【产品说明SGA-7489Sirenza的微器件？ SGA- 7489是一种高性能的SiGe异质结双极】,IC型号SGA-7489_1,SGA-7489_1 PDF资料,SGA-7489

产品说明

SGA-7489

Sirenza的微器件？ SGA- 7489是一种高性能的SiGe

异质结双极晶体管MMIC放大器。达林顿

配置具有1微米的发射器提供了高氟

和

出色的散热性能。异质结增加

击穿电压和最小化之间的漏电流

路口。的发射结的非线性结果取消

在较高的抑制互调产物。

基本电路的操作实现，只需单电源供电

电压，直流阻塞和旁路电容，偏置电阻，

和一个偏置电感。简单的电容调谐可用于

延续高OIP3性能达到2GHz 。

增益，回波损耗和隔离与频率的关系

= 5.0V ，我

= 115毫安（典型值），T

领导

=+25C

DC -3000 MHz的硅锗

HBT可级联增益模块

产品特点

DC -3000 MHz工作

非常高IF输出IP3 ： 39dBm在100MHz

高输出IP3 ： 35.5 dBm的典型值。在850兆赫

低噪声系数：3.3 dB典型值。在1950年兆赫

应用

振荡器放大器

PA的低/中功率应用

IF / RF缓冲放大器

司机CATV放大器

LO驱动器放大器

分钟。

18.5

TY页。

22.4

20.0

39.0

35.5

33.0

36.0 *

21.5

18.5

3000

1950

4.7

103

10.3

9.0

15.0

11.0

23.0

3.3

5.0

115

4.3

5.3

127

收益

增益（dB ）

输入反射

损失

-10

隔离

产量

回波损耗

-15

-20

-25

500

1000

1500

2000

2500

-30

3000

频率（MHz）

SY mbol

1dB

参数

输出电网在1dB压缩

回波损耗&隔离度（dB ）

-5

频率。（兆赫）

850

1950

100

850

1950

1950 *

850

1950

马克斯。

单位

DBM

OIP

输出三阶截点

*使用2 GHz的App.Ckt 。（见第5页）

31.0

20.0

17.0

DBM

Bandw ID

IRL

ORL

J-升

小信号增益

通过回波损耗确定（ >9分贝）

输入回波损耗

输出回波损耗

反向隔离

噪声系数，Z

= 50欧姆

器件工作电压

器件工作电流

热阻（结 - 铅）

23.0

20.0

M赫兹

C / W

测试条件：

= 8 V

= 115毫安典型。

偏置电阻= 26欧姆

OIP

音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的

= 25C

= Z

= 50欧姆

注：在初步数据表中的推荐工作电流为130毫安。补充测量有

因为显示115毫安导致过温最佳的RF性能的工作电流。继续操作

在130毫安是可靠的，但是，推荐工作电流已更改为115毫安。

本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任

这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都

522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085

电话：（ 800 ） SMI- MMIC

http://www.sirenza.com

EDS - 101801 C版本

初步

SGA - 7489 DC -3000 MHz的硅锗放大器

在重点工作频率典型RF性能

SY mbol

参数

单位

100

频率

频率（MHz）

频率（MHz）（ MHz）的

500

850

1950

2400

OIP

1dB

IRL

ORL

小信号增益

输出三阶截点

输出电网在1dB压缩

输入回波损耗

输出回波损耗

反向隔离

噪声系数

DBM

23.0

39.0

22.8

13.5

19.5

26.0

2.7

22.5

36.5

22.6

14.5

17.0

25.5

2.7

21.5

35.5

22.4

15.5

14.5

25.0

2.8

18.5

33.0

20.0

15.0

11.0

23.0

3.3

17.0

32.2

19.0

13.5

10.5

22.0

测试条件：

= 8 V

= 115毫安典型。

偏置电阻= 26欧姆

OIP

音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的

= 25C

= Z

= 50欧姆

*注： + 36dBm的1950 MHz的OIP3使用第5页上显示的调谐电路来实现的。

噪声系数对频率随温度

= 5.0V ，我

= 115 mA（典型值），在T

领导

=+25°C

绝对最大额定值

参数

马克斯。

器件的电流

)

马克斯。

设备

电压（V

)

马克斯。

RF输入电网

: Z

= 50欧姆

马克斯。

RF输入电网：

负载电压驻波比= 10 ：1 *

马克斯。

结温

. (T

)

工作温度

。范围（T

)

