产品说明
在SGA - 6589是一款高性能的SiGe HBT MMIC
功放。达林顿电路配置具有1微米
发射器提供了高氟
T
和优异的热
性能比较。异质结增加击穿
电压和最大程度地减少junc-之间的泄漏电流
系统蒸发散。的发射结的非线性取消
导致更高的抑制交调的
UCTS 。只有2个隔直电容，偏置电阻和
一个可选的RF扼流圈所需的操作。
在Sirenza的无铅封装泌尿道感染，雾锡完成
lizes后退火处理，以减轻锡晶须
形成并符合RoHS每欧盟2002标准/
95.这个包还生产绿色模具 -
荷兰国际集团是不含三氧化锑化合物也
卤化阻燃剂。
获得&回波损耗与频率的关系
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80 mA（典型值）
32
收益
IRL
ORL
SGA-6589
SGA-6589Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC -3500兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
高增益：20分贝1950年兆赫
可级联50欧姆
工作在单电源
低热阻封装
0
回波损耗（分贝）
24
增益（dB ）
-10
16
-20
应用
PA驱动放大器
8
-30
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-40
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
??无线数据，卫星
ü尼特
dB
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
分钟。
23.0
典型值。
25.5
20.0
18.2
21.5
19.0
32.5
32.0
4000
1950年兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
4.5
72
13.1
9.2
3.0
4.9
80
97
5.3
88
马克斯。
28.1
S ymbol
G
P ARAMETER
S商城S I gnal盖
P
1dB
OIP
3
B andwi嗞
在1分贝C输出P奥尔ompressi上
输出氏三阶截P OI新台币
etermi斯内德通过回波损耗（ >9分贝）
输入回波损耗
输出回波损耗
降噪器连接gure
EVI CE操作，实际电压NG
EVI CE操作，实际纳克光凭目前
热RESI立场（ juncti的领导）
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 39欧姆
I
D
= 75毫安典型。
T
L
= 25C
分贝米
分贝米
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
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303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS - 101268 Rev. D的
SGA - 6589 DC -3500 GHz的MMIC级联放大器
初步
在重点工作频率典型RF性能
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
符号
参数
单位
100
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
28.4
27.1
32.1
21.6
25.2
32.5
21.5
15.6
11.4
28.7
2.5
19.8
32.0
19
13.1
9.2
24.3
2.9
18.2
30.3
17.8
12.4
9.4
23.1
3.3
15.1
13.9
16.1
30.3
15.0
13.5
29.8
2.5
11.4
10.6
19.2
V
S
= 8 V
测试条件：
V
S
= 8 V
测试条件：
R
BIAS
= 39欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
= 80毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
绝对最大额定值
噪声系数与频率的关系
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
参数
马克斯。
EVI CE光凭目前
(I
D
)
马克斯。
EVI CE
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
Juncti的温度
. (T
J
)
操作，实际NG牛逼MP
。范围（T
L
)
e
绝对限制
160
mA
7V
+16 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
1
0
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
操作，实际对THI第德维CE超越这些李密TS任何人可以
会造成永久性的损害。对别人一同孔蒂理性操作，实际，
在德维CE电压和电流不得超过马克西妈妈
吴操作，实际值特定网络编辑表中的一个页面上。
碧为C ondi TI组件也应该殉SFY在followi吴expressi ：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
牛逼科扎成占了带VSWR由德维CES展示
a
例如SAW滤池到determi NE马克西妈妈RF我NPUT力量。
在saturati反映harmoni C水平为Si GNI着的。
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
40
35
OIP
3
（ dBm的）
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
24
22
P
1dB
（ dBm的）
20
18
16
30
25
T
L
=+25C
20
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
T
L
=+25C
14
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS - 101268 Rev. D的
SGA - 6589 DC -3500 GHz的MMIC级联放大器
初步
|
S
|
与频率的关系
21
|
S
|
与频率的关系
11
32
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
0
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
24
|S
21
| （ dB）的
|S
11
| （ dB）的
+25°C
-40°C
+85°C
-10
16
-20
8
-30
T
L
0
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
T
L
-40
6
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
+25°C
-40°C
+85°C
6
|
S
|
与频率的关系
12
|
S
|
与频率的关系
22
-10
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
0
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
-15
|S
12
| （ dB）的
|S
22
| （ dB）的
+25°C
-40°C
+85°C
-10
-20
-20
-25
-30
T
L
-30
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
T
L
-40
6
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
+25°C
-40°C
+85°C
6
*注意：在应用电路4页，R
BIAS
补偿了电压和电流随温度变化。
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初步
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-6589
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=80mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
12
8V
39
10 V
62
12 V
91
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.焊铜焊盘上的背面
器件封装到接地平面。
2.使用带有镀很多大接地焊盘面积
通孔，如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
A65
L
C
C
D
C
B
C
B
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。为了达到最佳的RF
性能，通路孔尽量接近用
接地引线尽可能减少铅
电感。
一部分标识标记
4
4
2, 4
GND
A65
2
3
A65Z
3
2
1
2
3
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
1
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
1
3
产品型号订购信息
产品型号
带尺寸
设备/卷
请参阅应用笔记AN- 075
对于封装外形图
SGA-6589
SGA-6589Z
13"
13"
3000
3000
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