产品说明
斯坦福Microdevices的？ SGA- 0163是一种高性能的
可级联50欧姆的放大器，设计用于操作
电压低至2.1V 。这RFIC采用最新的硅
锗异质结双极晶体管（ HBT的SiGe ）
工艺特点1微米发射器为F
T
高达50 GHz 。
该电路采用达林顿对拓扑电阻
宽带绩效反馈以及稳定性
它的整个温度范围内。内部匹配到50欧姆
阻抗时， SGA- 0163只需要隔直和
旁路电容的外部元件。
小信号增益与频率的关系
15
初步
初步
SGA-0163
DC -4500 MHz的硅锗
可级联增益模块
10
dB
产品特点
DC -4500 MHz工作
单电源供电
低电流消耗： 8毫安在2.1V （典型值） 。
高输出截取： 10 dBm的典型值。在
1950MHz
5
0
0
1
2
3
4
5
6
GHz的频率
应用
振荡器放大器
宽带增益模块
IF / RF缓冲放大器
SY mbol
参数：测试条件：
Z
0
= 50欧姆，我
D
= 8毫安， T = 25℃
输出电网在1dB压缩
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
单位
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
兆赫
F = DC - 4500MHz
F = DC - 4500MHz
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 1950 MHz的
-
-
dB
dB
dB
dB
V
摄氏度/ W
分钟。
TY页。
-1.8
-1.8
-2.4
9.4
9.8
9.2
12.7
12.0
11.6
4500
1.6:1
1.3:1
17.6
18.1
18.3
4.6
2.1
255
马克斯。
P
1dB
IP
3
三阶截点
每个音POW ER出= -17 dBm的
S
21
BW
3dB
S
11
S
22
S
12
NF
V
D
R
th
J-升
小信号增益
3分贝Bandw ID
输入VSWR
输出VSWR
反向隔离
噪声系数
器件电压
热阻（结 - 铅）
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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EDS- 101494版本A
1
初步
初步
SGA - 0163 DC- 4.5 GHz的2.1V SiGe半导体放大器
绝对最大额定值
此装置的其中任何一个上述的操作
参数可能会造成永久性的损害。
偏压条件下也应满足下
表情：我
D
V
D
（最大） < （T
J
- T
OP
)/R
th
J-升
参数
电源电流
器件电压
工作温度
最大输入电网
存储温度范围
工作结温
价值
16
6
-40至+85
-4
-40到+150
+150
单位
mA
V
C
DBM
C
C
关键参数，在典型的工作频率：
参数
100兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
500兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
850兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
1950年兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
2400兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
3500兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
皮卡尔TY
25C
测试条件
单位
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
(I
D
= 8毫安，除非另有说明）
12.9
9.4
-1.5
12.5
17.3
4.6
12.8
9.5
-1.5
12.7
17.4
4.6
12.7
9.4
-1.8
12.8
17.6
4.7
12.0
9.8
-1.8
12.4
18.1
4.6
11.6
9.2
-2.5
12.1
18.3
10.6
9.3
-2.7
11.8
18.5
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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初步
初步
SGA - 0163 DC- 4.5 GHz的2.1V SiGe半导体放大器
针＃
1
功能
GND
描述
连接到地。为了获得最好的
过孔的使用性能（如接近
接地引线尽可能），以减少铅
电感。
相同的引脚1
射频输入引脚。该引脚需要使用的
外部隔直流电容器选择用于
操作的次数。
相同的引脚1
相同的引脚1
RF输出和偏置引脚。偏差应
通过外部提供给该引脚
串联电阻器和射频扼流电感器。
由于直流偏置存在于这个针，一
隔直电容应使用
大多数应用程序（见应用
原理图） 。这种偏见的供给方
网络接应该是瓦特ELL绕过。
设备原理图
2
3
GND
在RF
4
5
6
GND
GND
RF OUT
应用原理
推荐偏置电阻值
供应
电压（Vs）
Rbias两端（欧姆）
5V
360
7.5V
680
9V
820
12V
1.2K
Cd1
Cd2
R偏压
V
s
注：偏置电阻是需要稳定
温度过高。
50 OHM
微带
Lchoke
1,2
3
Cb1
6
4,5
Cb2
50 OHM
微带
指南
esignator
B1
B2
D1
D2
Lchoke
功能
D C Blocki NG
D C Blocki NG
ecoupli NG
ecoupli NG
AC Blocki NG
500 MH
220 pF的
220 pF的
1 uF的
100 pF的
68 nH的
850 MH
100 pF的
100 pF的
1 uF的
68 pF的
33 nH的
1950 MH
68 pF的
68 pF的
1 uF的
22 pF的
22 nH的
2400 MH
56 pF的
56 pF的
1 uF的
22 pF的
18 nH的
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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初步
初步
SGA - 0163 DC- 4.5 GHz的2.1V SiGe半导体放大器
20
S21与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
0
S12与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
15
-10
dB
10
dB
-20
-30
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
5
0
GHz的
GHz的
0
-5
S11与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
0
S22与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
-10
dB
dB
0
1
2
3
4
5
6
-10
-15
