产品说明
斯坦福Microdevices的？ SGA- 3286是一种高性能的SiGe
异质结双极晶体管MMIC放大器。达林顿
配置具有1微米的发射器提供了高氟
T
和
优异的热性能比较。异质结增加
击穿电压和最小化之间的漏电流
路口。的发射结的非线性结果取消
在较高的抑制互调产物。在850兆赫
和35毫安，在SGA- 3286通常提供25.5 dBm的输出
1分贝压缩权力的IP3 ，增益为14.3分贝， 12.2 dBm的
使用单一的正电源电压。只有2个DC-阻断
电容器，偏置电阻器和一个可选的RF扼流圈，需要
用于操作。
获得&回波损耗与频率的关系
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
SGA-3286
DC -5000兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
高增益12.9分贝1950年兆赫
可级联50欧姆
??专利的硅锗技术
20
15
增益（dB ）
10
收益
IRL
0
-10
-20
回波损耗（分贝）
工作在单电源
低热阻封装
ORL
应用
??蜂窝， PCS ， CDPD
??无线数据， SONET
卫星
单位
dB
DBM
DBM
M赫兹
dB
dB
dB
V
° C / W
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
2.3
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
分钟。
13.0
TY页。
14.3
13.0
12.2
12.2
11.3
24.8
24.5
5000
19.2
22.7
4.2
2.6
97
2.9
马克斯。
15.7
5
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-30
-40
SY mbol
G
P
1dB
OIP
3
参数
小信号增益
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
（POW ER出每个音= -5dBm ）
Bandw ID
通过回波损耗确定（ <-10dB ）
IRL
ORL
NF
V
D
R
Th
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件电压
热阻
V
S
= 5 V
R
BIAS
= 68欧姆
I
D
= 35毫安典型。
T
L
= 25C
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
如有更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices的不
授权或保证任何斯坦福Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.stanfordmicro.com
EDS - 100631版本B
初步
SGA - 3286 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
SY mbol
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
输出电网在1dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 5 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 68欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
14.9
14.6
25.1
11.8
14.3
25.5
12.2
18.2
24.8
18.6
3.7
13.0
24.8
11.3
19.2
22.7
18.9
4.2
12.2
24.5
10.9
17.8
22.1
19.0
4.3
10.8
28.6
21.4
18.2
22.0
23.1
18.4
3.7
12.3
21.9
19.1
测试条件：
= 35毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
绝对限制
70
mA
4V
+5 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
2.5
3
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。
偏压条件下也应满足下
表情：我
D
V
D
（最大） < （T
J
- T
L
)/R
th
35
30
OIP
3
（ dBm的）
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
OIP
3
与频率的关系
15
13
P
1dB
（ dBm的）
11
9
7
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
P
1dB
与频率的关系
25
20
T
L
=+25C
15
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
T
L
=+25C
5
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.stanfordmicro.com
EDS - 100631版本B
初步
SGA - 3286 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
|
S
|
与频率的关系
21
|
S
|
与频率的关系
11
20
15
S
21
（ dB）的
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-30
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
10
5
T
L
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
|
S
|
与频率的关系
12
|
S
|
与频率的关系
22
-10
-15
S
12
（ dB）的
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-30
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
-20
-25
T
L
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
+25°C
-40°C
+85°C
5
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
注：可在www.stanfordmicro.com完整的S参数数据
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
http://www.stanfordmicro.com
EDS - 100631版本B
初步
SGA - 3286 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-3286
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=35mA
电源电压（V
S
)
R
BIAS
5V
68
8V
150
10 V
200
12 V
270
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
L
C
C
D
A32
C
B
C
B
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ A32 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
2
GND
4
A32
2
3
1
对于封装尺寸，是指在轮廓画
www.stanfordmicro.com
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
GND
萨姆斯的引脚2
4
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
产品型号
SGA-3286
带尺寸
13"
设备/卷
3000
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
http://www.stanfordmicro.com
EDS - 100631版本B
产品说明
斯坦福Microdevices的？ SGA- 3286是一种高性能的SiGe
异质结双极晶体管MMIC放大器。达林顿
配置具有1微米的发射器提供了高氟
T
和
