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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第358页 > SGA-1263
初步
产品说明
SGA-1263
Sirenza的微器件？ SGA - 1263是一种硅锗HBT
异质结双极晶体管（ HBT的SiGe ）放大器
提供出色的隔离和应用平坦增益响应
系统蒸发散到4GHz 。
这RFIC是一个2级设计，可以提供高隔离
达至40dB ，在2 GHz和采用最新的硅锗被制造
HBT 50 GHz的F
T
过程中，具有1微米的发射器与
VCEO > 7V 。
这些无条件稳定放大器具有小于1dB
增益漂移在125℃工作范围（ -40℃至+ 85℃）和
非常适合用作缓冲放大器，振荡器的应用
系统蒸发散覆盖蜂窝， ISM和窄带PCS频段。
隔离与频率的关系
0
-2 0
DC -4000 MHz的硅锗
HBT可级联增益模块
产品特点
DC -4000 MHz工作
单电源电压
优良的隔离， >50分贝在900MHz
50欧姆输入/输出，宽带匹配操作
从DC- 4GHz的
无条件稳定
dB
-4 0
-6 0
-8 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
应用
缓冲放大器的振荡器的应用
宽带增益模块
IF放大器
单位
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000 - 4000兆赫
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000 - 4000兆赫
F = DC - 2400兆赫
F = 2400 - 4000兆赫
F = DC - 2400兆赫
F = 2400 - 4000兆赫
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2400年兆赫
F = 1000 MHz的
DBM
DBM
dB
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-
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DBM
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2.5
6
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分钟。
TY页。
-7.8
-7.4
15.9
15.2
12.3
56.3
40.6
30.8
1.8:1
1.3:1
1.8:1
1.9:1
2.6
2.8
2.7
2.9
82
2.8
8
3.1
10
马克斯。
兆赫频率
SY mbol
P
1dB
S
21
参数：测试条件：
Z
0
= 50欧姆，ID = 8毫安， T = 25℃
输出电网在1dB压缩
小信号增益
S
12
S
11
S
22
IP
3
NF
T
D
V
D
I
D
反向隔离
输入VSWR
输出VSWR
三阶截点
每个音POW ER出= -20 dBm的
噪声系数
群时延
器件工作电压
器件工作电流
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..
全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
EDS - 100935修订版B
初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
参数
带宽
频带
器件偏置
工作电压
工作电流
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
规范
民
DC
2.8
8
16.0
2.7
4.0
-6.9
8.5
61.6
15.7
2.7
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8.9
48.4
14.7
3.0
2.8
-7.4
8.8
35.6
14.2
2.8
0.2
-7.0
8.4
33.6
TY页。
马克斯。
4000
单位
M赫兹
V
mA
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
T = 25℃
T = 25℃
TEST
条件
T = 25℃
T = 25℃
T = 25℃
T = 25℃
绝对最大额定值
参数
马克斯。
EVI CE光凭目前
(I
D
)
马克斯。
EVI CE
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
Juncti的温度
. (T
J
)
操作，实际温度NG
。范围（T
L
)
绝对限制
20
mA
5V
-12 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
操作，实际对THI第德维CE超越这些李密TS任何人可以
会造成永久性的损害。对别人一同孔蒂理性操作，实际，
在德维CE电压和电流不得超过马克西妈妈
吴操作，实际值特定网络编辑表中的一个页面上。
碧如康迪TI组件也应殉SFY在followi吴expressi ：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
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EDS- 100935版本A
初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
P中＃
1
功能
ESCRIPTION
GND
onnecti到地面。用vi一个孔
最佳的性能，以减少铅
我nductance接近地面会导致如
possi BLE 。
GND
艾姆斯为P I N 1
在RF
RF我NPUT PI 。氏s PI requi水库运用
外部D C blocki吴卡帕奇器
选择用于操作，实际上的频率。
V CC
S upply onnecti上。氏s PI N必须
无线网络绕过第一个自成一表卡帕奇器（ S） 。
GND
艾姆斯为P I N 1
RF输出RF输出和双为pi 。 D C电压I S
目前在THI s PI N，因此D C
blocki吴卡帕奇器我有必要对于s
正确的操作，实际的。
EV ICE-S电气原理
2
3
4
5
6
应用原理图+ 5V工作频率为900MHz
注：偏置电阻需要
温度稳定性
1uF
68pF
270欧姆
V
CC
=+5V
50 OHM
微带
50 OHM
微带
3
100pF
4
6
1,2,5
100pF
应用原理图+ 5V工作在1900 MHz的
270欧姆
V
CC
=+5V
50 OHM
微带
1uF
4
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1,2,5