-20
-25
-20
-30
-40
0
1
2
3
4
5
6
GHz的
GHz的
15
IP3与温度的关系，我
D
= 8毫安
0
-2
P1dB为与温度的关系，我
D
= 8毫安
DBM
10
DBM
5
25C
-40C
85C
0
1
2
3
4
-4
-6
-8
25C
-40C
85C
0
1
2
3
4
0
-10
GHz的
GHz的
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初步
初步
SGA - 0163 DC- 4.5 GHz的2.1V SiGe半导体放大器
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施，并
测试设备必须遵守。
产品型号订购信息
产品型号
SGA-0163
带尺寸
7"
设备/卷
3000
6
5
4
注：1脚是在左下角时，你可以
看包装标识
包装标志
G45
1
2
3
包装尺寸
1.30 (0.051)
REF 。
焊盘布局
0.026
2.20 (0.087)
2.00 (0.079)
1.35 (0.053)
1.15 (0.045)
0.075
0.035
0.650 BSC （ 0.025 ）
2.20 (0.087)
1.80 (0.071)
0.10 (0.004)
0.00 (0.00)
1.00 (0.039)
0.80 (0.031)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
0.016
0.425 (0.017)
典型值。
0.20 (0.0080
0.10 (0.004)
0.30 REF 。
10°
0.30 (0.012)
0.10 (0.0040
尺寸单位为英寸[ MM ]
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初步
SGA-0163
产品说明
在SGA - 0163是一款高性能的SiGe HBT MMIC放大器。
达林顿电路配置具有1微米发射器提供
高FT和优异的热性能比较。异质结
增加了击穿电压和最小漏电流BE-
吐温路口。的发射结的非线性取消
导致更高的抑制互调产物。只
2隔直流电容，偏压电阻器和一个可选的RF
扼流圈所需的操作。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了
后退火处理，以减轻锡晶须形成，并
每个符合RoHS欧盟指令2002/95标准。这个包还
与不含绿色塑封料生产
三氧化二锑，也没有卤化阻燃剂。
小信号增益与频率的关系
15
SGA-0163Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
初步
DC -4500 MHz的硅锗可级联
增益模块
产品特点
现在，在无铅，符合RoHS可用
兼容， &绿色包装
DC -4500 MHz工作
单电源供电
低电流消耗： 8毫安在2.1V （典型值） 。
高输出截取： 10 dBm的典型值。在1900兆赫
10
应用
?? PA驱动放大器
蜂窝， PCS ， GSM ， UMTS
中频放大器
??无线数据，卫星
0
1
2
3
4
5
6
dB
5
0
GHz的频率
符号
P
1dB
参数
输出电网在1dB压缩
频率
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
单位
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
兆赫
分钟。
典型值。
-1.8
-1.8
-2.4
9.4
9.8
9.2
12.7
12.0
11.6
4500
1.6:1
1.3:1
17.6
18.1
18.3
4.6
2.1
马克斯。
IP
3
三阶截点
S
21
BW
3dB
VSWR
IN
VSWR
OUT
S
12
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
小信号增益
3分贝Bandw ID
输入VSWR
输出VSWR
反向隔离
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结 - 铅）
DC - 4500MHz
DC - 4500MHz
850兆赫
1950年兆赫
2400兆赫
1950年兆赫
-
-
dB
dB
dB
dB
V
mA
摄氏度/ W
6
8
255
10
测试条件：
V
S
= 5 V
R
BIAS
= 360欧姆
I
D
= 5毫安典型。
T
L
= 25C
OIP
3
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17 dBm的
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用这种不负责
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2001年Sirenza的Microdevices公司，公司..全球所有权利
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303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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EDS - 101494版D
初步
SGA - 0163 DC- 4.5 GHz的2.1V SiGe半导体放大器
初步
关键参数，在典型的工作频率：
参数
100兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
500兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
850兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
1950年兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
2400兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
3500兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
典型
25C
测试条件
单位
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
(I
D
= 8毫安，除非另有说明）
12.9
9.4
-1.5
12.5
17.3
4.6
12.8
9.5
-1.5
12.7
17.4
4.6
12.7
9.4
-1.8
12.8
17.6
4.7
12.0
9.8
-1.8
12.4
18.1
4.6
11.6
9.2
-2.5
12.1
18.3
10.6
9.3
-2.7
11.8
18.5
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
绝对最大额定值
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
绝对限制
16
mA
6V
-4 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
马克斯。
储存温度
.
