【SG2000系列高压介质电流驱动器阵列描述该SG2000系列集成了7 NPN达林顿对与内部抑制二极管】,IC型号SG2023N,SG2023N PDF资料,SG2023N经销商,ic,电子元器件-51电子网

SG2000系列

高压介质

电流驱动器阵列

描述

该SG2000系列集成了7 NPN达林顿对与

内部抑制二极管来驱动灯，继电器和电磁阀在

许多军事，航空航天和工业应用需要

恶劣的环境。所有客房提供带有集电极开路输出

大于50V的击穿电压，带有500mA结合

载流能力。五种不同的输入配置

用于与DTL ，TTL， PMOS ，或接口提供优化的设计

的CMOS驱动器的信号。这些装置被设计成从操作

-55 ° C至125 ° C的环境温度在16脚双列直插式陶瓷

（J ）封装和20引脚无引线芯片载体（ LCC ）。塑料

双列直插式（N ）被设计为工作在商业

为0℃的温度范围内，以70℃。

特点

七NPN达林顿对

-55 ° C至125°C的工作环境温度范围

集电极电流可达600mA

输出电压从50V到95V

内部钳位二极管，电感负载

DTL ， TTL ， PMOS或CMOS兼容输入

密封陶瓷封装

高可靠性的特点

可供MIL -STD- 883和DESC SMD

MIL - M38510 / 14101BEA - JAN2001J

MIL - M38510 / 14102BEA - JAN2002J

MIL - M38510 / 14103BEA - JAN2003J

MIL - M38510 / 14104BEA - JAN2004J

有效辐射数据

LMI水平"S"处理提供

局部原理图

启13亿

4/7/2005

版权

1997

1

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

Microsemi的公司

绝对最大额定值

（注1 ）

输出电压V

CE

（ SG2000 ， 2010系列） ............................................ 50V ....

（ SG2020系列） .............................................. ............ 95V

输入电压V

IN

（ SG2002,3,4 ） ........................................... .................... 30V

连续输入电流，I

IN

........................................ 25毫安

注意： 1。价值超过其可能发生的伤害。

峰值集电极电流，I

C

（ SG2000 ， 2020年） ............................................. ......... 500毫安

（ SG2010 ） .............................. ................. 600毫安

工作结温

密封（ J，L封装） ......................................... 150 °

塑料（N ，包） ............................................ ... 150℃

存储温度范围.......................... -65℃ 150℃

引线温度（焊接10秒） ......................... 300℃

符合RoHS峰值包回流焊温度。（ 40秒最大EXP ） ...... 260 ° C（ 0 ， -5 ）

热数据

套餐：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 30 °C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

............... 80 ° C / W

N包装：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 40 ° C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

.............. 65 ° C / W

L封装：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 35 ° C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

............ 120 ° C / W

注意： A.结温的计算：T已

J

= T

A

+ (P

D

x

θ

JA

).

注意B.在上面的数

θ

JC

是最大值的限制热

封装在一个标准的安装结构的阻力。

该

θ

JA

号意味着是对热指引

设备/ PC板系统的性能。上述所有的

假设没有环境空气流通。

推荐工作条件

（注

2)

