初步数据表
产品说明
Sirenza的Microdevices的SGB - 2433是一款高性能的SiGe HBT
MMIC放大器采用达林顿配置与有源偏置
网络。有源偏置网络提供稳定的电流过温
自命测试过程中的变化。设计直接从3V到运行
5V供应SGB- 2433不需要降电阻相比
典型的达林顿放大器。这个强大的放大器具有A级
1C ESD额定值，低热阻，并无条件稳定。该
SGB - 2433产品是专为高线性3V增益模块的应用
要求小尺寸和最少的外部元件系统蒸发散。它是上
芯片匹配50欧姆和外部偏置电感扼流圈是必需的
为应用频段。
本产品可在符合RoHS和绿色封装
雾锡完成，按“ Z”包后缀指定。
SGB-2433
SGB-2433Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC - 4 GHz有源偏置增益模块
产品特点
功能框图
可以在无铅，符合RoHS标准， &
绿色包装
高可靠性的SiGe HBT技术
强大的类1C ESD防静电
简单，体积小
的P1dB = 6.9 dBm的@ 1950MHz
IP3 = 18.0 dBm的@ 1950MHz
低热阻= 221℃ / W
NC
NC
活跃
BIAS
NC
NC
RFOUT
VBIAS
VCC
NC
NC
RFIN
NC
NC
应用
3V电池供电的应用
LO缓冲放大器
射频预驱动器和RF接收通路
关键的特定连接的阳离子
符号
f
O
S
21
参数：测试条件
Z
0
= 50Ω, V
CC
= 3.0V ， IC = 25毫安， T = 30℃ ）
操作的频率
小信号增益 - 850MHz的
小信号增益 - 1950MHz
小信号增益 - 2400MHz的
在1dB压缩输出功率 - 850MHz的
P
1dB
在1dB压缩输出功率 - 1950MHz
在1dB压缩输出功率 - 2400MHz的
输出IP3 - 850MHz的
OIP3
输出IP3 - 1950MHz
输出IP3 - 2400MHz的
IRL
ORL
Ic
NF
R
次，J -升
输入回波损耗@ 1950MHz
输出回波损耗@ 1950MHz
当前
噪声系数@ 1950MHz
热阻（结 - 铅）
dB
dB
mA
dB
摄氏度/ W
10
10
21
dB
16.0
DBM
5.4
dB
15.7
单位
兆赫
分钟。
DC
19.1
17.2
16.2
7.7
6.9
6.2
19.5
18.0
18.0
13.4
13.6
25
3.5
221
29
4.5
18.7
典型值。
马克斯。
4000
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303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
GND
NC
NC
NC
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS- 103083版本G
初步数据表
SGB - 2433 DC - 4GHz的有源偏置增益模块
详细性能表： VCC = 3V ， IC = 25毫安， T = 25℃ ， Z = 50欧姆
符号
G
OIP3
P1dB
IRL
ORL
S12
NF
参数
小信号增益
输出3阶截取点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
单位
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
25.0
20.5
22.4
3.8
100MHz
19.7
500MHz
19.5
20.0
8.3
19.9
18.9
22.6
3.2
850MHz
19.1
19.5
7.7
17.1
17.1
22.9
3.2
1950MHz
17.2
18.0
6.9
13.4
13.6
23.7
3.5
2400MHz
16.2
18.0
6.2
12.7
13.1
23.9
3.9
10.5
13.0
24.5
4.3
3500MHz
14.0
引脚输出说明
针＃
1,2,4, 6,
7,8,11,
12,14
3
5
10
13
16
后台
SIDE
功能
NC
RFIN
GND
RFOUT
VBIAS
VCC
GND
描述
这些是无连接的引脚。让他们在PC板上无关。
射频输入引脚。直流电压不应在外部连接到该引脚
一个额外的接地引脚，其连接到所述背面焊盘裸露。连接是可选的。
RF输出引脚。偏压被施加到所述达林顿阶段通过这个引脚。
该引脚源从有源偏置电路的电流。连接到引脚10通电感扼流圈。
这为Vcc的有源偏置电路。
背面的裸露焊盘是其主要的电气接地，需要在PC板上GND多个过孔。它
也是主要的散热路径。
简化的设备示意图
注意： ESD敏感
13
16
15
14
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
绝对最大额定值
参数
价值
60
5
0.2
-40至+85
20
-40到+150
+150
单位
mA
V
W
C
DBM
C
C
1
2
活跃
BIAS
电流（IC数量）
12
11
10
装置的电压（V
D
)
