产品说明
在SGA - 6586是一款高性能的SiGe HBT MMIC
功放。达林顿电路配置具有1微米
发射器可提供高F T和优良的热
性能比较。异质结增加击穿
电压和最大程度地减少结之间的漏电流。
的发射结的非线性导致取消
较高的抑制互调产物。仅2
隔直流电容器，偏置电阻器和一个可选的
RF扼流圈所需的操作。
在Sirenza的无铅封装泌尿道感染，雾锡完成
lizes后退火处理，以减轻锡晶须
形成并符合RoHS每欧盟2002标准/
95.这个包还生产绿色模具 -
荷兰国际集团是含有三氧化锑没有，也不公顷化合物
logenated阻燃剂。
获得&回波损耗与频率。 @T
L
=+25°C
收益
SGA-6586
SGA-6586Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC -4000兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
高增益： 18.4分贝1950兆赫
可级联50欧姆
工作在单电源
低热阻封装
32
0
24
-10
IRL
ORL
回波损耗（分贝）
增益（dB ）
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星
16
-20
8
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-30
-40
符号
G
参数
小思gnal盖
ü尼特
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
分贝米
分贝米
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
分钟。
典型值。
23.8
18.4
16.7
21.5
19.0
33.8
32.2
2500
马克斯。
P
1dB
OIP
3
输出1分贝 ompressi电力
输出氏三阶截POI NT
Bandwi嗞
etermi斯内德通过回波损耗（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
降噪器连接gure
EVI CE操作，实际电压NG
EVI CE操作，实际纳克光凭目前
热RESI立场（ juncti的领导）
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 39欧姆
1950年兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
4.5
72
21.4
18.0
3.1
4.9
80
97
5.3
88
测试条件：
I
D
= 80毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用这种不负责
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..全球所有权利
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303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS - 101160 Rev. D的
SGA - 6586 DC -4000 MHz的级联MMIC放大器
初步
在重点工作频率典型RF性能
符号
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 39欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
= 80毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
25.8
32.2
20.9
32.2
16.8
24.0
23.3
18.2
23.9
2.5
23.8
33.8
21.5
22.8
23.0
23.6
2.7
18.4
32.2
18.0
21.4
18.0
21.2
3.1
16.7
30.2
16.8
17.4
17.4
19.7
3.7
14.4
14.2
16.6
测试条件：
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
绝对最大额定值
噪声系数与频率的关系
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
参数
马克斯。
EVI CE光凭目前
(I
D
)
马克斯。
EVI CE
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
Juncti的温度
. (T
J
)
操作，实际NG牛逼MP
。范围（T
L
)
e
绝对限制
1
60
mA
7V
+16 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
1
0
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
操作，实际对THI第德维CE超越这些李密TS任何人可以
会造成永久性的损害。对别人一同孔蒂理性操作，实际，
在德维CE电压和电流不得超过马克西妈妈
吴操作，实际值特定网络编辑表中的一个页面上。
碧为C ondi TI组件也应该殉SFY在followi吴expressi ：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
牛逼科扎成占了带VSWR由德维CES展示
a
例如SAW滤池到determi NE马克西妈妈RF我NPUT力量。
在saturati反映harmoni C水平为Si GNI着的。
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
40
35
OIP
3
（ dBm的）
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
24
22
P
1dB
（ dBm的）
20
30
25
T
L
=+25C
18
16
14
T
L
=+25C
20
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
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EDS - 101160 Rev. D的
SGA - 6586 DC -4000 MHz的级联MMIC放大器
初步
|
S
|
与频率的关系
21
|
S
|
与频率的关系
11
V
D
= 4.9 V，I
D
= 10 mA（典型值）
32
24
S
21
（ dB）的
S
11
（ dB）的
0
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
-10
16
8
-20
T
L
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
-30
T
L
-40
+25°C
-40°C
+85°C
5
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
|
S
|
与频率的关系
12
|
S
|
与频率的关系
22
0
-10
S
12
（ dB）的
-20
-30
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-30
V
D
= 4.9 V，I
D
= 80毫安
T
L
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
5
注：可在完整的S参数数据
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SGA - 6586 DC -4000 MHz的级联MMIC放大器
初步
基本应用电路
R
BIAS
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
1 uF的
1000
pF
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-6586
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=80mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
13
8V
39
10 V
62
12 V
91
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
L
C
C
D