输出电压V

CE

SG2000 ， SG2010系列.............................................. 50V

SG2020系列................................................ ............. 95V

注2：范围该设备的功能。

峰值集电极电流，I

C

SG2000 ， SG2020系列........................................... 50毫安

SG2010系列................................................ ........ 500毫安

工作环境温度范围

SG2000系列 - 密封.......................... -55 ° C至125°C

SG2000系列 - 塑料.................................. 0 ° C至70℃

选购指南

设备

SG2001

SG2002

SG2003

SG2004

SG2011

SG2012

V

CE

最大

50V

I

C

最大

500mA

600mA

逻辑输入

通用

PMOS ， CMOS

14V- 25V PMOS

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

通用

PMOS ， CMOS

14V- 25V PMOS

设备

SG2013

SG2014

SG2015

SG2021

SG2023

SG2024

V

CE

最大

50V

95V

I

C

最大

600mA

500mA

逻辑输入

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

高输出TTL

通用

PMOS ， CMOS

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

启13亿

版权

1997

2

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

电气特性

（除特别注明外，这些规格适用于工作环境温度为SG2000系列 - 密封 - 与-55°C

≤

T

A

≤

125°C

和SG2000系列 - 塑料 - 0 ℃，

≤

T

A

≤

70℃。低占空比脉冲测试技术被用于维持其结和外壳温度相等

至环境温度。）

SG2001通SG2004

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

适用

器件

所有

SG2002

SG2004

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 50V

V

CE

= 50V, V

IN

= 6V

V

CE

= 50V, V

IN

= 1V

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 100mA时我

B

= 350A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

V

IN

= 17V

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

500

A

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

0.9 1.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

480 850 1300

A

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

25

50

A

18

V

13

V

3.3

V

3.6

V

3.9

V

2.4

V

2.7

V

3.0

V

6.0

V

8.0

V

10

V

12

V

5.0

V

6.0

V

7.0

V

8.0

V

500

1000

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

输入电流（I

IN（上）

)

SG2002

SG2003

SG2004

所有

SG2002

SG2003

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2004

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2001

所有

T

最大

T

民

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 50V

I

F

= 350毫安

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

启13亿

版权

1997

3

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

电气CHARTACTERISTICS

SG2011通SG2015

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

（续）

适用

器件

所有

SG2012

SG2014

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 50V

V

CE

= 50V, V

IN

= 6V

V

CE

= 50V, V

IN

= 1V

I

C

= 500毫安，我

B

= 1100A

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 500毫安，我

B

= 600A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 500毫安，我

B

= 600A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

V

IN

= 17V

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

V

IN

= 3V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

输入电流（I

IN（上）

)

SG2012

SG2013

SG2014

SG2015

所有

SG2012

SG2013

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2014

SG2015

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2011

所有

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

最大

T

民

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 50V

I

F

= 350毫安

I

F

= 500毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

500

A

1.8 2.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.7 1.9

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

1.8 2.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

480 850 1300

A

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

1180 1500 2400

A

25

50

A

23.5 V

17

V

3.6

V

3.9

V

6.0

V

2.7

V

3.0

V

3.5

V

10

V

12

V

17

V

7.0

V

8.0

V

9.5

V

3.0

V

3.5

V

2.4

V

2.6

V

450

900

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

2.5

V

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

启13亿

版权

1997

4

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

电气特性

SG2021通SG2024

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

（续）

适用

器件

所有

SG2024

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 95V

V

CE

= 95V, V

IN

= 1V

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 100mA时我

B

= 350A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

输入电流（I

IN（上）

)