绝对限制

5.0

4.5

4.0

+16 dBm的

+2 dBm的

+150°C

-40 ° C至+ 85°C

+150°C

NF（ dB）的

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

500

1000

1500

2000

马克斯。

储存温度

领导

-40C

+25C

+85C

perat IO noft他去VIC ebeyo找到一个纽约 NE经常被他瑟限制马云YCA我们发送

永久性损坏。对于连续可靠运行，该设备的电压

必须不超过5.3V和器件电流不能超过143毫安。

偏置条件也应该满足如下荷兰国际集团表示：

< （T

- T

) / R

J-升

*注：考虑到带外负载VSWR用的设备呈现

例如SAW滤波器，以确定最大RF输入POW ER 。反射的

谐波含量饱和度都显著。

频率（MHz）

OIP

与频率随温度

= 5.0V ，我

= 115 mA（典型值），在T

领导

=+25°C

1dB

与频率随温度

= 5.0V ，我

= 115 mA（典型值），在T

领导

=+25°C

40.0

38.0

36.0

26.0

24.0

22.0

OIP

（ dBm的）

34.0

32.0

30.0

28.0

26.0

500

1000

1500

1dB

（ dBm的）

-40C

+25C

+85C

+ 25°C调谐电路

20.0

18.0

16.0

14.0

12.0

领导

500

1000

1500

2000

-40C

+25C

+85C

2000

2500

频率（MHz）

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初步

SGA - 7489 DC -3000 MHz的硅锗放大器

典型的射频性能过热

（偏置： V

= 8.0 V，偏置电阻= 26欧姆，我

= 115 mA）的

与频率的关系

-5

-10

| （ dB）的

+25°C

-40°C

+85°C

-15

-20

500

1000

1500

2000

频率（MHz）

-25

-30

500

1000

1500

2000

频率（MHz）

+25°C

-40°C

+85°C

2500

3000

2500

3000

与频率的关系

-10

-5

与频率的关系

-15

-10

| （ dB）的

-20

-15

-20

-25

-30

500

1000

1500

2000

频率（MHz）

+25°C

-40°C

+85°C

-25

-30

500

1000

1500

2000

频率（MHz）

+25°C

-40°C

+85°C

2500

3000

2500

3000

注：可在完整的S参数数据

www.sirenza.com

与V

随温度变化

供应

= 8 V ，偏置电阻= 26欧姆

150

140

130

120

+25°C

V剧情

与温度。 @我

= 115毫安

5.3

5.2

（伏）

+85°C

5.1

5.0

4.9

4.8

4.7

-40

（MA ）

110

100

4.70

-40°C

4.80

4.90

5.00

（伏）

5.10

5.20

5.30

-15

温度（℃）

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初步

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基本应用电路

BIAS

1 uF的

1000

最不发达国家

应用电路元件值

参考

代号

频率（MHz）

100

500

850

1950

2400

BIAS

感应器

1000 pF的

100 pF的

470 nH的

220 pF的

100 pF的

68 nH的

100 pF的

68 pF的

33 nH的

68 pF的

22 pF的

22 nH的

56 pF的

22 pF的

18 nH的

在RF

SGA-7489

RF OUT

所需的偏置电阻为我

=115mA

偏置电阻= R

BIAS

+ R

最不发达国家

= ( V

-V

) / I

电源电压（V

)

偏置电阻

12 V

BIAS

GND 。

1 uF的

1000 pF的

偏置电阻提高了电流的温度稳定性。

安装说明

1.焊铜焊盘上的背面

器件封装到接地平面。

2.使用带有镀很多大接地焊盘面积

通孔，如图所示。

3.我们推荐1或2盎司铜。测量

此数据表上的31密耳厚的FR -4制作

板两侧1盎司铜。

A74

针＃

功能

在RF

描述

射频输入引脚。该引脚需要使用

外部DC阻塞电容器的

选择用于操作的频率。

连接到地。为了达到最佳的RF

性能，通路孔尽量接近用

接地引线尽可能减少铅

电感。

一部分标识标记

该部分将被打上一个？ A74 ？标志上

包装件的顶表面上。

2, 4

GND

A74

RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是

BIAS

目前该引脚上，因此DC

阻塞电容器是必要的

正确的操作。

在搬运，包装适当的预防措施

和测试设备必须得到遵守。

注意： ESD敏感

产品型号订购信息

产品型号

SGA-7489

带尺寸

13"

设备/卷

3000

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2GHz的应用电路

+8V

2 GHz的应用电路

组件值

参考

代号

价值

100 pF的

1.2 pF的

1.5 pF的

0.1 uF的

22 nH的

27欧姆，

1/2 W

610欧姆

1/4 W

MANUF 。

ROHM

TOKO

ROHM

P / N

MCH185A101JK

MCH185A1R2JK

MCH185A1R5JK

MCH182FN1042K

LL1608FS22NJ

键入MRC 50

键入MRC 18

, C

50欧姆

14.5度@

2GHz

50欧姆

34.1度@

2GHz

SGA-

7489

50欧姆

34.1度@

2GHz

OUT

注：通过对孔之间的间隔距离

董事会代表约。 5.4度的相移@

2GHz的上微带等效距离。

板材料

是GETEK ， E = 4.1

增益，回波损耗和隔离与频率的关系

A74

输出反射

损失

-5

-10

-15

输入反射

损失

-20

-25

-30

3000

隔离

500

1000

1500

频率（MHz）

2000

2500

在调谐2GHz的应用电路典型的射频性能

SY mbol

参数

单位

频率

频率（MHz）（ MHz）的（ MHz）的

1700

1950

2100

OIP

1dB

IRL

小信号增益

输出三阶截点

输出电网在1dB压缩

输入回波损耗

反向隔离

噪声系数

DBM

18.6

36.1

20.8

23.8

3.1

18.3

36.0

20.4

11.2

23.0

3.3

18.2

34.5

19.9

16.3

22.1

3.7

= 8 V

= 115毫安典型。

= 80毫安典型。

测试条件：

= 8 V

测试条件：

偏置电阻

BIAS

= 39欧姆= 26

欧

中T = 25℃

OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的

OIP

音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的

= 25C

= Z

= 50欧姆

= Z

= 50欧姆

522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085

电话：（ 800 ） SMI- MMIC

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EDS - 101801 C版本

回波损耗&隔离度（dB ）

GND 。

= 5.0V ，我

= 115毫安（典型值），在T

领导

=+25C

收益

增益（dB ）