产品说明
在SGA - 7489是一款高性能的SiGe HBT
MMIC放大器。达林顿电路配置具有
1微米发射器提供了高FT和优秀
热性能比较。异质结增加
击穿电压和减少漏电流
路口之间。发射结取消
非线性导致更高的抑制
互调产物。只有2的隔直流钙
pacitors ，偏置电阻器和一个可选的RF扼流圈
所需的操作。
在Sirenza的无铅封装雾锡完成
利用后退火处理，以减轻锡whis-
KER形成并符合RoHS欧盟每个方向合规
略去2002/95 。这个包还制造
与不包含AN-绿色塑封料
timony三氧化二砷，也没有卤化阻燃剂。
增益，回波损耗和隔离与频率的关系
30
25
20
增益（dB ）
15
10
5
隔离
产量
回波损耗
SGA-7489
SGA-7489Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC -3000 MHz的硅锗
HBT可级联增益模块
产品特点
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
DC -3000 MHz工作
甚高IF输出IP3 ： 39dBm在100MHz
高输出IP3 ： 35.5 dBm的典型值。在850兆赫
低噪声系数：3.3 dB典型值。在1950年兆赫
回波损耗&隔离度（dB ）
V
D
= 5.0V ，我
D
= 115毫安（典型值） ，T
领导
=+25C
0
收益
-5
输入反射
损失
-10
-15
应用
振荡器放大器
PA的低/中功率应用领域
IF / RF缓冲放大器
用于CATV放大器驱动器
LO驱动器放大器
频率。 （兆赫）
850
1950
100
850
1950
1950 *
850
1950
分钟。
18.5
典型值。
22.4
20.0
39.0
35.5
33.0
36.0 *
21.5
18.5
3000
1950
1950
1950
1950
4.7
103
10.3
9.0
15.0
11.0
23.0
3.3
5.0
115
82
4.3
5.3
127
o
-20
-25
0
0
500
1000
1500
2000
2500
-30
3000
频率（MHz）
符号
P
1dB
参数
输出电网在1dB压缩
马克斯。
单位
DBM
OIP
3
输出三阶截点
*使用2 GHz的App.Ckt 。 （见第5页）
31.0
20.0
17.0
DBM
S
21
Bandw ID
IRL
ORL
S
12
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
小信号增益
通过回波损耗确定（ >9分贝）
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数，Z
S
= 50欧姆
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结 - 铅）
23.0
20.0
dB
兆赫
dB
dB
dB
dB
V
mA
C / W
测试条件：
V
S
= 8 V
I
D
= 115毫安典型。
偏置电阻= 26欧姆
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
T
L
= 25C
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
注：在初步数据表中的推荐工作电流为130毫安。补充测量，此后显示
该115毫安的运转电流导致在整个温度范围内最佳的RF性能。在130毫安继续运行可靠，
然而，推荐工作电流已更改为115毫安。
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303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 101801版D
SGA - 7489 DC -3000 MHz的硅锗放大器
初步
在重点工作频率典型RF性能
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
符号
参数
单位
100
500
850
1950
2400
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
23.0
39.0
22.8
13.5
19.5
26.0
2.7
22.5
36.5
22.6
14.5
17.0
25.5
2.7
21.5
35.5
22.4
15.5
14.5
25.0
2.8
18.5
33.0
*
20.0
15.0
11.0
23.0
3.3
17.0
32.2
19.0
13.5
10.5
22.0
测试条件：
V
S
= 8 V
I
D
= 115毫安典型。
偏置电阻= 26欧姆
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
T
L
= 25C
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
*注： + 36dBm的1950 MHz的OIP3使用第5页上显示的调谐电路来实现的。
绝对最大额定值
噪声系数对频率随温度
V
D
= 5.0V ，我
D
= 115 mA（典型值），在T
领导
=+25°C
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
: Z
L
= 50欧姆
马克斯。
RF输入功率：
负载电压驻波比= 10 ：1 *
马克斯。
结温
. (T
J
)
绝对限制
1
70
mA
5.0
4.5
4.0
7V
+16 dBm的
+2 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
NF（ dB）的
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0
500
1000
1500
2000
工作温度
。范围（T
L
)
马克斯。
储存温度
.
