SGA-5386
产品说明
在SGA - 5386是一款高性能的SiGe HBT MMIC放大器。
达林顿电路配置具有1微米发射器提供
高FT和优异的热性能比较。异质结
增加了击穿电压和最小漏电流
路口之间。的发射结不取消
非线性导致更高的抑制交调的
UCTS 。只有2个隔直电容，偏置电阻和
可选RF扼流圈所需要的操作。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了
后退火处理，以减轻锡晶须形成，并
每个符合RoHS欧盟指令2002/95标准。这个包还
与不含绿色塑封料生产
三氧化二锑，也没有卤化阻燃剂。
SGA-5386Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC -5000兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
高增益14.9分贝1950年兆赫
可级联50欧姆
工作在单电源
低热阻封装
获得&回波损耗与频率的关系
20
收益
V
D
= 3.6 V，I
D
= 60 mA（典型值）
0
-10
回波损耗（分贝）
15
增益（dB ）
IRL
应用
PA驱动放大器
10
5
ORL
-20
T
L
=+25C
-30
-40
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
??无线数据，卫星
符号
G
参数
小信号增益
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
分钟。
15.2
典型值。
16.6
14.9
14.0
17.0
14.7
32.0
29.0
5000
马克斯。
18.3
P
1dB
OIP
3
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 75欧姆
I
D
= 60毫安典型。
T
L
= 25C
1950年兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
3.1
54
18.5
30.0
4.0
3.6
60
97
4.1
66
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用这种不负责
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..全球所有权利
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS - 100611版本C
SGA - 5386 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
初步
在重点工作频率典型RF性能
符号
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 75欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
17.6
17.2
32.0
17.0
16.6
32.0
17.0
16.9
31.0
21.1
3.5
14.7
29.0
14.7
18.5
30.0
21.2
4.0
14.0
27.0
13.6
15.8
33.4
21.2
4.1
12.5
26.4
27.3
20.6
19.6
29.5
20.8
3.4
11.6
19.1
19.8
测试条件：
= 60毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
V
D
= 3.6 V，I
D
= 60 mA（典型值）
7
6
5
4
3
2
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
1
20
mA
5V
+16 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
噪声系数（dB ）
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
2.5
3
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 3.6 V，I
D
= 60 mA（典型值）
40
35
OIP
3
（ dBm的）
P
1dB
（ dBm的）
20
18
16
14
12
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 3.6 V，I
D
= 60 mA（典型值）
30
25
T
L
=+25C
20
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
T
L
=+25C
10
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
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2
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EDS - 100611版本C
SGA - 5386 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
初步
|
S
|
与频率的关系
21
|
S
|
与频率的关系
11
20
15
S
21
（ dB）的
V
D
= 3.6 V，I
D
= 60 mA（典型值）
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-30
V
D
= 3.6 V，I
D
= 60 mA（典型值）
10
5
T
L
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
|
S
|
与频率的关系
12
|
S
|
与频率的关系
22
-12
-15
-18
-21
V
D
= 3.6 V，I
D
= 60 mA（典型值）
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-30
V
D
= 3.6 V，I
D
= 60 mA（典型值）
S
12
（ dB）的
T
L
-24
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
注：可在完整的S参数数据
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EDS - 100611版本C
SGA - 5386 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
初步
基本应用电路
R
BIAS
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
1 uF的
1000
pF
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-5386
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=60mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
39
8V
75
10 V
110
12 V
150
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
L
C
C
D
C
B
A53
C
B
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。为了达到最佳的RF
性能，通路孔尽量接近用
接地引线尽可能减少铅
电感。
一部分标识标记
3
3
2, 4
GND
4
A53
1
2
4
53Z
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
产品型号订购信息
产品型号
带尺寸
设备/卷
请参阅应用笔记AN- 075
对于封装外形图
SGA-5386
SGA-5386Z
13"
13"
3000
3000
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4