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2023

SG2024

所有

SG2023

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

SG2024

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2021

所有

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 95V

I

F

= 350毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

0.9 1.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

25

50

A

13

V

3.3

V

3.6

V

3.9

V

2.4

V

2.7

V

3.0

V

6.0

V

8.0

V

10

V

12

V

5.0

V

6.0

V

7.0

V

8.0

V

500

1000

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

启13亿

版权

1997

5

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

SG2000系列

高压介质

电流驱动器阵列

描述

该SG2000系列集成了7 NPN达林顿对与

内部抑制二极管来驱动灯，继电器和电磁阀在

许多军事，航空航天和工业应用需要

恶劣的环境。所有客房提供带有集电极开路输出

大于50V的击穿电压，带有500mA结合

载流能力。五种不同的输入配置

用于与DTL ，TTL， PMOS ，或接口提供优化的设计

的CMOS驱动器的信号。这些装置被设计成从操作

-55 ° C至125 ° C的环境温度在16脚双列直插式陶瓷

（J ）封装和20引脚无引线芯片载体（ LCC ）。塑料

双列直插式（N ）被设计为工作在商业

为0℃的温度范围内，以70℃。

特点

七NPN达林顿对

-55 ° C至125°C的工作环境温度范围

集电极电流可达600mA

输出电压从50V到95V

内部钳位二极管，电感负载

DTL ， TTL ， PMOS或CMOS兼容输入

密封陶瓷封装

高可靠性的特点

可供MIL -STD- 883和DESC SMD

MIL - M38510 / 14101BEA - JAN2001J

MIL - M38510 / 14102BEA - JAN2002J

MIL - M38510 / 14103BEA - JAN2003J

MIL - M38510 / 14104BEA - JAN2004J

有效辐射数据

LMI水平"S"处理提供

局部原理图

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

1

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

绝对最大额定值

（注1 ）

输出电压V

CE

（ SG2000 ， 2010系列） ............................................ 50V ....

（ SG2020系列） .............................................. ............ 95V

输入电压V

IN

（ SG2002,3,4 ） ........................................... .................... 30V

连续输入电流，I

IN

........................................ 25毫安

注意： 1。价值超过其可能发生的伤害。

峰值集电极电流，I

C

（ SG2000 ， 2020年） ............................................. ......... 500毫安

（ SG2010 ） .............................. ................. 600毫安

工作结温

密封（ J，L封装） ......................................... 150 °

塑料（N ，包） ............................................ ... 150℃

存储温度范围.......................... -65℃ 150℃

引线温度（焊接10秒） ......................... 300℃

热数据

套餐：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 30 °C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

............... 80 ° C / W

N包装：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 40 ° C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

.............. 65 ° C / W

L封装：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 35 ° C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

............ 120 ° C / W

注意： A.结温的计算：T已

J

= T

A

+ (P

D

x

θ

JA

).

注意B.在上面的数

θ

JC

是最大值的限制热

封装在一个标准的安装结构的阻力。

该

θ

JA

号意味着是对热指引

设备/ PC板系统的性能。上述所有的

假设没有环境空气流通。

推荐工作条件

（注

2)

输出电压V

CE

SG2000 ， SG2010系列.............................................. 50V

SG2020系列................................................ ............. 95V

注2：范围该设备的功能。

峰值集电极电流，I

C

SG2000 ， SG2020系列........................................... 50毫安

SG2010系列................................................ ........ 500毫安

工作环境温度范围

SG2000系列 - 密封.......................... -55 ° C至125°C

SG2000系列 - 塑料.................................. 0 ° C至70℃

选购指南

设备

SG2001

SG2002

SG2003

SG2004

SG2011

SG2012

V

CE

最大

50V

I

C

最大

500mA

600mA

逻辑输入

通用

PMOS ， CMOS

14V- 25V PMOS

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

通用

PMOS ， CMOS

14V- 25V PMOS

设备

SG2013

SG2014

SG2015

SG2021

SG2023

SG2024

V

CE

最大

50V

95V

I

C

最大

600mA

500mA

逻辑输入

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

高输出TTL

通用

PMOS ， CMOS

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

2

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

电气特性

（除特别注明外，这些规格适用于工作环境温度为SG2000系列 - 密封 - 与-55°C

≤

T

A

≤

125°C

和SG2000系列 - 塑料 - 0 ℃，

≤

T

A

≤

70℃。低占空比脉冲测试技术被用于维持其结和外壳温度相等

至环境温度。）

SG2001通SG2004

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

适用

器件

所有

SG2002

SG2004

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 50V

V

CE

= 50V, V

IN

= 6V

V

CE

= 50V, V

IN

= 1V

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 100mA时我

B

= 350A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

V

IN

= 17V

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

500

A

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

0.9 1.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

480 850 1300

A

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

25

50

A

18

V

13

V

3.3

V

3.6

V

3.9

V

2.4

V

2.7

V

3.0

V

6.0

V

8.0

V

10

V

12

V

5.0

V

6.0

V

7.0

V

8.0

V

500

1000

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

输入电流（I

IN（上）

)

