SGA-2363
产品说明
在SGA - 2363是一款高性能的SiGe HBT MMIC放大器。一
达林顿配置具有1微米发射器提供了高
FT和优异的热性能比较。异质结IN-
折痕击穿电压和最小漏电流BE-
吐温路口。的发射结的非线性取消
导致更高的抑制互调产物。只
2隔直流电容，偏压电阻器和一个可选的RF扼流圈
所需的操作。
SGA-2363Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC -5000兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了后
退火处理，以减轻锡须的形成和符合RoHS
产品特点
每个符合欧盟指令2002/95 。这个包也是制造
factured与不含锑的绿色塑封料
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
三氧化二砷，也没有卤化阻燃剂。
获得&回波损耗与频率。 @T
L
=+25°C
24
收益
0
高增益： 16.1分贝1950兆赫
可级联50欧姆
工作在单电源
回波损耗（分贝）
18
增益（dB ）
-10
IRL
ORL
低热阻封装
12
6
-20
-30
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-40
符号
G
参数
小信号增益
单位
dB
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
分钟。
15.8
典型值。
17.5
16.1
15.6
8.2
7.2
19.4
19.0
5000
马克斯。
19.3
P
1dB
OIP
3
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
DBM
DBM
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件电压
器件工作电流
热阻（结带领）
V
S
= 5 V
R
BIAS
= 120欧姆
1950年兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
2.4
17
15.1
25.5
3.2
2.7
20
255
3.0
23
测试条件：
I
D
能力= 20 mA典型值。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。斯坦福Microdevices公司对因使用此不承担任何责任
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..全球所有权利
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303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS - 100628版D
SGA - 2363 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
初步
在重点工作频率典型RF性能
符号
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 5 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 120欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
18.0
17.7
20.5
8.2
17.4
19.4
8.2
16.2
18.0
21.2
2.9
16.1
19.0
7.2
15.1
25.5
21.4
3.2
15.6
18.8
6.8
13.3
24.6
21.3
3.5
14.0
18.2
15.4
20.7
17.0
16.4
21.0
2.9
11.6
22.4
21.0
测试条件：
能力= 20 mA典型值。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
OIP音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
绝对最大额定值
噪声系数与频率的关系
V
D
= 2.7 V，I
D
= 20毫安
5
噪声系数（dB ）
4
3
2
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
40
mA
5V
+18 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
1
0
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 2.7 V，I
D
= 20毫安
30
25
OIP
3
（ dBm的）
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 2.7 V，I
D
= 20毫安
10
8
P
1dB
（ dBm的）
6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
20
15
T
L
=+25C
T
L
=+25C
10
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
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2
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SGA - 2363 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
初步
典型的射频性能过热（
偏置： V
D
= 2.7 V,
I
D
= 20 mA（典型值）
)
24
18
S
21
（ dB）的
12
6
|
S
|
与频率的关系
21
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-30
|
S
|
与频率的关系
11
T
L
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
5
-10
-15
S
12
（ dB）的
-20
-25
|
S
|
与频率的关系
12
|
S
|
与频率的关系
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-30
22
T
L
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
注：可在完整的S参数数据
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SGA - 2363 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
初步
基本应用电路
R
BIAS
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
1 uF的
1000
pF
C
D
L
C
1,2
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
3
SGA-2363
6
4,5
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=20mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
5V
120
6V
160
8V
270
10 V
360
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
C
D
L
C
A23
安装说明
1.使用大接地焊盘面积接近器件引脚1 ， 2 ，
C
B
C
B
4和5有许多通孔镀敷，如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
针＃
3
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
一部分标识标记
6 5 4
6 5 4
1, 2, 4,
5
GND
A23
A23
1 2 3
A23Z
1 2 3
6