22pF
50 OHM
微带
68pF
68pF
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初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
S21 ，编号为8毫安， T = + 25℃
24
S12 ，编号为8毫安， T = + 25℃
0
-2 0
18
dB
12
dB
-4 0
-6 0
-8 0
100
500
900
1900
2400
3500
1900
2400
3500
6000
6
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，编号为8毫安， T = + 25℃
0
-1 0
S22 ，编号为8毫安， T = + 25℃
0
-1 0
dB
-2 0
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100
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dB
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500
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1900
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3500
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 8毫安，TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 8毫安，TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
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6000
6000
0
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初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
S21 ，编号为8毫安， T = -40℃
24
18
0
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S12 ，编号为8毫安， T = -40℃
dB
1 2
6
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频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，编号为8毫安， T = -40℃
0
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S22 ，编号为8毫安， T = -40℃
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500
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1900
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3500
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，编号为8毫安， T = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，编号为8毫安， T = -40℃
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6000
初步
产品说明
SGA-1263
Sirenza的微器件？ SGA - 1263是一种硅锗HBT
异质结双极晶体管（ HBT的SiGe ）放大器
提供出色的隔离和应用平坦增益响应
系统蒸发散到4GHz 。
这RFIC是一个2级设计，可以提供高隔离
达至40dB ，在2 GHz和采用最新的硅锗被制造
HBT 50 GHz的F
T
过程中，具有1微米的发射器与
VCEO > 7V 。
这些无条件稳定放大器具有小于1dB
增益漂移在125℃工作范围（ -40℃至+ 85℃）和
非常适合用作缓冲放大器，振荡器的应用
系统蒸发散覆盖蜂窝， ISM和窄带PCS频段。
隔离与频率的关系
0
-2 0
DC -4000 MHz的硅锗
HBT可级联增益模块
产品特点
DC -4000 MHz工作
单电源电压
优良的隔离， >50分贝在900MHz
50欧姆输入/输出，宽带匹配操作
从DC- 4GHz的
无条件稳定
dB
-4 0
-6 0
-8 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
应用
缓冲放大器的振荡器的应用
宽带增益模块
IF放大器
单位
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000 - 4000兆赫
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F = 1000至2000年兆赫
F = 2000 - 4000兆赫
F = DC - 2400兆赫
F = 2400 - 4000兆赫
F = DC - 2400兆赫
F = 2400 - 4000兆赫
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2400年兆赫
F = 1000 MHz的
DBM
DBM
dB
dB
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DBM
DBM
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V
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2.5
6
14.3
分钟。
TY页。
-7.8
-7.4
15.9
15.2
12.3
56.3
40.6
30.8
1.8:1
1.3:1
1.8:1
1.9:1
2.6
2.8
2.7
2.9
82
2.8
8
3.1
10
马克斯。
兆赫频率
SY mbol
P
1dB
S
21
参数：测试条件：
Z
0
= 50欧姆，ID = 8毫安， T = 25℃
输出电网在1dB压缩
小信号增益
S
12
S
11
S
22
IP
3
NF
T
D
V
D
I
D
反向隔离
输入VSWR
输出VSWR
三阶截点
每个音POW ER出= -20 dBm的
噪声系数
群时延
器件工作电压
器件工作电流
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..
