产品说明
在SGA - 4386是一款高性能的SiGe HBT MMIC放大器。一
达林顿配置具有1微米发射器提供了高
FT和优异的热性能比较。异质结IN-
折痕击穿电压和最小漏电流BE-
吐温路口。的发射结的非线性取消
导致更高的抑制互调产物。只
2隔直流电容，偏压电阻器和一个可选的RF
扼流圈所需的操作。
SGA-4386
SGA-4386Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC -4500兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了后
产品特点
退火处理，以减轻锡须的形成和符合RoHS
每个符合欧盟指令2002/95 。这个包也是制造
现在，在无铅，符合RoHS可用
factured与不含锑的绿色塑封料
兼容， &绿色包装
三氧化二砷，也没有卤化阻燃剂。
高增益： 14.6分贝1950兆赫
获得&回波损耗与频率的关系
可级联50欧姆
工作在单电源
0
-10
回波损耗（分贝）
24
18
增益（dB ）
IRL
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
低热阻封装
应用
?? PA驱动放大器
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
??无线数据，卫星
ORL
12
收益
-20
-30
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
0
符号
G
参数
小信号增益
单位
dB
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
分钟。
15.0
典型值。
17.0
14.6
13.7
15.3
13.0
28.9
26.9
4500
马克斯。
18.5
P
1dB
OIP
3
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
DBM
DBM
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 110欧姆
1950年兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
2.9
41
13.2
15.2
3.1
3.2
45
97
3.5
49
测试条件：
I
D
= 45毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用这种不负责
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..全球所有权利
版权所有。
303科技法庭，科罗拉多州布鲁姆菲尔德800221
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS- 100641启摹
SGA - 4386 DC- 4500 MHz的级联MMIC放大器
初步
在重点工作频率典型RF性能
符号
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 110欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
17.9
17.4
29.1
14.8
17.0
28.9
15.3
12.8
12.9
21.6
2.9
14.6
26.9
13.0
13.2
15.2
20.8
3.1
13.7
25.9
11.9
12.4
15.2
19.9
3.4
11.8
12.5
10.6
21.3
12.5
11.4
21.5
2.8
10.9
15.0
17.3
测试条件：
= 45毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
90
mA
5V
+18 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
0
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
35
30
OIP
3
（ dBm的）
25
20
P
1dB
（ dBm的）
18
15
12
9
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
T
L
=+25C
15
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
6
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
T
L
=+25C
2.5
3
303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS- 100641启摹
SGA - 4386 DC- 4500 MHz的级联MMIC放大器
初步
典型的射频性能过热（
偏置： V
D
= 3.2 V,
I
D
= 45 mA（典型值）
)
24
|
S
|
与频率的关系
21
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-30
|
S
|
与频率的关系
11
18
S
21
（ dB）的
12
6
T
L
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
|
S
|
与频率的关系
-10
12
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-30
|
S
|
与频率的关系
22
-15
S
12
（ dB）的
-20
-25
T
L
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
注：可在完整的S参数数据
www.sirenza.com
303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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EDS- 100641启摹
SGA - 4386 DC- 4500 MHz的级联MMIC放大器
初步
基本应用电路
R
BIAS
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
1 uF的
1000
pF
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-4386
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=45mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
62
8V
110
10 V
150
12 V
200
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
L
C
C
D
C
B
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
A43
C
B
针＃
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
一部分标识标记
1
3
3
2, 4
GND
4
A43
1
2
4
43Z
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
产品型号订购信息
产品型号
带尺寸
设备/卷
请参阅应用笔记AN- 075
对于封装外形图
SGA-4386
SGA-4386Z
13"
13"
3000
3000
303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS- 100641启摹
产品说明
Sirenza的微器件？ SGA- 4386是一种高性能的SiGe
HBT MMIC放大器。达林顿电路配置具有1
微米发射器提供了高氟
T
和优异的热
性能比较。异质结增加了击穿电压
并最小化结之间的漏电流。消除
的发射结的非线性导致更高的抑制
的互调产物。在850 MHz和45毫安的SGA-
4386通常提供28.9 dBm的输出IP3 ，增益为17 dB时，
与使用单个阳性15.3 dBm的1分贝压缩功率的
电压供应。只有2个隔直电容，偏压电阻
和一个可选的RF扼流圈所需的操作。
获得&回波损耗与频率的关系
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
SGA-4386
DC -4500兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
高增益： 14.6分贝1950兆赫
可级联50欧姆
??专利的硅锗技术
24
18
增益（dB ）
IRL
ORL
0
-10
-20
收益
回波损耗（分贝）
工作在单电源
低热阻封装
12
6
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
应用
?? PA驱动放大器
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
??无线数据，卫星
单位
dB
DBM
DBM
M赫兹
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
2.9
41
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
分钟。
15.0
TY页。
17.0
14.6
13.7
15.3
13.0
28.9
26.9
4500
13.2
15.2
3.1
3.2
45
97
3.5
49
马克斯。
18.5
-30
-40
SY mbol
G
P
1dB
OIP
3
参数
小信号增益
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 110欧姆
I
D
= 45毫安典型。
T
L
= 25C
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..