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
产品型号订购信息
产品型号
带尺寸
设备/卷
SGA-2363
SGA-2363Z
7"
7"
3000
3000
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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SGA - 2363 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
SOT- 363的PCB焊盘布局
初步
尺寸以英寸[毫米]
RF
OUT
RF
IN
注意事项：
1.提供根据设备的大接地焊盘面积
引脚1 ， 2，4， & 5有许多通孔的镀
如图所示。
2.给定的尺寸为50欧姆RF I / O线是
31密耳厚GETEK 。相应规模的不同
板的厚度和介电contants 。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
ments此数据表中的31万做
厚GETEK与两侧1盎司铜。
SOT- 363封装标称尺寸
尺寸以英寸[毫米]
链接到SOT -363封装外形全尺寸和图纸
公差可以在www.sirenza.com产品网页上找到。
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EDS - 100628版D
初步
产品说明
斯坦福Microdevices的SGA - 2363是一款高性能
可级联50欧姆的放大器，设计用于从操作
一个2.7伏的电源。这RFIC采用最新的硅
锗异质结双极晶体管（ HBT的SiGe ）
工艺特点1微米发射器为F
T
高达50 GHz 。
该电路采用达林顿对拓扑电阻
宽带绩效反馈以及稳定性
在它的整个温度范围内。内部匹配
50欧姆阻抗，在SGA- 2363仅需要DC
阻塞和旁路电容器的外部元件。
SGA-2363
DC -2800 MHz的硅锗
HBT可级联增益模块
小信号增益与频率的关系
24
18
产品特点
DC -2800 MHz工作
2.7V单电源供电
高输出截取： + 20.0dBm （典型值） 。在850兆赫
低噪声系数：4.7 dB典型值。在850兆赫
应用
宽带增益模块
无绳电话
IF / RF缓冲放大器
司机CATV放大器
dB
1 2
6
0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
兆赫频率
符号
P
1dB
参数：测试条件：
Z
0
= 50欧姆，ID = 20 mA，且T = 25℃
在1dB压缩输出功率
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000至2800年兆赫
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000至2800年兆赫
F = DC - 2000 MHz的
F = 2400至2800年兆赫
F = DC - 2000 MHz的
F = 2000至2800年兆赫
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2400年兆赫
F = 1000 MHz的
单位
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
dB
dB
-
-
分贝米
分贝米
dB
dB
pS
V
分钟。
典型值。
8.2
7.2
马克斯。
15.7
S
21
小信号增益
17.5
16.7
15.5
20.9
21.3
21.2
1.4:1
1.5:1
1.3:1
1.2:1
19.4
20.4
2.9
3.4
107
S
12
反向隔离
S
11
S
22
IP
3
NF
T
D
V
D
输入VSWR
输出VSWR
三阶截点
每个音调功率输出= -10 dBm的
噪声系数
群时延
器件电压
2.4
2.7
3.0
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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EDS- 100628版本A
初步
初步
SGA - 2363 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
规范
参数
Bandw ID
频带
器件偏置
工作电压
工作电流
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
民
DC
2.7
20
17.7
2.9
20.5
8.2
16.4
21.3
17.4
2.9
19.4
8.2
15.7
21.3
16.1
3.3
20.4
7.2
13.3
21.6
15.6
3.6
19.2
6.8
12.3
21.6
典型值。
马克斯。
2800
单位
T = 25℃
兆赫
T = 25℃
V
mA
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
TEST
条件
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EDS- 100628版本A
2
初步
初步
SGA - 2363 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
针＃
1
功能
描述
GND
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
GND
萨姆斯的引脚1
在RF
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器
选择用于操作的频率。
GND
萨姆斯的引脚1
GND
萨姆斯的引脚1
RF输出RF输出和偏置引脚。直流电压是
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
设备原理图
2
3
4
5
6
应用原理图+ 5V工作频率为900MHz
注：偏置电阻需要
温度稳定性
1uF
68pF
115欧姆
V
CC
=+5V
33nH
50 OHM
微带
1,2
50 OHM
微带
3
6
100pF
4,5
100pF
应用原理图+ 5V工作在1900 MHz的
1uF
22pF
115欧姆
V
CC
=+5V
22nH
50 OHM
微带
1,2
50 OHM
微带
3
6
68pF
4,5
68pF
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EDS- 100628版本A
3
初步
初步
SGA - 2363 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 20mA时， T = + 25℃
24
18
0
-1 0
S12 ，ID = 20mA时， T = + 25℃
dB
12
6
0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
6000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 20mA时， T = + 25℃
0
-1 0
S22 ，ID = 20mA时， T = + 25℃
0
-1 0
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 20mA时， TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 20mA时， TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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4
初步
初步
SGA - 2363 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 20mA时， T = -40℃
24
18
0
-1 0
S12 ，ID = 20mA时， T = -40℃
dB
1 2
6
0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 20mA时， T = -40℃
