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固态器件, INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-4474 *传真: ( 562 ) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SGB10UFSMS
THRU
SGB35UFSMS
60 MAMP
1000-3500伏
60纳秒
高压
整流器器
产品特点:
超快速恢复: 60纳秒最大
PIV到3500伏特
密封式
无空洞建设
冶金结合
175 ° C最大工作温度
微小型封装
TX , TXV和空间层次屏蔽可用
2/
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
SGB _用友短信__
2/
L
筛选
=无
TX = TX水平
TXV = TXV水平
S =个级别。
L
SMS =表面贴装式广场标签
L
恢复时间
UF =超快
电压
L
10 = 1000 V
15 = 1500 V
20 = 2000 V
25 = 2500 V
30 = 3000 V
35 = 3500 V
电气特性
部分
符号
单位
条件
25°C
PEAK
电压
PIV
平均
纠正
当前
I0
mA
100°C
25°C
最大
反向电流
IR @ PIV
μA
100°C
最大
前锋
电压
VF
4/
25°C
最大
浪涌
当前
(1周期)
IFSM
安培
25°C
最大
反向
恢复
时间
TRR
7/
纳秒
25°C
最大
连接点
电容
CJ
pF
VR = 100V
FT = 1MHZ
° C / W
典型
阻抗
θ
JE
SGB10UFSMS
SGB15UFSMS
SGB20UFSMS
SGB25UFSMS
SGB30UFSMS
SGB35UFSMS
1000
1500
2000
2500
3000
3500
60
60
60
60
60
60
50
50
50
50
50
50
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
10
10
10
10
10
10
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
5
5
5
5
5
5
60
60
60
60
60
60
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
165
165
165
165
165
165
1 /有关订购信息,价格和可用性 - 工厂联系。
2 /筛选基于MIL- PRF- 19500 。筛选根据要求提供流动。
3 /操作和检测超过10,000 V /英寸,可能需要封装或浸泡在合适的介质材料。
4/ I
F
= I
O
;马克斯。正向电压与300μsec最低的正向脉冲测量。
5 /最大值。无铅焊接温度为250 ° C, 3/8“案件从5秒最大。
6 /操作和储存温度: -65 ° C到+ 175 ℃。
7 /反向恢复测试条件: IF = 50mA时IR = 100mA时IRR = 25毫安, TA = 25 ℃。
8 /制造咨询的工作曲线。
表面贴装广场
TAB
注意:
所有规格如有变更,恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查,以释放之前。
数据表# : RV0005E
DOC
固态器件, INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-4474 *传真: ( 562 ) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SGB10UFSMS
THRU
SGB35UFSMS
包装外形:表面贴装广场标签
B
A
暗淡
A
B
C
尺寸
0.090”
0.150”
0.022”
0.002”
最大
0.100”
0.210”
0.028”
––
A
D
C
D
外形尺寸是焊接前。
注意:
所有规格如有变更,恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查,以释放之前。
数据表# : RV0005E
DOC
固态器件, INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-7855 *传真: ( 562 ) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SGB10UFSMS
THRU
SGB35UFSMS
60毫安
1000年 - 3500伏
60纳秒
高压
整流器器
表面贴装
广场标签
设计师的数据表
产品特点:
超快速恢复: 60纳秒最大
PIV到3500伏特
密封
无空洞建设
冶金结合
175
o
C最大工作温度
微小型封装
TX , TXV和空间层次屏蔽可用
1.30
电气charachteristics
部分
符号
单位
条件
SGB10UFSMS
SGB15UFSMS
SGB20UFSMS
SGB25UFSMS
SGB30UFSMS
SGB35UFSMS
PEAK
电压
平均
纠正
当前
最大
反向
当前
最大最大最大最大
典型
浪涌
反向
前锋
连接点
当前
恢复
电压
电容阻抗
(1周期)
时间
PIV
1000
1500
2000
2500
3000
3500
60
60
60
60
60
60
I
0
mA
25
o
C
100
o
C
I
R
@ PIV
A
25
o
C
100
o
C
V
F
2/
25
o
C
I
FSM
安培
25
o
C
t
RR
5/
纳秒
25
o
C
C
J
pF
V
R
= 100V
f
T
= 1MHz的
θ
JE
o
C / W
165
165
165
165
165
165
50
50
50
50
50
50
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
10
10
10
10
10
10
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
5
5
5
5
5
5
60
60
60
60
60
60
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
注意:
所有规格如有变更,恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查,以释放之前。
数据表# : RV0005D
SGB10UFSMS
THRU
SGB35UFSMS
包装外形:短信
固态器件, INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-7855 *传真: ( 562 ) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
尺寸
暗淡
A
B
C
D
.090"
.150"
.022"
.002"
最大
.100"
.210"
.028"
--
外形尺寸是焊接前。
注意事项:
1.运行和测试超过10000 V /英寸,可能需要封装或浸泡在适当的介电材料。
2.
I
F
= I
0
;
最大正向电压与300μsec最低的正向脉冲测量。
3.最大无铅焊接温度为250
o
C, 8"分之3案件从5秒最大。
4.工作和存储温度: -65至+175
o
C.
5.反向恢复测试条件:我
F
= 50mA时我
R
= 100mA时我
RR
= 25毫安,T
A
= 25
o
C.
6.请咨询制造的工作曲线。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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