产品说明
斯坦福Microdevices的？ SGA - 2186是一款高性能的硅锗
异质结双极晶体管MMIC放大器。达林顿
配置具有1微米的发射器提供了高氟
T
和
优异的热性能比较。异质结增加
击穿电压和最小化之间的漏电流
路口。的发射结的非线性结果取消
在较高的抑制互调产物。在850兆赫
和20mA时，在SGA- 2186通常提供+20 dBm的输出
1分贝压缩权力的IP3 ，增益为10.2分贝， 7.5 dBm的
使用单一的正电源电压。只有2个DC-阻断
电容器，偏置电阻器和一个可选的RF扼流圈，需要
用于操作。
获得&回波损耗与频率。 @T
L
=+25°C
12
10
增益（dB ）
8
6
4
2
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
ORL
收益
0
-8
-16
-24
-32
-40
SGA-2186
DC -5000兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
高增益： 9.3分贝1950兆赫
可级联50欧姆
??专利的硅锗技术
IRL
回波损耗（分贝）
工作在单电源
低热阻封装
应用
??蜂窝， PCS ， CDPD
??无线数据， SONET
卫星
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
M赫兹
dB
dB
dB
V
° C / W
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1.9
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
分钟。
9.2
TY页。
10.2
9.3
8.9
7.5
6.7
20.0
19.6
5000
18.2
27.2
4.7
2.2
97
2.5
马克斯。
11.2
SY mbol
G
P
1dB
OIP
3
参数
小信号增益
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
（POW ER出每个音= -10dBm ）
Bandw ID
通过回波损耗确定（ <-10dB ）
IRL
ORL
NF
V
D
R
Th
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件电压
热阻
V
S
= 5 V
R
BIAS
= 140欧姆
I
D
能力= 20 mA典型值。
T
L
= 25C
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -10 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
如有更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices的不
授权或保证任何斯坦福Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.stanfordmicro.com
EDS - 100623 C版本
初步
SGA - 2186 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
SY mbol
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
输出电网在1dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 5 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 140欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
能力= 20 mA典型值。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
10.3
7.4
20.7
21.4
18.6
15.1
20.7
19.8
15.2
4.2
10.2
7.5
20.0
18.7
21.6
15.4
4.3
9.3
6.7
19.6
18.2
27.2
16.2
4.7
8.9
6.3
19.4
16.6
26.7
16.6
4.8
12.3
24.0
17.5
测试条件：
OIP音间距= 1 MHz时，噘元
-10 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
7
噪声系数（dB ）
6
5
4
3
2
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
绝对限制
40
mA
4V
+6 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
T
L
=+25C
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
T
L
=+25C
工作温度
。范围（T
L
)
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。
偏压条件下也应满足下
表情：我
D
V
D
（最大） < （T
J
- T
L
)/R
th
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
30
25
OIP
3
（ dBm的）
20
15
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
10
T
L
P
1dB
（ dBm的）
8
6
4
2
0
T
L
T
L
=+25C
T
L
=+25C
10
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS - 100623 C版本
初步
SGA - 2186 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
S
21
与频率的关系
S
11
与频率的关系
12
10
8
6
4
2
0
0
1
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
0
-5
-10
S
11
（ dB）的
-15
-20
-25
-30
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
T
L
+25°C
-40°C
+85°C
S
21
（ dB）的
T
L
+25°C
-40°C
+85°C
2
3
频率（GHz ）
4
5
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-10
-15
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
S
12
与频率的关系
-5
-10
-15
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
S
22
与频率的关系
T
L
+25°C
-40°C
+85°C
S
12
（ dB）的
S
22
（ dB）的
-20
-25
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-20
-25
-30
-35
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
T
L
+25°C
-40°C
+85°C
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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初步
SGA - 2186 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-2186
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=20mA
电源电压（V
S
)
R
BIAS
5V
140
6V
200
8V
300
10 V
390
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
L
C
C
D
A21
C
B
C
B
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ A21 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
2
GND
4
A21
2
3
1
对于封装尺寸，是指在轮廓画
www.stanfordmicro.com
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
GND
相同引脚2
4
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
产品型号
SGA-2186
带尺寸
13"
设备/卷
3000
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS - 100623 C版本
产品说明
斯坦福Microdevices的？ SGA - 2186是一款高性能的硅锗
异质结双极晶体管MMIC放大器。达林顿
配置具有1微米的发射器提供了高氟
T
和
优异的热性能比较。异质结增加
击穿电压和最小化之间的漏电流
路口。的发射结的非线性结果取消
在较高的抑制互调产物。在850兆赫