SG2002

SG2003

SG2004

所有

SG2002

SG2003

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2004

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2001

所有

T

最大

T

民

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 50V

I

F

= 350毫安

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

3

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

电气CHARTACTERISTICS

SG2011通SG2015

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

适用

器件

所有

SG2012

SG2014

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 50V

V

CE

= 50V, V

IN

= 6V

V

CE

= 50V, V

IN

= 1V

I

C

= 500毫安，我

B

= 1100A

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 500毫安，我

B

= 600A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 500毫安，我

B

= 600A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

V

IN

= 17V

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

V

IN

= 3V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

500

A

1.8 2.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.7 1.9

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

1.8 2.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

480 850 1300

A

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

1180 1500 2400

A

25

50

A

23.5

V

17

V

3.6

V

3.9

V

6.0

V

2.7

V

3.0

V

3.5

V

10

V

12

V

17

V

7.0

V

8.0

V

9.5

V

3.0

V

3.5

V

2.4

V

2.6

V

450

900

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

2.5

V

（续）

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

输入电流（I

IN（上）

)

SG2012

SG2013

SG2014

SG2015

所有

SG2012

SG2013

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2014

SG2015

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2011

所有

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

最大

T

民

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 50V

I

F

= 350毫安

I

F

= 500毫安

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

4

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

电气特性

SG2021通SG2024

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

适用

器件

所有

SG2024

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 95V

V

CE

= 95V, V

IN

= 1V

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 100mA时我

B

= 350A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

0.9 1.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

25

50

A

13

V

3.3

V

3.6

V

3.9

V

2.4

V

2.7

V

3.0

V

6.0

V

8.0

V

10

V

12

V

5.0

V

6.0

V

7.0

V

8.0

V

500

1000

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

（续）

输入电流（I

IN（上）

)

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2023

SG2024

所有

SG2023

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

SG2024

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2021

所有

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 95V

I

F

= 350毫安

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

5

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

高压介质

电流驱动器阵列

描述

该SG2000系列集成了7 NPN达林顿对与

内部抑制二极管来驱动灯，继电器和电磁阀在

许多军事，航空航天和工业应用需要

恶劣的环境。所有客房提供带有集电极开路输出

大于50V的击穿电压，带有500mA结合

载流能力。五种不同的输入配置

用于与DTL ，TTL， PMOS ，或接口提供优化的设计

的CMOS驱动器的信号。这些装置被设计成从操作

-55 ° C至125 ° C的环境温度在16脚双列直插式陶瓷

（J ）封装和20引脚无引线芯片载体（ LCC ）。塑料

双列直插式（N ）被设计为工作在商业

为0℃的温度范围内，以70℃。

特点

七NPN达林顿对

-55 ° C至125°C的工作环境温度范围

集电极电流可达600mA

输出电压从50V到95V

内部钳位二极管，电感负载

DTL ， TTL ， PMOS或CMOS兼容输入

密封陶瓷封装

高可靠性的特点

可供MIL -STD- 883和DESC SMD

MIL - M38510 / 14101BEA - JAN2001J

MIL - M38510 / 14102BEA - JAN2002J

MIL - M38510 / 14103BEA - JAN2003J

MIL - M38510 / 14104BEA - JAN2004J

有效辐射数据

LMI水平"S"处理提供

局部原理图

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

1

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

绝对最大额定值

（注1 ）

输出电压V

CE

（ SG2000 ， 2010系列） ............................................ 50V ....

（ SG2020系列） .............................................. ............ 95V

输入电压V

IN

（ SG2002,3,4 ） ........................................... .................... 30V

连续输入电流，I

IN

........................................ 25毫安

注意： 1。价值超过其可能发生的伤害。

峰值集电极电流，I

C

（ SG2000 ， 2020年） ............................................. ......... 500毫安

（ SG2010 ） .............................. ................. 600毫安

工作结温

密封（ J，L封装） ......................................... 150 °

塑料（N ，包） ............................................ ... 150℃

存储温度范围.......................... -65℃ 150℃

引线温度（焊接10秒） ......................... 300℃

热数据

套餐：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 30 °C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

............... 80 ° C / W

N包装：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 40 ° C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

.............. 65 ° C / W

L封装：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 35 ° C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

............ 120 ° C / W

注意： A.结温的计算：T已

J

= T

A

+ (P

D

x

θ

JA

).