全球版权所有。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
参数
带宽
频带
器件偏置
工作电压
工作电流
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
规范
民
DC
2.8
8
16.0
2.7
4.0
-6.9
8.5
61.6
15.7
2.7
2.6
-7.8
8.9
48.4
14.7
3.0
2.8
-7.4
8.8
35.6
14.2
2.8
0.2
-7.0
8.4
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TY页。
马克斯。
4000
单位
M赫兹
V
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dB
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DBM
dB
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dB
DBM
DBM
dB
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DBM
DBM
dB
dB
T = 25℃
T = 25℃
TEST
条件
T = 25℃
T = 25℃
T = 25℃
T = 25℃
绝对最大额定值
参数
马克斯。
EVI CE光凭目前
(I
D
)
马克斯。
EVI CE
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
Juncti的温度
. (T
J
)
操作，实际温度NG
。范围（T
L
)
绝对限制
20
mA
5V
-12 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
操作，实际对THI第德维CE超越这些李密TS任何人可以
会造成永久性的损害。对别人一同孔蒂理性操作，实际，
在德维CE电压和电流不得超过马克西妈妈
吴操作，实际值特定网络编辑表中的一个页面上。
碧如康迪TI组件也应殉SFY在followi吴expressi ：
I
D
V
D
< （T
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) / R
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初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
P中＃
1
功能
ESCRIPTION
GND
onnecti到地面。用vi一个孔
最佳的性能，以减少铅
我nductance接近地面会导致如
possi BLE 。
GND
艾姆斯为P I N 1
在RF
RF我NPUT PI 。氏s PI requi水库运用
外部D C blocki吴卡帕奇器
选择用于操作，实际上的频率。
V CC
S upply onnecti上。氏s PI N必须
无线网络绕过第一个自成一表卡帕奇器（ S） 。
GND
艾姆斯为P I N 1
RF输出RF输出和双为pi 。 D C电压I S
目前在THI s PI N，因此D C
blocki吴卡帕奇器我有必要对于s
正确的操作，实际的。
EV ICE-S电气原理
2
3
4
5
6
应用原理图+ 5V工作频率为900MHz
注：偏置电阻需要
温度稳定性
1uF
68pF
270欧姆
V
CC
=+5V
50 OHM
微带
50 OHM
微带
3
100pF
4
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1,2,5
100pF
应用原理图+ 5V工作在1900 MHz的
270欧姆
V
CC
=+5V
50 OHM
微带
1uF
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1,2,5
22pF
50 OHM
微带
68pF
68pF
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初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
S21 ，编号为8毫安， T = + 25℃
24
S12 ，编号为8毫安， T = + 25℃
0
-2 0
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dB
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1900
2400
3500
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兆赫频率
兆赫频率
S11 ，编号为8毫安， T = + 25℃
0
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S22 ，编号为8毫安， T = + 25℃
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兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 8毫安，TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 8毫安，TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
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6000
6000
0
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初步
初步
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S21 ，编号为8毫安， T = -40℃
24
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S12 ，编号为8毫安， T = -40℃
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兆赫频率
兆赫频率
S11 ，编号为8毫安， T = -40℃
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S22 ，编号为8毫安， T = -40℃
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兆赫频率
兆赫频率
S11 ，编号为8毫安， T = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
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S22 ，编号为8毫安， T = -40℃
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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初步
产品说明
SGA-1263
Sirenza的微器件？ SGA - 1263是一种硅锗HBT
异质结双极晶体管（ HBT的SiGe ）放大器
提供出色的隔离和应用平坦增益响应
系统蒸发散到4GHz 。
这RFIC是一个2级设计，可以提供高隔离
达至40dB ，在2 GHz和采用最新的硅锗被制造
HBT 50 GHz的F
T
过程中，具有1微米的发射器与
VCEO > 7V 。
这些无条件稳定放大器具有小于1dB
增益漂移在125℃工作范围（ -40℃至+ 85℃）和
非常适合用作缓冲放大器，振荡器的应用
系统蒸发散覆盖蜂窝， ISM和窄带PCS频段。
隔离与频率的关系
0
-2 0
DC -4000 MHz的硅锗
HBT可级联增益模块
产品特点
DC -4000 MHz工作
单电源电压
优良的隔离， >50分贝在900MHz
50欧姆输入/输出，宽带匹配操作
从DC- 4GHz的
无条件稳定
dB
-4 0
-6 0
-8 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
应用
缓冲放大器的振荡器的应用
宽带增益模块
IF放大器
单位
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000 - 4000兆赫
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000 - 4000兆赫
F = DC - 2400兆赫
F = 2400 - 4000兆赫
F = DC - 2400兆赫
F = 2400 - 4000兆赫
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2400年兆赫
F = 1000 MHz的
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
-
-
DBM
DBM
dB
dB
pS
V
mA
2.5
6
14.3
分钟。
TY页。
-7.8
-7.4
15.9
15.2
12.3
56.3
40.6
30.8
1.8:1
1.3:1
1.8:1
1.9:1
2.6
2.8
2.7
2.9
82
2.8
8
3.1
10
马克斯。
兆赫频率
SY mbol
P
1dB
S
21
参数：测试条件：
Z
0
= 50欧姆，ID = 8毫安， T = 25℃
输出电网在1dB压缩
小信号增益
S
12
S
11
S
22
IP
3
NF
T
D
V
D
I
D
反向隔离
输入VSWR
输出VSWR
三阶截点
每个音POW ER出= -20 dBm的
噪声系数
群时延
器件工作电压
器件工作电流
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用不承担任何责任
这些信息，所有此类信息应完全由用户??自己的风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。本文描述的任何专利权或许可给任何电路都
暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..