和20mA时，在SGA- 2186通常提供+20 dBm的输出
1分贝压缩权力的IP3 ，增益为10.2分贝， 7.5 dBm的
使用单一的正电源电压。只有2个DC-阻断
电容器，偏置电阻器和一个可选的RF扼流圈，需要
用于操作。
获得&回波损耗与频率。 @T
L
=+25°C
12
10
增益（dB ）
8
6
4
2
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
ORL
收益
0
-8
-16
-24
-32
-40
SGA-2186
DC -5000兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
产品特点
高增益： 9.3分贝1950兆赫
可级联50欧姆
??专利的硅锗技术
IRL
回波损耗（分贝）
工作在单电源
低热阻封装
应用
??蜂窝， PCS ， CDPD
??无线数据， SONET
卫星
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
M赫兹
dB
dB
dB
V
° C / W
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1950年M赫兹
1.9
频率
850微米赫兹
1950年M赫兹
2400米赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
850微米赫兹
1950年M赫兹
分钟。
9.2
TY页。
10.2
9.3
8.9
7.5
6.7
20.0
19.6
5000
18.2
27.2
4.7
2.2
97
2.5
马克斯。
11.2
SY mbol
G
P
1dB
OIP
3
参数
小信号增益
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
（POW ER出每个音= -10dBm ）
Bandw ID
通过回波损耗确定（ <-10dB ）
IRL
ORL
NF
V
D
R
Th
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件电压
热阻
V
S
= 5 V
R
BIAS
= 140欧姆
I
D
能力= 20 mA典型值。
T
L
= 25C
测试条件：
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -10 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
如有更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices的不
授权或保证任何斯坦福Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS - 100623 C版本
初步
SGA - 2186 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
在重点工作频率典型RF性能
SY mbol
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
输出电网在1dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 5 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 140欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
能力= 20 mA典型值。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
10.3
7.4
20.7
21.4
18.6
15.1
20.7
19.8
15.2
4.2
10.2
7.5
20.0
18.7
21.6
15.4
4.3
9.3
6.7
19.6
18.2
27.2
16.2
4.7
8.9
6.3
19.4
16.6
26.7
16.6
4.8
12.3
24.0
17.5
测试条件：
OIP音间距= 1 MHz时，噘元
-10 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
噪声系数与频率的关系
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
7
噪声系数（dB ）
6
5
4
3
2
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
绝对限制
40
mA
4V
+6 dBm的
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
T
L
=+25C
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入电网
马克斯。
结温
. (T
J
)
T
L
=+25C
工作温度
。范围（T
L
)
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。
偏压条件下也应满足下
表情：我
D
V
D
（最大） < （T
J
- T
L
)/R
th
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
30
25
OIP
3
（ dBm的）
20
15
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
10
T
L
P
1dB
（ dBm的）
8
6
4
2
0
T
L
T
L
=+25C
T
L
=+25C
10
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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初步
SGA - 2186 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
S
21
与频率的关系
S
11
与频率的关系
12
10
8
6
4
2
0
0
1
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
0
-5
-10
S
11
（ dB）的
-15
-20
-25
-30
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
T
L
+25°C
-40°C
+85°C
S
21
（ dB）的
T
L
+25°C
-40°C
+85°C
2
3
频率（GHz ）
4
5
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-10
-15
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
S
12
与频率的关系
-5
-10
-15
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
S
22
与频率的关系
T
L
+25°C
-40°C
+85°C
S
12
（ dB）的
S
22
（ dB）的
-20
-25
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-20
-25
-30
-35
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
T
L
+25°C
-40°C
+85°C
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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EDS - 100623 C版本
初步
SGA - 2186 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
基本应用电路
R
BIAS
1 uF的
1000
pF
应用电路元件值
参考
代号
频率（MHz）
500
850
1950
2400
3500
V
S
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-2186
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=20mA
电源电压（V
S
)
R
BIAS
5V
140
6V
200
8V
300
10 V
390
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
L
C
C
D
A21
C
B
C
B
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
一部分标识标记
该部分将被打上一个？ A21 ？标志上
包装件的顶表面上。
3
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
2
GND
4
A21
2
3
1
对于封装尺寸，是指在轮廓画
www.stanfordmicro.com
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
GND
相同引脚2
4
注意： ESD敏感
产品型号订购信息
产品型号
SGA-2186
带尺寸
13"
设备/卷
3000