C
B
A65
C
B
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。为了达到最佳的RF
性能，通路孔尽量接近用
接地引线尽可能减少铅
电感。
一部分标识标记
3
3
2, 4
GND
4
A65
1
2
4
65Z
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
产品型号订购信息
P N米儿
艺术U B
R 5
鳗鱼IZE
D
evices / R
鳗鱼
请参阅应用笔记AN- 075
对于封装外形图
SA
G -6586
SA
摹-6586Z
13"
13"
3000
3000
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EDS - 101160 Rev. D的
初步
产品说明
斯坦福Microdevices的SGA - 6586是一款高性能
可级联50欧姆的放大器装在一个低价
表面安装塑料封装。设计
工作在电压低至5.0V ，该RFIC使用
最新的硅锗异质结双极晶体管
（硅锗HBT ）工艺具有1微米发射器为F
T
up
50 GHz的。
该电路采用达林顿对拓扑电阻
宽带绩效反馈以及稳定性
在它的整个温度范围内。内部匹配
50欧姆阻抗，在SGA- 6586仅需要DC
阻塞和旁路电容器的外部元件。
小信号增益与频率的关系
SGA-6586
DC -2500 MHz的硅锗
HBT可级联增益模块
产品特点
DC -2500 MHz工作
单电源供电
高输出截取： 34.0 dBm的典型值。在
850兆赫
35
30
25
20
15
10
5
0
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
dB
高输出功率： 21.5 dBm的典型值。在850兆赫
高增益：24.0 dB典型值。在850兆赫
内部匹配至50欧姆输入输出&
兆赫频率
应用
振荡器放大器
末级功率放大器的低功耗应用
IF / RF缓冲放大器
司机CATV放大器
单位
分钟。
典型值。
21.5
18.1
25.6
20.3
17.2
27.8
23.3
20.2
1.1:1
1.2:1
33.8
32.5
2.6
3.4
163
4.6
5.0
5.4
马克斯。
符号
P
1dB
参数：测试条件：
Z0 = 50欧姆，ID = 80 mA时， T = 25℃
在1dB压缩输出功率
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F =二零零零年至2500年兆赫
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F =二零零零年至2500年兆赫
F = DC - 2500兆赫
F = DC - 2500兆赫
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 2500至00年兆赫
F = 1000 MHz的
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
dB
dB
-
-
分贝米
分贝米
dB
dB
pS
V
S
21
小信号增益
S
12
S
11
S
22
IP
3
NF
T
D
V
D
反向隔离
输入VSWR
输出VSWR
三阶截点
电源出每个音= 3 dBm的
噪声系数
群时延
器件电压
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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初步
SGA - 6586 DC -2500 MHz的5.0V SiGe半导体放大器
规范
参数
器件偏置
工作电压
工作电流
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
民
4.6
典型值。
5.0
80.0
25.8
2.5
32.2
20.9
19.9
28.0
23.8
2.7
33.8
21.5
23.3
26.5
18.4
3.1
32.2
18.0
23.7
21.4
16.7
3.7
30.2
16.8
18.2
19.7
马克斯。
5.4
单位
T = 25℃
V
mA
T = 25℃
21.5
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
TEST
条件
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2
初步
SGA - 6586 DC -2500 MHz的5.0V SiGe半导体放大器
针＃
1
功能
描述
在RF
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器
选择用于操作的频率。
GND
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
GND
萨姆斯的引脚2
设备原理图
2
3
4
应用原理图运行在900 MHz的
推荐偏置电阻值
供应
电压（Vs）
RBIAS
（欧姆）
6V
12
8V
36
9V
51
12V
91
1uF
68pF
R偏压
Vs
为8V操作或更高，具有功率的电阻器
处理的1 / 2W或更大的能力，推荐。
33nH
50 OHM
微带
2
1
3
100pF
4
100pF
50 OHM
微带
在RF
RF OUT
应用原理图运行在1900 MHz的
1uF
22pF
R偏压
V
s
22nH
50 OHM
微带
2
1
3
68pF
4
68pF
50 OHM
微带
在RF
RF OUT
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
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如有更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices的不
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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3
初步
SGA - 6586 DC -2500 MHz的5.0V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 80毫安， T = 25℃
40
30
20
10
0
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
-1 0
S12 ，ID = 80毫安， T = 25℃
dB
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
兆赫频率
S11 ，ID = 80毫安， T = 25℃
0
-10
0
-10
兆赫频率
S22 ，ID = 80毫安， T = 25℃
dB
-20
-30
-40
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
dB
-20
-30
-40
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 80毫安，TA = 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 80毫安，TA = 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
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4
初步
SGA - 6586 DC -2500 MHz的5.0V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 80毫安， T = -40℃
40
30
20
0
-1 0
-2 0
-3 0
-4 0
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
S12 ，ID = 80毫安， T = -40℃
dB
10
0
dB
兆赫频率
S11 ，ID = 80毫安， T = -40℃
0
-10
兆赫频率
S22 ，ID = 80毫安， T = -40℃
0
-10
dB
-20
-30
-40
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
dB
-20
-30
-40