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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初步
SGA - 0163 DC- 4.5 GHz的2.1V SiGe半导体放大器
初步
20
S21与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
0
S12与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
15
-10
dB
10
dB
-20
-30
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
5
0
GHz的
GHz的
0
-5
S11与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
0
S22与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
-10
dB
dB
0
1
2
3
4
5
6
-10
-15
-20
-25
-20
-30
-40
0
1
2
3
4
5
6
GHz的
GHz的
15
IP3与温度的关系，我
D
= 8毫安
0
-2
P1dB为与温度的关系，我
D
= 8毫安
DBM
10
DBM
5
25C
-40C
85C
0
1
2
3
4
-4
-6
-8
25C
-40C
85C
0
1
2
3
4
0
-10
GHz的
GHz的
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SGA - 0163 DC- 4.5 GHz的2.1V SiGe半导体放大器
初步
基本应用电路
R
BIAS
应用电路元件值
频率（MHz）
参考
代号
500
850
1950
2400
3500
V
S
1 uF的
1000
pF
C
D
L
C
1,2
C
B
C
D
L
C
220 pF的
100 pF的
68 nH的
100 pF的
68 pF的
33 nH的
68 pF的
22 pF的
22 nH的
56 pF的
22 pF的
18 nH的
39 pF的
15 pF的
15 nH的
在RF
C
B
3
SGA-0163
6
4,5
C
B
RF OUT
推荐偏置电阻值我
D
=8mA
R
BIAS
=( V
S
-V
D
) / I
D
电源电压（V
S
)
R
BIAS
5V
360
7.5 V
680
9V
820
12 V
1.2K
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
注释：R
BIAS
提供直流偏压温度稳定性。
C
D
L
C
G45
安装说明
1.使用大接地焊盘面积接近器件引脚1 ， 2 ，
4和5有许多通孔镀敷，如图所示。
2.我们推荐1或2盎司铜。测量
此数据表上的31密耳厚的FR -4制作
板两侧1盎司铜。
C
B
C
B
针＃
功能
在RF
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器
选择用于操作的频率。
连接到地。通孔为使用
最佳的性能，以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
一部分标识标记
3
6 5 4
6 5 4
G45
1, 2, 4,
5
GND
G45
1 2 3
G5Z
6
1 2 3
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上，因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
产品型号
带尺寸
设备/卷
SGA-0163
SGA-0163Z
7"
7"
3000
3000
303科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO ， 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS - 101494版D
初步
SGA - 0163 DC- 4.5 GHz的2.1V SiGe半导体放大器
SOT- 363的PCB焊盘布局
初步
尺寸以英寸[毫米]
RF
OUT
RF
IN
注意事项：
1.提供根据设备的大接地焊盘面积
引脚1 ， 2，4， & 5有许多通孔的镀
如图所示。
2.给定的尺寸为50欧姆RF I / O线是
31密耳厚GETEK 。相应规模的不同
板的厚度和介电contants 。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
ments此数据表中的31万做
厚GETEK与两侧1盎司铜。
SOT- 363封装标称尺寸
尺寸以英寸[毫米]
链接到SOT -363封装外形全尺寸和图纸
公差可以在www.sirenza.com产品网页上找到。
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产品说明
斯坦福Microdevices的？ SGA- 0163是一种高性能的
可级联50欧姆的放大器，设计用于操作
电压低至2.1V 。这RFIC采用最新的硅
锗异质结双极晶体管（ HBT的SiGe ）
工艺特点1微米发射器为F
T
高达50 GHz 。
该电路采用达林顿对拓扑电阻
宽带绩效反馈以及稳定性
它的整个温度范围内。内部匹配到50欧姆
阻抗时， SGA- 0163只需要隔直和
旁路电容的外部元件。
小信号增益与频率的关系
15
初步
初步
SGA-0163
DC -4500 MHz的硅锗
可级联增益模块
10
dB
产品特点
DC -4500 MHz工作
单电源供电
低电流消耗： 8毫安在2.1V （典型值） 。
高输出截取： 10 dBm的典型值。在
1950MHz
5
0
0
1
2
3
4
5
6
GHz的频率
应用
振荡器放大器
宽带增益模块
IF / RF缓冲放大器
SY mbol
参数：测试条件：
Z
0
= 50欧姆，我
D
= 8毫安， T = 25℃
输出电网在1dB压缩
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
单位
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
兆赫
F = DC - 4500MHz
F = DC - 4500MHz
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = 2400 MHz的
F = 1950 MHz的
-
-
dB
dB
dB
dB
V
摄氏度/ W
分钟。
TY页。
-1.8
-1.8
-2.4
9.4
9.8
9.2
12.7
12.0
11.6
4500
1.6:1
1.3:1
17.6
18.1
18.3
4.6
2.1
255
马克斯。
P
1dB
IP
3
三阶截点
每个音POW ER出= -17 dBm的
S
21
BW
3dB
S
11
S
22
S
12
NF
V
D
R
th
J-升
小信号增益
3分贝Bandw ID
输入VSWR
输出VSWR
反向隔离
噪声系数
器件电压
