初步
产品说明
Sirenza的Microdevices的SGA- 9289是一种高性能的晶体管
设计用于操作至3千兆赫。随着在2 GHz的最佳匹配，
OIP3 = 42.5 dBm的P1dB为和= 27.5 dBm的。这个RF装置是根据
硅锗异质结双极晶体管（ SiGe半导体
HBT）的过程。在SGA - 9289是具有成本效益的应用
需要高线性度，即使在中等偏水平。这是非常
适合于工作在5V和3V 。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了后
退火处理，以减轻锡须的形成和符合RoHS
每个符合欧盟指令2002/95 。这个包还
与不含绿色塑封料生产
三氧化二锑，也没有卤化阻燃剂。
SGA-9289
SGA-9289Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
中功率分立SiGe半导体晶体管
产品特点
提供符合RoHS标准的绿色环保包装
50-3000 MHz工作
42.5 dBm的输出继电器IP3典型在1.96 GHz的
12.0分贝典型增益为1.96 GHz的
27.5 dBm的P1dB的典型在1.96 GHz的
2.4分贝NF典型的0.9 GHz的
高性价比
3-5 V操作
典型的Gmax的， OIP3 ， P1dB为@ 5V ， 270毫安
25
23
21
19
44
OIP3
42
38
36
17
15
13
11
9
7
5
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
GMAX
OIP3 ， P1dB为（ DBM）
40
的Gmax （ dB）的
34
32
30
28
26
24
应用
无线基础设施驱动放大器
CATV放大器
无线数据， WLL放大器
AN- 022包含详细的应用电路
P1dB
频率（GHz ）
符号
测试频率
器件特性， T = 25℃
[1] 100 ％测试
V
CE
= 5V ，我
CQ
= 280毫安（除非otherw ISE说明）
[2 ]试样测试
最大可用增益
Z
S
=Z
S
*, Z
L
=Z
L
*
功率增益
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
输出1dB压缩点
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
输出三阶截点
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
, P
OUT
= +13 dBm的每个音
噪声系数
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
热阻（结到铅）
工作电压（集电极 - 发射极）
工作电流
F = 900兆赫
F = 1960 MHz的
F = 900MHz的[1]
F = 1960兆赫[2]
F = 900兆赫
F = 1960兆赫[2]
F = 900兆赫
F = 1960兆赫[2]
F = 900兆赫
F = 1960 MHz的
单位
分钟。
典型值。
20.5
13.1
马克斯。
G
最大
G
P 1分贝
OIP
3
NF
B V
EO
h
FE
RTH
V
CE
I
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
V
7.5
100
摄氏度/ W
V
mA
250
16.2
11.0
26.0
40.0
17.7
12.0
28.0
27.5
42.0
42.5
2.4
2.5
8.5
180
32
19.2
13.0
300
5.5
280
320
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司不承担任何责任
对于使用这些信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何的
本文所述电路暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2005 Sirenza的Microdevices公司，公司。保留所有权利世界范围内。
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布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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EDS- 101498版本G
SGA - 9289中功率分立硅锗晶体管
最大推荐工作
耗散功率
绝对限制
10毫安
400毫安
总消耗的功率（ W）
绝对最大额定值
参数
最大基极电流（I
B
)
设备的最大电流（I
CE
)
最大集电极 - 发射极电压（V
首席执行官
)
最大集电极 - 基极电压（V
CBO
)
最大发射极 - 基极电压（V
EBO
)
马克斯。结温。 （T
J
)
工作温度RANGE （T
L
)
马克斯。储存温度。
*注意：
负载条件下，Z
L
= 50欧姆
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-40
-10
20
50
80
110
140
导致激烈进行温度（ C）
操作限制（ Tj<130C ）
7V
20 V
4.8 V
+150°C
请参阅图表
+150°C
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备
电压和电流必须不超过最大工作值
1页表中指定。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
T
L
=T
领导
典型表现 - 工程应用电路（见AN- 022 ）
频率
（兆赫）
945
1960
2140
2440
1
V
CE
(V)
5
5
5
5
I
CQ
（MA ）
287
292
293
287
P1dB的OIP3
1
（ dBm的）（ dBm的）
27.8
27.5
27.7
27.5
42.0
42.0
42.0
42.0
收益
（ dB）的
17.8
12.1
11.1
9.8
S11
（ dB）的
-19
-24
-11
-17
S 22
（ dB）的
-11
-21
-20
-20
NF
（ dB）的
2.5
2.5
2.8
3.0
Z
SOPT
( )
2.93 - j3.92
4.75 - j9.12
4.30 - j9.09
4.05 - j13.78
Z
LOPT
( )
15.81 + j1.57
10.3 - j4.87
13.4 + j2.31
11.76 - j9.2
P
OUT
=每口气+13 dBm的为V
CE
= 5V ， 1 MHz的音调间隔
频率
（兆赫）
945
1960
2440
2
V
CE
(V)
3
3
3
I
CQ
（MA ）
312
315
315
P1dB的OIP3
2
（ dBm的）（ dBm的）
25.4
26.0
26.1
38.6
39.3
38.0
收益
（ dB）的
16.8
11.0
9.4
S11
（ dB）的
-18
-18
-29
S 22
（ dB）的
-9
-15
-17
NF
（ dB）的
2.6
2.9
3.4
Z
SOPT
( )
5.61 - j4.75
3.23 - j5.67
4.07 - 14.25
Z
LOPT
( )
6.51 + j2.58
4.95 + j1.73
11.62 - j11.83
P
OUT
=每口气+10 dBm的为V
CE
= 3V ， 1 MHz的音调间隔
以上数据体现在应用笔记AN- 022指出，应用电路典型表现。请参考应用笔记
额外的RF数据，PCB布局，并为每个应用电路材料明细表。本应用笔记还包括偏置说明
等重点需要考虑的问题。有关最新的应用笔记，请访问我们的网站： www.sirenza.com或致电当地
销售代表。
C
B
Z
LOPT
Z
SOPT
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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EDS- 101498版本G
2
SGA - 9289中功率分立硅锗晶体管
去嵌入S参数（Z
S
=Z
L
= 50欧姆，V
CE
= 5V ，我
CQ
= 270毫安， 25
°
C)
插入增益&隔离
45
0
隔离
插入增益与温度
25
20
-12
-24
-36
增益Gmax的（ dB）的
35
25
15
5
收益
隔离度（dB ）
增益（dB ）
15
10
5
0
-5
T = -40 ， 25 ， 85°C
GMAX
-48
-60
-5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
频率（GHz ）
S11与频率
1.0
0.5
频率（GHz ）
S22与频率
1.0
2.0
0.5
2.0
5 GHz的
4 GHz的
3 GHz的
0.2
8 GHz的
5.0
0.2
5 GHz的
4 GHz的
3 GHz的
2 GHz的
8 GHz的
5.0
2 GHz的
1 GHz的
0.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
INF
0.0
1 GHz的
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
INF
50兆赫
S11
0.2
5.0
0.2
S22
50兆赫
5.0
0.5
2.0
0.5
2.0
1.0
1.0
注意： S参数去嵌入到设备导致以Z
S
=Z
L
= 50Ω 。该数据表示该装置的典型的服务表现。
去嵌入S参数可以从我们的网站下载（ www.sirenza.com ） 。
700
600
500
DC -IV曲线
I
C
（MA ）
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
I
b
= 0.2 - 2.0毫安， 0.2毫安步骤
T=25
°
C
V
CE
(V)
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