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EDS - 100611版本C
初步
产品说明
斯坦福Microdevices的SGA - 5386是一款高性能
可级联50欧姆的放大器，设计用于操作
电压低至3.6V 。这RFIC采用最新的硅
锗异质结双极晶体管（ HBT的SiGe ）
工艺特点1微米发射器为F
T
高达65千兆赫。
该电路采用达林顿对拓扑电阻
宽带绩效反馈以及稳定性
在它的整个温度范围内。内部匹配
50欧姆阻抗，在SGA- 5386仅需要DC
阻塞和旁路电容器的外部元件。
SGA-5386
DC -3200 MHz的硅锗
HBT可级联增益模块
小信号增益与频率的关系
20
15
产品特点
DC -3200 MHz工作
单电源供电
高输出截取： + 31dBm的典型值。在850兆赫
低电流消耗： 60毫安在3.6V （典型值） 。
低噪声系数： 3.5分贝典型。在850兆赫
应用
振荡器放大器
PA为低功耗应用
IF / RF缓冲放大器
司机CATV放大器
ü尼特
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = D C -1000 MHz的
F = 1000-2000兆赫
F = 2000-5000兆赫
F = D C -1000 MHz的
F = 1000-2000兆赫
F = 2000-5000兆赫
F = D C -5000 MHz的
F = D C -5000 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = D C -1000 MHz的
F = 1000-2400兆赫
F = 1000 MHz的
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
dB
dB
-
-
分贝米
分贝米
dB
dB
pS
V
mA
3.1
15.0
分钟。
典型值。
17.0
14.7
17.2
16.6
15.5
20.8
21.2
21.2
1.25:1
1.25:1
31.0
29.0
3.5
4.0
112.0
3.6
60.0
4.1
马克斯。
dB
10
5
0
100
500
900
1900
2400
3500
5000
兆赫频率
在大电气规格= 25℃
符号
P
1dB
参数：试验C onditions ：
Z
0
= 50欧姆， F = D C -3200MH
输出1分贝 ompressi电力
S
21
小思gnal盖
S
12
VSWR
VSWR
IP
3
NF
T
D
V
D
I
D
反向Isolati上
输入VSWR
输出VSWR
氏三阶截POI NT
降噪器连接gure
D组elay
EVI CE电压
EVI CE光凭目前
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斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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文件号EDS- 100611版本A
初步
初步
SGA - 5386 DC -3200 MHz的3.5V SiGe半导体放大器
规范
参数
Bandw ID
频带
器件偏置
工作电压
工作电流
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
民
DC
3.6
60.0
17.2
3.4
32.0
17.0
19.6
20.8
16.6
3.5
32.0
17.0
16.9
21.1
14.9
4.0
29.0
14.7
18.0
21.3
14.0
4.1
27.0
13.6
15.8
21.2
典型值。
马克斯。
3200
单位
T = 25℃
兆赫
T = 25℃
V
mA
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
TEST
条件
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初步
初步
SGA - 5386 DC -3200 MHz的3.5V SiGe半导体放大器
针＃
1
功能
描述
在RF
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器
选择用于操作的频率。
GND
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
GND
萨姆斯的引脚2
设备原理图
2
3
4
应用原理图+ 5V工作频率为900MHz
1uF
68pF
25欧姆
V
CC
=+5V
33nH
50 OHM
微带
2
1
3
100pF
4
100pF
50 OHM
微带
应用原理图+ 5V工作在1900 MHz的
1uF
22pF
25欧姆
V
CC
=+5V
22nH
50 OHM
微带
2
1
3
50 OHM
微带
68pF
4
68pF
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初步
初步
SGA - 5386 DC -3200 MHz的3.5V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 60毫安， T = + 25℃
20
15
0
-10
S12 ，ID = 60毫安， T = + 25℃
dB
10
5
0
100
500
900
1900
2400
3500
5000
dB
-20
-30
-40
100
500
900
1900
2400
3500
5000
5000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 60毫安， T = + 25℃
0
-1 0
0
-10
S22 ，ID = 60毫安， T = + 25℃
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
5000
dB
-20
-30
-40
100
500
900
1900
2400
3500
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 60毫安，TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 3.2 GHz的
S22 ，ID = 60毫安，TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 3.2 GHz的
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初步
初步
SGA - 5386 DC -3200 MHz的3.5V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 60毫安， T = -40℃
20
15
0
-10
S12 ，ID = 60毫安， T = -40℃
dB
10
5
0
100
500
900
1900
2400
3500
5000
dB
-20
-30
-40
100
500
900
1900
2400
3500
5000
5000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 60毫安， T = -40℃
0
-1 0
0
-10
S22 ，ID = 60毫安， T = -40℃
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
5000
dB
-20
-30
-40
100
500
900
1900
2400
3500
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 60毫安，TA = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 3.2 GHz的
S22 ，ID = 60毫安，TA = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 3.2 GHz的
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