-40C
+25C
+85C
T
领导
perat IO noft他去VIC ebeyo找到一个纽约 NE经常被他瑟限制马云YCA我们发送
永久性损坏。对于连续可靠运行，该设备的电压
必须不超过5.3V和器件电流不能超过143毫安。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
*注：考虑到带外负载VSWR用的设备呈现
例如SAW滤波器，以确定最大RF输入功率。反射的
谐波含量饱和度都显著。
频率（MHz）
OIP
3
与频率随温度
V
D
= 5.0V ，我
D
= 115 mA（典型值），在T
领导
=+25°C
P
1dB
与频率随温度
V
D
= 5.0V ，我
D
= 115 mA（典型值），在T
领导
=+25°C
40.0
38.0
36.0
26.0
24.0
22.0
OIP
3
（ dBm的）
34.0
32.0
30.0
28.0
26.0
0
500
1000
1500
P
1dB
（ dBm的）
-40C
+25C
+85C
+ 25°C调谐电路
20.0
18.0
16.0
-40C
T
领导
14.0
12.0
T
领导
0
500
1000
1500
2000
+25C
+85C
2000
2500
2500
频率（MHz）
频率（MHz）
303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO ， 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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SGA - 7489 DC -3000 MHz的硅锗放大器
初步
典型的射频性能过热
（偏置： V
S
= 8.0 V，偏置电阻= 26欧姆，我
D
= 115 mA）的
|
S
|
与频率的关系
21
|
S
|
与频率的关系
11
30
0
-5
24
-10
|S
21
| （ dB）的
18
|S
11
| （ dB）的
+25°C
-40°C
+85°C
-15
-20
12
T
L
6
0
500
1000
1500
2000
频率（MHz）
-25
-30
T
L
0
500
1000
1500
2000
频率（MHz）
+25°C
-40°C
+85°C
2500
3000
2500
3000
|
S
|
与频率的关系
12
|
S
|
与频率的关系
22
-10
0
-5
-15
-10
|S
12
| （ dB）的
|S
22
| （ dB）的
-20
-15
-20
-25
T
L
-30
0
500
1000
1500
2000
频率（MHz）
+25°C
-40°C
+85°C
-25
-30
3000
0
500
T
L
1000
1500
2000
频率（MHz）
+25°C
-40°C
+85°C
2500
2500
3000
注：可在完整的S参数数据
www.sirenza.com
I
D
与V
D
随温度变化
V
供应
= 8 V ，偏置电阻= 26欧姆
150
140
130
120
+25°C
V剧情
D
与温度。 @我
D
= 115毫安
5.3
5.2
V
D
（伏）
+85°C
5.1
5.0
4.9
I
D
（MA ）
110
100
90
80
4.70
-40°C
4.8
4.7
-40
4.80
4.90
5.00
V
D
（伏）
5.10
5.20
5.30
-15
10
35
60
85
温度（℃）
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3
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SGA - 7489 DC -3000 MHz的硅锗放大器
初步
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
V
S
I
D
C
D
R
最不发达国家
L
C
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
100
500
850
1950
2400
BIAS
感应器
C
B
C
D
L
C
1000 pF的
100 pF的
470 nH的
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-7489
3
2
V
D
RF OUT
C
B
所需的偏置电阻为我
D
=115mA
偏置电阻= R
BIAS
+ R
最不发达国家
= ( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
偏置电阻
7V
17
8V
26
9V
35
12 V
61
V
S
R
BIAS
GND 。
1 uF的
1000 pF的
偏置电阻提高了电流的温度稳定性。
安装说明
1.焊铜焊盘上的背面
器件封装到接地平面。
2.使用带有镀很多大接地焊盘面积
通孔，如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
A74
L
C
C
D
C
B
C
B
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。为了达到最佳的RF
性能，通路孔尽量接近用
接地引线尽可能减少铅
电感。
一部分标识标记
4
4
2, 4
GND
A74
2
A74Z
3
3
3
1
2
3
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
1
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
1
2
产品型号订购信息
产品型号
带尺寸
设备/卷
请参阅应用笔记AN- 075
对于封装外形图
SGA-7489
SGA-7489Z
13"
13"
3000
3000
303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO ， 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS - 101801版D
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