注意B.在上面的数

θ

JC

是最大值的限制热

封装在一个标准的安装结构的阻力。

该

θ

JA

号意味着是对热指引

设备/ PC板系统的性能。上述所有的

假设没有环境空气流通。

推荐工作条件

（注

2)

输出电压V

CE

SG2000 ， SG2010系列.............................................. 50V

SG2020系列................................................ ............. 95V

注2：范围该设备的功能。

峰值集电极电流，I

C

SG2000 ， SG2020系列........................................... 50毫安

SG2010系列................................................ ........ 500毫安

工作环境温度范围

SG2000系列 - 密封.......................... -55 ° C至125°C

SG2000系列 - 塑料.................................. 0 ° C至70℃

选购指南

设备

SG2001

SG2002

SG2003

SG2004

SG2011

SG2012

V

CE

最大

50V

I

C

最大

500mA

600mA

逻辑输入

通用

PMOS ， CMOS

14V- 25V PMOS

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

通用

PMOS ， CMOS

14V- 25V PMOS

设备

SG2013

SG2014

SG2015

SG2021

SG2023

SG2024

V

CE

最大

50V

95V

I

C

最大

600mA

500mA

逻辑输入

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

高输出TTL

通用

PMOS ， CMOS

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

2

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

电气特性

（除特别注明外，这些规格适用于工作环境温度为SG2000系列 - 密封 - 与-55°C

≤

T

A

≤

125°C

和SG2000系列 - 塑料 - 0 ℃，

≤

T

A

≤

70℃。低占空比脉冲测试技术被用于维持其结和外壳温度相等

至环境温度。）

SG2001通SG2004

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

适用

器件

所有

SG2002

SG2004

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 50V

V

CE

= 50V, V

IN

= 6V

V

CE

= 50V, V

IN

= 1V

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 100mA时我

B

= 350A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

V

IN

= 17V

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

500

A

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

0.9 1.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

480 850 1300

A

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

25

50

A

18

V

13

V

3.3

V

3.6

V

3.9

V

2.4

V

2.7

V

3.0

V

6.0

V

8.0

V

10

V

12

V

5.0

V

6.0

V

7.0

V

8.0

V

500

1000

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

输入电流（I

IN（上）

)

SG2002

SG2003

SG2004

所有

SG2002

SG2003

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2004

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2001

所有

T

最大

T

民

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 50V

I

F

= 350毫安

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

3

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

电气CHARTACTERISTICS

SG2011通SG2015

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

适用

器件

所有

SG2012

SG2014

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 50V

V

CE

= 50V, V

IN

= 6V

V

CE

= 50V, V

IN

= 1V

I

C

= 500毫安，我

B

= 1100A

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 500毫安，我

B

= 600A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 500毫安，我

B

= 600A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

V

IN

= 17V

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

V

IN

= 3V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

500

A

1.8 2.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.7 1.9

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

1.8 2.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

480 850 1300

A

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

1180 1500 2400

A

25

50

A

23.5

V

17

V

3.6

V

3.9

V

6.0

V

2.7

V

3.0

V

3.5

V

10

V

12

V

17

V

7.0

V

8.0

V

9.5

V

3.0

V

3.5

V

2.4

V

2.6

V

450

900

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

2.5

V

（续）

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

输入电流（I

IN（上）

)

SG2012

SG2013

SG2014

SG2015

所有

SG2012

SG2013

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2014

SG2015

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2011

所有

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

最大

T

民

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 50V

I

F

= 350毫安

I

F

= 500毫安

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

4

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

电气特性

SG2021通SG2024

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

适用

器件

所有

SG2024

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 95V

V

CE

= 95V, V

IN

= 1V

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 100mA时我

B

= 350A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

0.9 1.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

25

50

A

13

V

3.3

V

3.6

V

3.9

V

2.4

V

2.7

V

3.0

V

6.0

V

8.0

V

10

V

12

V

5.0

V

6.0

V

7.0

V

8.0

V

500

1000

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

（续）

输入电流（I

IN（上）

)