全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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EDS - 100935修订版B
初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
参数
带宽
频带
器件偏置
工作电压
工作电流
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
规范
民
DC
2.8
8
16.0
2.7
4.0
-6.9
8.5
61.6
15.7
2.7
2.6
-7.8
8.9
48.4
14.7
3.0
2.8
-7.4
8.8
35.6
14.2
2.8
0.2
-7.0
8.4
33.6
TY页。
马克斯。
4000
单位
M赫兹
V
mA
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
T = 25℃
T = 25℃
TEST
条件
T = 25℃
T = 25℃
T = 25℃
T = 25℃
绝对最大额定值
参数
马克斯。
EVI CE光凭目前
(I
D
)
马克斯。
EVI CE
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
Juncti的温度
. (T
J
)
操作，实际温度NG
。范围（T
L
)
绝对限制
20
mA
5V
-12 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
操作，实际对THI第德维CE超越这些李密TS任何人可以
会造成永久性的损害。对别人一同孔蒂理性操作，实际，
在德维CE电压和电流不得超过马克西妈妈
吴操作，实际值特定网络编辑表中的一个页面上。
碧如康迪TI组件也应殉SFY在followi吴expressi ：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
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2
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EDS- 100935版本A
初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
P中＃
1
功能
ESCRIPTION
GND
onnecti到地面。用vi一个孔
最佳的性能，以减少铅
我nductance接近地面会导致如
possi BLE 。
GND
艾姆斯为P I N 1
在RF
RF我NPUT PI 。氏s PI requi水库运用
外部D C blocki吴卡帕奇器
选择用于操作，实际上的频率。
V CC
S upply onnecti上。氏s PI N必须
无线网络绕过第一个自成一表卡帕奇器（ S） 。
GND
艾姆斯为P I N 1
RF输出RF输出和双为pi 。 D C电压I S
目前在THI s PI N，因此D C
blocki吴卡帕奇器我有必要对于s
正确的操作，实际的。
EV ICE-S电气原理
2
3
4
5
6
应用原理图+ 5V工作频率为900MHz
注：偏置电阻需要
温度稳定性
1uF
68pF
270欧姆
V
CC
=+5V
50 OHM
微带
50 OHM
微带
3
100pF
4
6
1,2,5
100pF
应用原理图+ 5V工作在1900 MHz的
270欧姆
V
CC
=+5V
50 OHM
微带
1uF
4
3
6
1,2,5
22pF
50 OHM
微带
68pF
68pF
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3
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初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
S21 ，编号为8毫安， T = + 25℃
24
S12 ，编号为8毫安， T = + 25℃
0
-2 0
18
dB
12
dB
-4 0
-6 0
-8 0
100
500
900
1900
2400
3500
1900
2400
3500
6000
6
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，编号为8毫安， T = + 25℃
0
-1 0
S22 ，编号为8毫安， T = + 25℃
0
-1 0
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 8毫安，TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 8毫安，TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
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4
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6000
6000
0
100
500
900
初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
S21 ，编号为8毫安， T = -40℃
24
18
0
-2 0
S12 ，编号为8毫安， T = -40℃
dB
1 2
6
0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-4 0
-6 0
-8 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，编号为8毫安， T = -40℃
0
-1 0
S22 ，编号为8毫安， T = -40℃
0
-1 0
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，编号为8毫安， T = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，编号为8毫安， T = -40℃
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6000
初步
产品说明
斯坦福Microdevices的SGA - 1263是一种硅锗
HBT异质结双极晶体管（ HBT的SiGe ）放大器
它可提供出色的隔离和平坦增益响应
应用到4GHz 。
这RFIC是一个2级设计，可以提供高隔离
达至40dB ，在2 GHz和采用最新的硅锗被制造
HBT 50 GHz的F
T
过程中，具有1微米的发射器与
VCEO > 7V 。
这些无条件稳定放大器具有小于1dB
增益漂移在125℃工作范围（ -40℃至+ 85℃）和
非常适合用作缓冲放大器，振荡器的应用
系统蒸发散覆盖蜂窝， ISM和窄带PCS频段。
隔离与频率的关系
0
-2 0
SGA-1263
DC -4000 MHz的硅锗
HBT可级联增益模块
产品特点
DC -4000 MHz工作
单电源电压
优良的隔离， >50分贝在900MHz
50欧姆输入/输出，宽带匹配操作
从DC- 4GHz的
无条件稳定
dB
-4 0
-6 0