功耗
操作焊接温度（T
L
)
RF输入功率
存储温度范围
工作结温（T
J
)
3
4
9
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
5
6
7
8
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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SGB - 2433 DC - 4GHz的有源偏置增益模块
评估板数据（VCC = V
BIAS
= 3.0V ，我
c
= 25毫安）偏置T恤代替直流馈电电感（ L1 ）
增益与频率
21.0
20.0
19.0
18.0
17.0
16.0
15.0
14.0
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
+25c
+85c
-40c
OIP3与频率的关系
22.0
20.0
OIP3 （ dBm的）
18.0
增益（dB ）
16.0
+25c
14.0
+85c
0c
12.0
-20c
-40c
10.0
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
的P1dB与频率的关系
10.0
9.0
8.0
7.0
5.0
6.0
噪声系数与频率的关系
噪声系数（dB ）
P1dB的（ DBM）
4.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0.4
0.9
1.4
1.9
2.4
+25c
+85c
0c
-20c
-40c
3.0
+25c
2.0
+85c
-40c
1.0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
IC与tem温度
0.040
0.0300
0.0280
0.0260
电流与电压
0.035
0.030
0.025
IC （MA ）
0.0240
0.0220
0.0200
0.0180
IC （ A）
+
85c
+
25c
0c
-20c
-40c
0.020
0.015
0.010
0.005
0.0160
0.000
2.4
2.6
2.8
3.0
3.2
3.4
3.6
3.8
tem温度
VC （伏特）
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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SGB - 2433 DC - 4GHz的有源偏置增益模块
评估板数据（VCC = V
BIAS
= 3.0V ，我
c
= 25毫安）偏置T恤代替直流馈电电感（ L1 ）
L S
21
L比频率
22.0
20.0
18.0
16.0
+25c
+85c
-10.0
0.0
L S
11
L比频率
-5.0
S
21
（ dB）的
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
S
11
（ dB）的
-40c
-15.0
-20.0
+25c
+85c
-25.0
-40c
-30.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
L S
12
L比频率
-20.0
-21.0
+25c
-22.0
+85c
-5.0
0.0
L S
22
L比频率
+25c
+85c
-40c
S
12
（ dB）的
-23.0
-24.0
-25.0
S
22
（ dB）的
6.0
-40c
-10.0
-15.0
-20.0
-26.0
-27.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
-25.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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初步数据表
SGB - 2433 DC - 4GHz的有源偏置增益模块
典型的评估板电路图为3.0V
VCC
C4
C3
VCC
NC
NC
NC
NC
VBIAS
NC
NC
RFOUT
NC
L1
RFIN
C1
RFOUT
C2
RFIN
NC
GND
选项
NC
NC
NC
评估板 -
板材料GETEK ， 31mil厚，DK = 4.2 ， 1盎司铜
C4
元件值由乐队
代号
C3
C4*
C1, C2
500MHz
1000pF
1uF
220pF
68 nH的
850MHz
1000pF
1uF
68pF
33nH
1950MHz 2400MHz的
1000pF
1uF
43pF
22nH
1000pF
1uF
22pF
18nH
C3
1
L1
L1
C2
C1
* C4是可选的取决于应用和筛选。不
所需SGB设备操作。
注意：
该放大器可在5V电源，只需运行
插入一个82欧姆的电阻器串联的Vcc 。
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