0
-1 0
S22 ，ID = 20mA时， T = -40℃
0
-1 0
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 20mA时， T = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 20mA时， T = -40℃
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
如有更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices的不
授权或保证任何斯坦福Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
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5
初步
产品说明
斯坦福Microdevices的SGA - 2363是一款高性能
可级联50欧姆的放大器，设计用于从操作
一个2.7伏的电源。这RFIC采用最新的硅
锗异质结双极晶体管（ HBT的SiGe ）
工艺特点1微米发射器为F
T
高达50 GHz 。
该电路采用达林顿对拓扑电阻
宽带绩效反馈以及稳定性
在它的整个温度范围内。内部匹配
50欧姆阻抗，在SGA- 2363仅需要DC
阻塞和旁路电容器的外部元件。
SGA-2363
DC -2800 MHz的硅锗
HBT可级联增益模块
小信号增益与频率的关系
24
18
产品特点
DC -2800 MHz工作
2.7V单电源供电
高输出截取： + 20.0dBm （典型值） 。在850兆赫
低噪声系数：4.7 dB典型值。在850兆赫
应用
宽带增益模块
无绳电话
IF / RF缓冲放大器
司机CATV放大器
dB
1 2
6
0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
兆赫频率
符号
P
1dB
参数：测试条件：
Z
0
= 50欧姆，ID = 20 mA，且T = 25℃
在1dB压缩输出功率
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000至2800年兆赫
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000至2800年兆赫
F = DC - 2000 MHz的
F = 2400至2800年兆赫
F = DC - 2000 MHz的
F = 2000至2800年兆赫
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2400年兆赫
F = 1000 MHz的
单位
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
dB
dB
-
-
分贝米
分贝米
dB
dB
pS
V
分钟。
典型值。
8.2
7.2
马克斯。
15.7
S
21
小信号增益
17.5
16.7
15.5
20.9
21.3
21.2
1.4:1
1.5:1
1.3:1
1.2:1
19.4
20.4
2.9
3.4
107
S
12
反向隔离
S
11
S
22
IP
3
NF
T
D
V
D
输入VSWR
输出VSWR
三阶截点
每个音调功率输出= -10 dBm的
噪声系数
群时延
器件电压
2.4
2.7
3.0
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微器件产品在生命支持设备和/或系统。
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初步
初步
SGA - 2363 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
规范
参数
Bandw ID
频带
器件偏置
工作电压
工作电流
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
民
DC
2.7
20
17.7
2.9
20.5
8.2
16.4
21.3
17.4
2.9
19.4
8.2
15.7
21.3
16.1
3.3
20.4
7.2
13.3
21.6
15.6
3.6
19.2
6.8
12.3
21.6
典型值。
马克斯。
2800
单位
T = 25℃
兆赫
T = 25℃
V
mA
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
TEST
条件
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初步
初步
SGA - 2363 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
针＃
1
功能
描述
GND
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
GND
萨姆斯的引脚1
在RF
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器
选择用于操作的频率。
GND
萨姆斯的引脚1
GND
萨姆斯的引脚1
RF输出RF输出和偏置引脚。直流电压是
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
设备原理图
2
3
4
5
6
应用原理图+ 5V工作频率为900MHz
注：偏置电阻需要
温度稳定性
1uF
68pF
115欧姆
V
CC
=+5V
33nH
50 OHM
微带
1,2
50 OHM
微带
3
6
100pF
4,5
100pF
应用原理图+ 5V工作在1900 MHz的
1uF
22pF
115欧姆
V
CC
=+5V
22nH
50 OHM
微带
1,2
50 OHM
微带
3
6
68pF
4,5
68pF
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初步
初步
SGA - 2363 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 20mA时， T = + 25℃
24
18
0
-1 0
S12 ，ID = 20mA时， T = + 25℃
dB
12
6
0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
6000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 20mA时， T = + 25℃
0
-1 0
S22 ，ID = 20mA时， T = + 25℃
0
-1 0
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 20mA时， TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 20mA时， TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
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4
初步
初步
SGA - 2363 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 20mA时， T = -40℃
24
18
0
-1 0
S12 ，ID = 20mA时， T = -40℃
dB
1 2
6
0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 20mA时， T = -40℃
0
-1 0
S22 ，ID = 20mA时， T = -40℃
0
-1 0
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 20mA时， T = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 20mA时， T = -40℃
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