD版本， PCB上的元件
1)
SGB04N60
SGU04N60
马克斯。值
单位
符号
条件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
TO-251AA
TO-220AB
TO-252AA
TO-263AB
2.5
75
62
50
40
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 5 00
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 4 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 20 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 60 0 V,
V
摹ê
= 0 V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
2)
符号
条件
价值
分钟。
600
1.7
-
3
-
-
-
典型值。
-
2.0
2.3
4
-
-
-
3.1
-
-
-
-
-
-
264
29
17
24
7
40
马克斯。
-
2.4
2.8
5
单位
V
A
20
500
100
-
317
35
20
31
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 0V ,
V
摹ê
=2 0 V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 4 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 48 0 V,
I
C
=4 A
V
摹ê
= 15 V
T O服务 - 22 0A B
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
V
C C
≤
6 0 0 V,
T
j
≤
15 0° C
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区
集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
Jul-02
1)
2
SGP04N60,
SGD04N60,
在NPT技术的快速IGBT
75 ％低
E
关闭
相比上一代
加上低传导损耗
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
- 逆变器
NPT -技术600V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力
SGB04N60
SGU04N60
C
G
E
P- TO- 251-3-1 （Ⅰ- PAK ）
(TO-251AA)
P- TO- 252-3-1 （ D- PAK ）
(TO-252AA)
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
P- TO- 263-3-2 （ D -PAK ）
(TO-263AB)
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SGP04N60
SGB04N60
SGD04N60
SGU04N60
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
600V,
T
j
≤
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量，单脉冲
I
C
= 4 A,
V
CC
= 50 V,
R
GE
= 25
,
开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
T
j
,
T
英镑
-55...+150
°C
1)
V
CE
600V
I
C
4A
V
CE （ SAT ）
2.3V
T
j
150°C
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-252AA(DPAK)
TO-251AA(IPAK)
订购代码
Q67040-S4443
Q67040-S4442
Q67041-A4708
Q67040-S4444
符号
V
CE
I
C
价值
600
9.4
4.9
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
19
19
±20
25
V
mJ
t
SC
P
合计
10
50
s
W
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
600V,
T
j
≤
150°C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
Jul-02
SGP04N60,
SGD04N60,
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
SMD版本， PCB上的元件
1)
SGB04N60
SGU04N60
马克斯。值
单位
符号
条件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
TO-251AA
TO-220AB
TO-252AA
TO-263AB
2.5
75
62
50
40
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 5 00
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 4 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 20 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 60 0 V,
V
摹ê
= 0 V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
2)
符号
条件
价值
分钟。
600
1.7
-
3
-
-
-
典型值。
-
2.0
2.3
4
-
-
-
3.1
-
-
-
-
-
-
264
29
17
24
7
40
马克斯。
-
2.4
2.8
5
单位
V
A
20
500
100
-
317
35
20
31
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 0V ,
V
摹ê
=2 0 V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 4 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 48 0 V,
I
C
=4 A
V
摹ê
= 15 V
T O服务 - 22 0A B
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
V
C C
≤
6 0 0 V,
T
j
≤
15 0° C
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区
集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
Jul-02
1)
2
SGP04N60
SGD04N60
在NPT技术的快速IGBT
75 ％低
E
关闭
相比上一代
C
加上低传导损耗
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
G
E
- 逆变器
NPT -技术600V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
PG-TO-220-3-1
PG- TO- 252-3-1 （ D- PAK ）
- 并行交换能力
(TO-220AB)
(TO-252AA)
无铅镀铅;符合RoHS标准
2
根据JEDEC的目标应用资格
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SGP04N60
SGD04N60
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
600V,
T
j
≤
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量，单脉冲
I
C
= 4 A,
V
CC
= 50 V,
R
GE
= 25
,
开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
焊接温度，
PG- TO- 252 （回流焊， MSL3 ）
其他：从案例波峰焊接， 1.6毫米（ 0.063英寸） 10秒
T
j
,
T
英镑
T
s
-55...+150
260
260
°C
1)
V
CE
600V
600V
I
C
4A
4A
V
CE(sat)150°C
2.3V
2.3V
T
j
150°C
150°C
记号
G04N60
G04N60
包
PG-TO-220-3-1
PG-TO-252-3-11
符号
V
CE
I
C
价值
600
9.4
4.9
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
19
19
±20
25
V
mJ
t
SC
P
合计
10
50
s
W
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
600V,
T
j
≤
150°C
2
1)
J- STD- 020和JESD -022
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
2.2版
9月07
SGP04N60
SGD04N60
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
SMD版本， PCB上的元件
1)
符号
R
thJC
R
thJA
R
thJA
条件
马克斯。值
2.5
单位
K / W
PG-TO-220-3-1
PG-TO-252-3-1
62
50
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 5 00
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 4 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 20 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 60 0 V,
V
摹ê
= 0 V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
2)
符号
条件
价值
分钟。
600
1.7
-
3
-
-
-
典型值。
-
2.0
2.3
4
-
-
-
3.1
-
-
-
-
-
264
29
17
24
7
40
马克斯。
-
2.4
2.8
5
单位
V
A
20
500
100
-
317
35
20
31
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 0V ,
V
摹ê
=2 0 V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 4 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 48 0 V,
I
C
=4 A
V
摹ê
= 15 V
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
V
C C
≤
6 0 0 V,
T
j
≤
1 5 0° C
-
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区
集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
2.2版
9月07
1)
2
QQ：2881677436 复制