全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS- 100641版本F
初步
SGA - 4386 DC- 4500 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
SY mbol
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
输出电网在1dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 110欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
17.9
17.4
29.1
14.8
17.0
28.9
15.3
12.8
12.9
21.6
2.9
14.6
26.9
13.0
13.2
15.2
20.8
3.1
13.7
25.9
11.9
12.4
15.2
19.9
3.4
11.8
12.5
10.6
21.3
12.5
11.4
21.5
2.8
10.9
15.0
17.3
测试条件：
= 45毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
90
mA
5V
+18 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
0
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应该满足如下荷兰国际集团表示：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
35
30
OIP
3
（ dBm的）
25
20
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
OIP
3
与频率的关系
18
15
P
1dB
（ dBm的）
12
9
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
P
1dB
与频率的关系
T
L
=+25C
15
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
6
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
T
L
=+25C
2.5
3
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS- 100641版本F
初步
SGA - 4386 DC- 4500 MHz的级联MMIC放大器
典型的射频性能过热（
偏置： V
D
= 3.2 V,
I
D
= 45 mA（典型值）
)
24
|
S
|
与频率的关系
21
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-30
|
S
|
与频率的关系
11
18
S
21
（ dB）的
12
6
T
L
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-10
|
S
|
与频率的关系
12
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-30
|
S
|
与频率的关系
22
-15
S
12
（ dB）的
-20
-25
T
L
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
注：可在完整的S参数数据
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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初步
SGA - 4386 DC- 4500 MHz的级联MMIC放大器
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-4386
3
2
C
B
RF OUT
ecommended B IAS esistor值我
D
=45mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
62
8V
110
10 V
150
12 V
200
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
PROVI DES D C BI作为STABI李TY温度过高。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
L
C
C
D
A43
C
B
C
B
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ A43 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
2, 4
GND
4
A43
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
部分N赭
SGA-4386
鳗鱼SIZ ê
13"
EV冰/ R鳗鱼
3000
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS- 100641版本F
初步
SGA - 4386 DC- 4500 MHz的级联MMIC放大器
尺寸以英寸[毫米]
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
参见图纸张贴在
www.sirenza.com
对于公差。
标称封装尺寸
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产品说明
Sirenza的微器件？ SGA- 4386是一种高性能的SiGe
HBT MMIC放大器。达林顿电路配置具有1
微米发射器提供了高氟
T
和优异的热
性能比较。异质结增加了击穿电压
并最小化结之间的漏电流。消除
的发射结的非线性导致更高的抑制
的互调产物。在850 MHz和45毫安的SGA-
4386通常提供28.9 dBm的输出IP3 ，增益为17 dB时，
与使用单个阳性15.3 dBm的1分贝压缩功率的
电压供应。只有2个隔直电容，偏压电阻
和一个可选的RF扼流圈所需的操作。
获得&回波损耗与频率的关系
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
SGA-4386
DC -4500兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
高增益： 14.6分贝1950兆赫
可级联50欧姆
??专利的硅锗技术
24
18
增益（dB ）
IRL
ORL
0
-10
-20
收益
回波损耗（分贝）
工作在单电源
低热阻封装
12
6
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
应用
?? PA驱动放大器
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
??无线数据，卫星
单位
dB
DBM
DBM
M赫兹
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
2.9
41
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
分钟。
15.0
TY页。
17.0
14.6
13.7
15.3
13.0
28.9
26.9
4500
13.2
15.2
3.1
3.2
45
97
3.5
49
马克斯。
18.5
-30
-40
SY mbol
G
P
1dB
OIP
3
参数
小信号增益
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 110欧姆
I
D
= 45毫安典型。
T
L
= 25C
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
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这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
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1
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初步
SGA - 4386 DC- 4500 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
SY mbol
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
输出电网在1dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 8 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 110欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
17.9
17.4
29.1
14.8
17.0
28.9
15.3
12.8
12.9
21.6
2.9
14.6
26.9
13.0
13.2
15.2
20.8
3.1
13.7
25.9
11.9
12.4
15.2
19.9
3.4
11.8
12.5
10.6
21.3
12.5
11.4
21.5
2.8
10.9
15.0
17.3
测试条件：
= 45毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
90
mA
5V
+18 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
0
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应该满足如下荷兰国际集团表示：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
35
30
OIP
3
（ dBm的）
25
20
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
OIP
3
与频率的关系
18
15
P
1dB
（ dBm的）
12
9
V
D
= 3.2 V，I
D
= 45 mA（典型值）
P
1dB
与频率的关系
T
L
=+25C
15
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
6
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
T
L
=+25C
2.5
3
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2
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SGA - 4386 DC- 4500 MHz的级联MMIC放大器
典型的射频性能过热（
偏置： V
D
= 3.2 V,
I
D
= 45 mA（典型值）
)
24
|
S
|
与频率的关系
21
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-30
|
S
|
与频率的关系
11
18
S
21
（ dB）的
12
6
T
L
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-10
|
S
|
与频率的关系
12
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-30
|
S
|
与频率的关系
22
-15
S
12
（ dB）的
-20
-25
T
L
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
注：可在完整的S参数数据
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基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-4386
3
2
C
B
RF OUT
ecommended B IAS esistor值我
D
=45mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
6V
62
8V
110
10 V
150
12 V
200
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
PROVI DES D C BI作为STABI李TY温度过高。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
L
C
C
D
A43
C
B
C
B
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ A43 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
2, 4
GND
4
A43
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
部分N赭
SGA-4386
鳗鱼SIZ ê
13"
EV冰/ R鳗鱼
3000
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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初步
SGA - 4386 DC- 4500 MHz的级联MMIC放大器
尺寸以英寸[毫米]
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
参见图纸张贴在
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对于公差。
标称封装尺寸
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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