优异的热性能比较。异质结增加
击穿电压和最小化之间的漏电流
路口。的发射结的非线性结果取消
在较高的抑制互调产物。在850兆赫
和35毫安，在SGA- 3286通常提供25.5 dBm的输出
1分贝压缩权力的IP3 ，增益为14.3分贝， 12.2 dBm的
使用单一的正电源电压。只有2个DC-阻断
电容器，偏置电阻器和一个可选的RF扼流圈，需要
用于操作。
获得&回波损耗与频率的关系
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
SGA-3286
DC -5000兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
高增益12.9分贝1950年兆赫
可级联50欧姆
??专利的硅锗技术
20
15
增益（dB ）
10
收益
IRL
0
-10
-20
回波损耗（分贝）
工作在单电源
低热阻封装
ORL
应用
??蜂窝， PCS ， CDPD
??无线数据， SONET
卫星
单位
dB
DBM
DBM
M赫兹
dB
dB
dB
V
° C / W
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
2.3
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
分钟。
13.0
TY页。
14.3
13.0
12.2
12.2
11.3
24.8
24.5
5000
19.2
22.7
4.2
2.6
97
2.9
马克斯。
15.7
5
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-30
-40
SY mbol
G
P
1dB
OIP
3
参数
小信号增益
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
（POW ER出每个音= -5dBm ）
Bandw ID
通过回波损耗确定（ <-10dB ）
IRL
ORL
NF
V
D
R
Th
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件电压
热阻
V
S
= 5 V
R
BIAS
= 68欧姆
I
D
= 35毫安典型。
T
L
= 25C
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
如有更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices的不
授权或保证任何斯坦福Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.stanfordmicro.com
EDS - 100631版本B
初步
SGA - 3286 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
SY mbol
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
输出电网在1dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 5 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 68欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
14.9
14.6
25.1
11.8
14.3
25.5
12.2
18.2
24.8
18.6
3.7
13.0
24.8
11.3
19.2
22.7
18.9
4.2
12.2
24.5
10.9
17.8
22.1
19.0
4.3
10.8
28.6
21.4
18.2
22.0
23.1
18.4
3.7
12.3
21.9
19.1
测试条件：
= 35毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
绝对限制
70
mA
4V
+5 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
2.5
3
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。
偏压条件下也应满足下
表情：我
D
V
D
（最大） < （T
J
- T
L
)/R
th
35
30
OIP
3
（ dBm的）
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
OIP
3
与频率的关系
15
13
P
1dB
（ dBm的）
11
9
7
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
P
1dB
与频率的关系
25
20
T
L
=+25C
15
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
T
L
=+25C
5
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.stanfordmicro.com
EDS - 100631版本B
初步
SGA - 3286 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
|
S
|
与频率的关系
21
|
S
|
与频率的关系
11
20
15
S
21
（ dB）的
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-30
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
10
5
T
L
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
|
S
|
与频率的关系
12
|
S
|
与频率的关系
22
-10
-15
S
12
（ dB）的
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-30
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
-20
-25
T
L
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
+25°C
-40°C
+85°C
5
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
注：可在www.stanfordmicro.com完整的S参数数据
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
http://www.stanfordmicro.com
EDS - 100631版本B
初步
SGA - 3286 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-3286
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=35mA
电源电压（V
S
)
R
BIAS
5V
68
8V
150
10 V
200
12 V
270
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
L
C
C
D
A32
C
B
C
B
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ A32 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
2
GND
4
A32
2
3
1
对于封装尺寸，是指在轮廓画
www.stanfordmicro.com
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
GND
萨姆斯的引脚2
4
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
产品型号
SGA-3286
带尺寸
13"
设备/卷
3000
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
http://www.stanfordmicro.com
EDS - 100631版本B
产品说明
Sirenza的微器件？ SGA- 3286是一种高性能的SiGe
HBT MMIC放大器。达林顿电路配置具有1
微米发射器提供了高氟
T
和优异的热
性能比较。异质结增加了击穿电压
并最小化结之间的漏电流。消除
的发射结的非线性导致更高的抑制
的互调产物。在850 MHz和35毫安的SGA-
3286典型增益为25.5 dBm的输出IP3 14.5分贝，