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2023

SG2024

所有

SG2023

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

SG2024

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2021

所有

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 95V

I

F

= 350毫安

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

5

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

高压介质

电流驱动器阵列

描述

该SG2000系列集成了7 NPN达林顿对与

内部抑制二极管来驱动灯，继电器和电磁阀在

许多军事，航空航天和工业应用需要

恶劣的环境。所有客房提供带有集电极开路输出

大于50V的击穿电压，带有500mA结合

载流能力。五种不同的输入配置

用于与DTL ，TTL， PMOS ，或接口提供优化的设计

的CMOS驱动器的信号。这些装置被设计成从操作

-55 ° C至125 ° C的环境温度在16脚双列直插式陶瓷

（J ）封装和20引脚无引线芯片载体（ LCC ）。塑料

双列直插式（N ）被设计为工作在商业

为0℃的温度范围内，以70℃。

特点

七NPN达林顿对

-55 ° C至125°C的工作环境温度范围

集电极电流可达600mA

输出电压从50V到95V

内部钳位二极管，电感负载

DTL ， TTL ， PMOS或CMOS兼容输入

密封陶瓷封装

高可靠性的特点

可供MIL -STD- 883和DESC SMD

MIL - M38510 / 14101BEA - JAN2001J

MIL - M38510 / 14102BEA - JAN2002J

MIL - M38510 / 14103BEA - JAN2003J

MIL - M38510 / 14104BEA - JAN2004J

有效辐射数据

LMI水平"S"处理提供

局部原理图

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

1

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

绝对最大额定值

（注1 ）

输出电压V

CE

（ SG2000 ， 2010系列） ............................................ 50V ....

（ SG2020系列） .............................................. ............ 95V

输入电压V

IN

（ SG2002,3,4 ） ........................................... .................... 30V

连续输入电流，I

IN

........................................ 25毫安

注意： 1。价值超过其可能发生的伤害。

峰值集电极电流，I

C

（ SG2000 ， 2020年） ............................................. ......... 500毫安

（ SG2010 ） .............................. ................. 600毫安

工作结温

密封（ J，L封装） ......................................... 150 °

塑料（N ，包） ............................................ ... 150℃

存储温度范围.......................... -65℃ 150℃

引线温度（焊接10秒） ......................... 300℃

热数据

套餐：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 30 °C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

............... 80 ° C / W

N包装：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 40 ° C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

.............. 65 ° C / W

L封装：

热敏电阻 -

结到外壳

,

θ

JC

.................. 35 ° C / W

热敏电阻 -

结到环境

,

θ

JA

............ 120 ° C / W

注意： A.结温的计算：T已

J

= T

A

+ (P

D

x

θ

JA

).

注意B.在上面的数

θ

JC

是最大值的限制热

封装在一个标准的安装结构的阻力。

该

θ

JA

号意味着是对热指引

设备/ PC板系统的性能。上述所有的

假设没有环境空气流通。

推荐工作条件

（注

2)