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
http://www.stanfordmicro.com
EDS - 100623 C版本
产品说明
在SGA - 2186是一款高性能的SiGe HBT MMIC放大器。一
达林顿配置具有1微米发射器提供了高
FT和优异的热性能比较。异质结IN-
折痕击穿电压和最小漏电流BE-
吐温路口。的发射结的非线性取消
导致更高的抑制互调产物。只
2隔直流电容，偏压电阻器和一个可选的RF
扼流圈所需的操作。
SGA-2186
SGA-2186Z
Pb
＆放大器;
绿色
包
DC -5000兆赫，可级联
的SiGe HBT MMIC放大器
符合RoHS
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了后
退火处理，以减轻锡须的形成和符合RoHS
产品特点
每个符合欧盟指令2002/95 。这个包也是制造
factured与不含抗绿色塑封料
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
三氧化锑，也不卤化阻燃剂。
宽带运营： DC -5000 MHz的
获得&回波损耗与频率。 @T
L
=+25°C
12
收益
回波损耗（分贝）
9
增益（dB ）
IRL
6
ORL
-20
-10
0
可级联50欧姆
工作在单电源
低热阻封装
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星
3
-30
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
-40
符号
G
参数
小信号增益
单位
dB
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
850兆赫
1950年兆赫
850兆赫
1950年兆赫
分钟。
9.2
典型值。
10.2
9.3
8.9
7.5
6.7
20.0
19.6
5000
马克斯。
11.2
P
1dB
OIP
3
输出电网在1dB压缩
输出三阶截点
DBM
DBM
兆赫
dB
dB
dB
V
mA
° C / W
Bandw ID
通过回波损耗确定（ >10分贝）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
V
S
= 5 V
R
BIAS
= 140欧姆
1950年兆赫
1950年兆赫
1950年兆赫
1.9
17
18.2
27.2
4.4
2.2
20
97
2.5
23
测试条件：
I
D
能力= 20 mA典型值。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -10 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
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303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 100623冯é
SGA - 2186 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
初步
在重点工作频率典型RF性能
符号
参数
单位
100
频率
频率（MHz）
频率（MHz） （ MHz）的
500
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
V
S
= 5 V
V
S
= 8 V
R
BIAS
= 140欧姆
R
BIAS
= 39欧姆
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
能力= 20 mA典型值。
II
D
= 80毫安典型。
D
中T = 25℃
T
LL
= 25C
10.3
20.7
7.4
21.4
18.6
15.1
20.7
19.8
15.2
4.2
10.2
20.0
7.5
18.7
21.6
15.4
4.3
9.3
19.6
6.7
18.2
27.2
16.2
4.4
8.9
19.4
6.3
16.6
26.7
16.6
4.6
12.3
24.0
17.5
测试条件：
OIP音间距= 1 MHz时，
-10 dBm的
OIP
33
音间距= 1 MHz时，每个音噘= 0 dBm的
Z
S
= Z = 50欧姆
Z
S
= Z
LL
= 50欧姆
绝对最大额定值
噪声系数与频率的关系
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
7
噪声系数（dB ）
6
5
4
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
绝对限制
40
mA
4V
+18 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
T
L
=+25C
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
马克斯。
储存温度
.
T
L
=+25C
3
2
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
OIP
3
与频率的关系
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
30
25
OIP
3
（ dBm的）
20
15
P
1dB
与频率的关系
V
D
= 2.2 V，I
D
= 20毫安
10
T
L
P
1dB
（ dBm的）
8
6
4
2
0
T
L
T
L
=+25C
T
L
=+25C
10
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS - 100623冯é
SGA - 2186 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
初步
典型的射频性能过热（
偏置： V
D
= 2.2 V,
I
D
= 20 mA（典型值）
)
12
|
S
|
与频率的关系
21
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-30
|
S
|
与频率的关系
11
9
S
21
（ dB）的
6
3
T
L
0
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
|
S
|
与频率的关系
-10
-15
S
12
（ dB）的
12
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-30
|
S
|
与频率的关系
22
-20
-25
T
L
-30
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
+25°C
-40°C
+85°C
T
L
-40
5
+25°C
-40°C
+85°C
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
注：可在完整的S参数数据
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SGA - 2186 DC -5000 MHz的级联MMIC放大器
初步
基本应用电路
R
BIAS
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
1 uF的
1000
pF
C
D
L
C
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
4
1
SGA-2186
3
2
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=20mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
5V
140
6V
200
8V
300
10 V
390
V
S
R
BIAS
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
1 uF的
1000 pF的
安装说明
1.根据使用的器件引脚2大接地焊盘面积
和4具有许多通孔镀敷，如图所示。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
L
C
C
D
C
B
A21
C
B
针＃
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器的
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔用
为了获得最佳性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
一部分标识标记
3
3
2, 4
GND
4
A21
1
2
4
21Z
1
2
3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
产品型号订购信息
产品型号
带尺寸
设备/卷
请参阅应用笔记AN- 075
对于封装外形图
SGA-2186
SGA-2186Z
13"
13"
3000
3000
303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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