热阻（结 - 铅）
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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EDS- 101494版本A
1
初步
初步
SGA - 0163 DC- 4.5 GHz的2.1V SiGe半导体放大器
绝对最大额定值
此装置的其中任何一个上述的操作
参数可能会造成永久性的损害。
偏压条件下也应满足下
表情：我
D
V
D
（最大） < （T
J
- T
OP
)/R
th
J-升
参数
电源电流
器件电压
工作温度
最大输入电网
存储温度范围
工作结温
价值
16
6
-40至+85
-4
-40到+150
+150
单位
mA
V
C
DBM
C
C
关键参数，在典型的工作频率：
参数
100兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
500兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
850兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
1950年兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
噪声系数
2400兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
3500兆赫
收益
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
反向隔离
皮卡尔TY
25C
测试条件
单位
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
(I
D
= 8毫安，除非另有说明）
12.9
9.4
-1.5
12.5
17.3
4.6
12.8
9.5
-1.5
12.7
17.4
4.6
12.7
9.4
-1.8
12.8
17.6
4.7
12.0
9.8
-1.8
12.4
18.1
4.6
11.6
9.2
-2.5
12.1
18.3
10.6
9.3
-2.7
11.8
18.5
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
Z
s
= 50欧姆
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
音间距= 1 MHz时，每个音噘= -17dBm
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初步
初步
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针＃
1
功能
GND
描述
连接到地。为了获得最好的
过孔的使用性能（如接近
接地引线尽可能），以减少铅
电感。
相同的引脚1
射频输入引脚。该引脚需要使用的
外部隔直流电容器选择用于
操作的次数。
相同的引脚1
相同的引脚1
RF输出和偏置引脚。偏差应
通过外部提供给该引脚
串联电阻器和射频扼流电感器。
由于直流偏置存在于这个针，一
隔直电容应使用
大多数应用程序（见应用
原理图） 。这种偏见的供给方
网络接应该是瓦特ELL绕过。
设备原理图
2
3
GND
在RF
4
5
6
GND
GND
RF OUT
应用原理
推荐偏置电阻值
供应
电压（Vs）
Rbias两端（欧姆）
5V
360
7.5V
680
9V
820
12V
1.2K
Cd1
Cd2
R偏压
V
s
注：偏置电阻是需要稳定
温度过高。
50 OHM
微带
Lchoke
1,2
3
Cb1
6
4,5
Cb2
50 OHM
微带
指南
esignator
B1
B2
D1
D2
Lchoke
功能
D C Blocki NG
D C Blocki NG
ecoupli NG
ecoupli NG
AC Blocki NG
500 MH
220 pF的
220 pF的
1 uF的
100 pF的
68 nH的
850 MH
100 pF的
100 pF的
1 uF的
68 pF的
33 nH的
1950 MH
68 pF的
68 pF的
1 uF的
22 pF的
22 nH的
2400 MH
56 pF的
56 pF的
1 uF的
22 pF的
18 nH的
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初步
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20
S21与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
0
S12与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
15
-10
dB
10
dB
-20
-30
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
5
0
GHz的
GHz的
0
-5
S11与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
0
S22与温度的关系，我
D
= 8毫安
25C
-40C
85C
-10
dB
dB
0
1
2
3
4
5
6
-10
-15
-20
-25
-20
-30
-40
0
1
2
3
4
5
6
GHz的
GHz的
15
IP3与温度的关系，我
D
= 8毫安
0
-2
P1dB为与温度的关系，我
D
= 8毫安
DBM
10
DBM
5
25C
-40C
85C
0
1
2
3
4
-4
-6
-8
25C
-40C
85C
0
1
2
3
4
0
-10
GHz的
GHz的
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注意： ESD敏感
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测试设备必须遵守。
产品型号订购信息
产品型号
SGA-0163
带尺寸
7"
设备/卷
3000
6
5
4
注：1脚是在左下角时，你可以
看包装标识
包装标志
G45
1
2
3
包装尺寸
1.30 (0.051)
REF 。
焊盘布局
0.026
2.20 (0.087)
2.00 (0.079)
1.35 (0.053)
1.15 (0.045)
0.075
0.035
0.650 BSC （ 0.025 ）
2.20 (0.087)
1.80 (0.071)
0.10 (0.004)
0.00 (0.00)
1.00 (0.039)
0.80 (0.031)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
0.016
0.425 (0.017)
典型值。
0.20 (0.0080
0.10 (0.004)
0.30 REF 。
10°
0.30 (0.012)
0.10 (0.0040
尺寸单位为英寸[ MM ]
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