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 80毫安，TA = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 80毫安，TA = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
如有更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices的不
授权或保证任何斯坦福Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
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5
初步
产品说明
斯坦福Microdevices的SGA - 6586是一款高性能
可级联50欧姆的放大器装在一个低价
表面安装塑料封装。设计
工作在电压低至5.0V ，该RFIC使用
最新的硅锗异质结双极晶体管
（硅锗HBT ）工艺具有1微米发射器为F
T
up
50 GHz的。
该电路采用达林顿对拓扑电阻
宽带绩效反馈以及稳定性
在它的整个温度范围内。内部匹配
50欧姆阻抗，在SGA- 6586仅需要DC
阻塞和旁路电容器的外部元件。
小信号增益与频率的关系
SGA-6586
DC -2500 MHz的硅锗
HBT可级联增益模块
产品特点
DC -2500 MHz工作
单电源供电
高输出截取： 34.0 dBm的典型值。在
850兆赫
35
30
25
20
15
10
5
0
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
dB
高输出功率： 21.5 dBm的典型值。在850兆赫
高增益：24.0 dB典型值。在850兆赫
内部匹配至50欧姆输入输出&
兆赫频率
应用
振荡器放大器
末级功率放大器的低功耗应用
IF / RF缓冲放大器
司机CATV放大器
单位
分钟。
典型值。
21.5
18.1
25.6
20.3
17.2
27.8
23.3
20.2
1.1:1
1.2:1
33.8
32.5
2.6
3.4
163
4.6
5.0
5.4
马克斯。
符号
P
1dB
参数：测试条件：
Z0 = 50欧姆，ID = 80 mA时， T = 25℃
在1dB压缩输出功率
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F =二零零零年至2500年兆赫
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F =二零零零年至2500年兆赫
F = DC - 2500兆赫
F = DC - 2500兆赫
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 2500至00年兆赫
F = 1000 MHz的
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
dB
dB
-
-
分贝米
分贝米
dB
dB
pS
V
S
21
小信号增益
S
12
S
11
S
22
IP
3
NF
T
D
V
D
反向隔离
输入VSWR
输出VSWR
三阶截点
电源出每个音= 3 dBm的
噪声系数
群时延
器件电压
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微器件产品在生命支持设备和/或系统。
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初步
SGA - 6586 DC -2500 MHz的5.0V SiGe半导体放大器
规范
参数
器件偏置
工作电压
工作电流
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
民
4.6
典型值。
5.0
80.0
25.8
2.5
32.2
20.9
19.9
28.0
23.8
2.7
33.8
21.5
23.3
26.5
18.4
3.1
32.2
18.0
23.7
21.4
16.7
3.7
30.2
16.8
18.2
19.7
马克斯。
5.4
单位
T = 25℃
V
mA
T = 25℃
21.5
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
TEST
条件
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初步
SGA - 6586 DC -2500 MHz的5.0V SiGe半导体放大器
针＃
1
功能
描述
在RF
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器
选择用于操作的频率。
GND
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
GND
萨姆斯的引脚2
设备原理图
2
3
4
应用原理图运行在900 MHz的
推荐偏置电阻值
供应
电压（Vs）
RBIAS
（欧姆）
6V
12
8V
36
9V
51
12V
91
1uF
68pF
R偏压
Vs
为8V操作或更高，具有功率的电阻器
处理的1 / 2W或更大的能力，推荐。
33nH
50 OHM
微带
2
1
3
100pF
4
100pF
50 OHM
微带
在RF
RF OUT
应用原理图运行在1900 MHz的
1uF
22pF
R偏压
V
s
22nH
50 OHM
微带
2
1
3
68pF
4
68pF
50 OHM
微带
在RF
RF OUT
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初步
SGA - 6586 DC -2500 MHz的5.0V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 80毫安， T = 25℃
40
30
20
10
0
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
-1 0
S12 ，ID = 80毫安， T = 25℃
dB
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
兆赫频率
S11 ，ID = 80毫安， T = 25℃
0
-10
0
-10
兆赫频率
S22 ，ID = 80毫安， T = 25℃
dB
-20
-30
-40
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
dB
-20
-30
-40
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 80毫安，TA = 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 80毫安，TA = 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
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4
初步
SGA - 6586 DC -2500 MHz的5.0V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 80毫安， T = -40℃
40
30
20
0
-1 0
-2 0
-3 0
-4 0
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
S12 ，ID = 80毫安， T = -40℃
dB
10
0
dB
兆赫频率
S11 ，ID = 80毫安， T = -40℃
0
-10
兆赫频率
S22 ，ID = 80毫安， T = -40℃
0
-10
dB
-20
-30
-40
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
dB
-20
-30
-40
100
1000
2000
3000
4000
5000
6000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 80毫安，TA = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 80毫安，TA = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
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