-8 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
兆赫频率
参数：测试条件：
Z
0
= 50欧姆，ID = 8毫安， T = 25℃
在1dB压缩输出功率
应用
缓冲放大器的振荡器的应用
宽带增益模块
IF放大器
单位
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000 - 4000兆赫
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000 - 4000兆赫
F = DC - 2400兆赫
F = 2400 - 4000兆赫
F = DC - 2400兆赫
F = 2400 - 4000兆赫
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2400年兆赫
F = 1000 MHz的
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
dB
dB
-
-
分贝米
分贝米
dB
dB
pS
V
2.5
14.3
分钟。
典型值。
-7.8
-7.4
15.9
15.2
12.3
56.3
40.6
30.8
1.8:1
1.3:1
1.8:1
1.9:1
2.6
2.8
2.7
2.9
82
2.8
3.1
马克斯。
符号
P
1dB
S
21
小信号增益
S
12
反向隔离
S
11
S
22
IP
3
NF
T
D
V
D
输入VSWR
输出VSWR
三阶截点
每个音调功率输出= -20 dBm的
噪声系数
群时延
器件电压
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
规范
参数
Bandw ID
频带
器件偏置
工作电压
工作电流
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
民
DC
2.8
8
16.0
2.7
4.0
-6.9
8.5
61.6
15.7
2.7
2.6
-7.8
8.9
48.4
14.7
3.0
2.8
-7.4
8.8
35.6
14.2
2.8
0.2
-7.0
8.4
33.6
典型值。
马克斯。
4000
单位
T = 25℃
兆赫
T = 25℃
V
mA
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
TEST
条件
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
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2
初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
针＃
1
功能
ESCRIPTION
GND
onnecti到地面。用vi一个孔
最佳的性能，以减少铅
我nductance接近地面会导致如
possi BLE 。
GND
萨姆斯为pi N + 1
在RF
RF我NPUT PI 。氏s PI requi水库运用
外部D C blocki吴卡帕奇器
选择用于操作，实际上的频率。
V CC
供应C onnecti上。氏s PI N必须
无线网络绕过第一个自成一表卡帕奇器（ S） 。
GND
萨姆斯为pi N + 1
RF输出RF输出和双为pi 。 D C电压I S
目前在THI s PI N，因此D C
blocki吴卡帕奇器我有必要对于s
正确的操作，实际的。
evice示意图
2
3
4
5
6
应用原理图+ 5V工作频率为900MHz
注：偏置电阻需要
温度稳定性
1uF
68pF
270欧姆
V
CC
=+5V
50 OHM
微带
50 OHM
微带
4
3
100pF
6
1,2,5
100pF
应用原理图+ 5V工作在1900 MHz的
270欧姆
V
CC
=+5V
50 OHM
微带
1uF
22pF
4
6
3
68pF
50 OHM
微带
1,2,5
68pF
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
如有更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices的不
授权或保证任何斯坦福Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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3
初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 10毫安， T = + 25℃
24
18
0
-2 0
S12 ，ID = 10毫安， T = + 25℃
dB
12
6
0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-4 0
-6 0
-8 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
6000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 10毫安， T = + 25℃
0
-1 0
S22 ，ID = 10毫安， T = + 25℃
0
-1 0
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 10毫安，TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 10毫安，TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
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4
初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
S21 ，ID = 10毫安， T = -40℃
24
18
0
-2 0
S12 ，ID = 10毫安， T = -40℃
dB
1 2
6
0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-4 0
-6 0
-8 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 10毫安， T = -40℃
0
-1 0
S22 ，ID = 10毫安， T = -40℃
0
-1 0
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
6000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ，ID = 10毫安， T = -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 6.0 GHz的
S22 ，ID = 10毫安， T = -40℃
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斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
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