与使用单个阳性12.2 dBm的1分贝压缩功率的
电压供应。只有2个隔直电容，偏压电阻
和一个可选的RF扼流圈所需的操作。
获得&回波损耗与频率的关系
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
SGA-3286
DC -5000兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
宽带运营： DC -5000 MHz的
可级联50欧姆
??专利的硅锗技术
20
15
增益（dB ）
10
ORL
收益
IRL
0
-10
-20
-30
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
回波损耗（分贝）
工作在单电源
低热阻封装
应用
?? PA驱动放大器
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
??无线数据，卫星
单位
dB
DBM
DBM
M赫兹
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
2.3
31
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
分钟。
13.0
TY页。
14.5
13.0
12.2
12.2
11.3
25.5
24.8
5000
19.2
22.7
3.8
2.6
35
97
2.9
39
马克斯。
16.0
5
0
SY mbol
G
P
1dB
OIP
3
参数
小信号增益
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
V
S
= 5 V
R
BIAS
= 68欧姆
I
D
= 35毫安典型。
T
L
= 25C
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..
全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 100631 Rev. D的
初步
SGA - 3286 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
SY mbol
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
输出电网在1dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 5 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 68欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
14.9
14.6
25.1
11.8
14.5
25.5
12.2
18.2
24.8
18.6
3.7
13.0
24.8
11.3
19.2
22.7
18.9
3.8
12.2
24.5
10.9
17.8
22.1
19.0
4.0
10.8
28.6
21.4
18.2
22.0
23.1
18.4
3.7
12.3
21.9
19.1
测试条件：
= 35毫安典型。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
绝对限制
70
mA
4V
+18 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应该满足如下荷兰国际集团表示：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
35
30
OIP
3
（ dBm的）
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
OIP
3
与频率的关系
15
13
P
1dB
（ dBm的）
11
9
7
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
P
1dB
与频率的关系
25
20
T
L
=+25C
15
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
T
L
=+25C
5
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 100631 Rev. D的
初步
SGA - 3286 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
|
S
|
与频率的关系
21
|
S
|
与频率的关系
11
20
15
S
21
（ dB）的
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-30
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
10
5
T
L
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
|
S
|
与频率的关系
12
|
S
|
与频率的关系
22
-10
-15
S
12
（ dB）的
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-30
V
D
= 2.6 V，I
D
= 35 mA（典型值）
-20
-25
T
L
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
+25°C
-40°C
+85°C
5
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
注：可在完整的S参数数据
www.sirenza.com
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
http://www.sirenza.com
EDS - 100631 Rev. D的
初步
SGA - 3286 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-3286
3
2
C
B
RF OUT
ecommended B IAS esistor值我
D
=35mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
5V
68
8V
150
10 V
200
12 V
270
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
注释：R
BIAS
PROVI DES D C BI作为STABI李TY温度过高。
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
L
C
C
D
C
B
A32
C
B
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ A32 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
ESCRIPTION
RF我NPUT PI 。氏s PI requi水库运用
外部的D blocki吴卡帕奇器
选择用于操作，实际上的频率。
onnecti到地面。用vi一个洞
为了获得最佳性能，以减少铅
我nductance接近地面会导致如
possi BLE 。
2, 4
GND
4
A32
2
3
1
对于封装尺寸，是指在轮廓画
www.sirenza.com
RF OUT / RF输出和双为pi 。 D C电压I S
BIAS
目前在THI s PI N，因此D C
blocki吴卡帕奇器我有必要对于s
正确的操作，实际的。
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
产品型号
SGA-3286
带尺寸
13"
设备/卷
3000
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
http://www.sirenza.com
EDS - 100631 Rev. D的
初步
SGA - 3286 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
尺寸以英寸[毫米]
PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
参见图纸张贴在
www.sirenza.com
对于公差。
标称封装尺寸
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
http://www.sirenza.com
EDS - 100631 Rev. D的
QQ：2881677436 复制