输出电压V

CE

SG2000 ， SG2010系列.............................................. 50V

SG2020系列................................................ ............. 95V

注2：范围该设备的功能。

峰值集电极电流，I

C

SG2000 ， SG2020系列........................................... 50毫安

SG2010系列................................................ ........ 500毫安

工作环境温度范围

SG2000系列 - 密封.......................... -55 ° C至125°C

SG2000系列 - 塑料.................................. 0 ° C至70℃

选购指南

设备

SG2001

SG2002

SG2003

SG2004

SG2011

SG2012

V

CE

最大

50V

I

C

最大

500mA

600mA

逻辑输入

通用

PMOS ， CMOS

14V- 25V PMOS

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

通用

PMOS ， CMOS

14V- 25V PMOS

设备

SG2013

SG2014

SG2015

SG2021

SG2023

SG2024

V

CE

最大

50V

95V

I

C

最大

600mA

500mA

逻辑输入

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

高输出TTL

通用

PMOS ， CMOS

5V TTL ， CMOS

6V - 15V CMOS ， PMOS

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

2

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

电气特性

（除特别注明外，这些规格适用于工作环境温度为SG2000系列 - 密封 - 与-55°C

≤

T

A

≤

125°C

和SG2000系列 - 塑料 - 0 ℃，

≤

T

A

≤

70℃。低占空比脉冲测试技术被用于维持其结和外壳温度相等

至环境温度。）

SG2001通SG2004

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

适用

器件

所有

SG2002

SG2004

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 50V

V

CE

= 50V, V

IN

= 6V

V

CE

= 50V, V

IN

= 1V

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 100mA时我

B

= 350A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

V

IN

= 17V

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

500

A

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

0.9 1.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

480 850 1300

A

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

25

50

A

18

V

13

V

3.3

V

3.6

V

3.9

V

2.4

V

2.7

V

3.0

V

6.0

V

8.0

V

10

V

12

V

5.0

V

6.0

V

7.0

V

8.0

V

500

1000

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

输入电流（I

IN（上）

)

SG2002

SG2003

SG2004

所有

SG2002

SG2003

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2004

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2001

所有

T

最大

T

民

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 50V

I

F

= 350毫安

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

3

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

电气CHARTACTERISTICS

SG2011通SG2015

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

适用

器件

所有

SG2012

SG2014

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 50V

V

CE

= 50V, V

IN

= 6V

V

CE

= 50V, V

IN

= 1V

I

C

= 500毫安，我

B

= 1100A

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 500毫安，我

B

= 600A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 500毫安，我

B

= 600A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

V

IN

= 17V

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

V

IN

= 3V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 500毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

500

A

1.8 2.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.7 1.9

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

1.8 2.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

480 850 1300

A

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

1180 1500 2400

A

25

50

A

23.5

V

17

V

3.6

V

3.9

V

6.0

V

2.7

V

3.0

V

3.5

V

10

V

12

V

17

V

7.0

V

8.0

V

9.5

V

3.0

V

3.5

V

2.4

V

2.6

V

450

900

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

2.5

V

（续）

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

输入电流（I

IN（上）

)

SG2012

SG2013

SG2014

SG2015

所有

SG2012

SG2013

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2014

SG2015

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2011

所有

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

最大

T

民

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 50V

I

F

= 350毫安

I

F

= 500毫安

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

4

11861西大街

∞

加登格罗夫， CA 92841

(714) 898-8121

∞

传真：（ 714 ） 893-2570

L

无限

微电子

SG2000系列

电气特性

SG2021通SG2024

参数

输出漏电流（I

CEX

)

集电极 - 发射极（V

CE （ SAT ）

)

适用

器件

所有

SG2024

所有

温度。

测试条件

V

CE

= 95V

V

CE

= 95V, V

IN

= 1V

I

C

= 350mA，可我

B

= 850A

I

C

=的200mA，我

B

= 550A

I

C

= 100mA时我

B

= 350A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

I

C

= 350mA，可我

B

= 500A

I

C

=的200mA，我

B

= 350A

I

C

= 100mA时我

B

= 250A

V

IN

= 3.85V

V

IN

= 5V

V

IN

= 12V

I

C

= 500A

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 250毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 300毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 125毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 200毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 275毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

V

CE

= 2V ，我

C

= 350毫安

范围

单位

分钟。典型值。马克斯。

100

A

500

A

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

1.25 1.6

V

1.1 1.3

V

0.9 1.1

V

1.6 1.8

V

1.3 1.5

V

1.1 1.3

V

650 930 1350

A

240 350 500

A

650 1000 1450

A

25

50

A

13

V

3.3

V

3.6

V

3.9

V

2.4

V

2.7

V

3.0

V

6.0

V

8.0

V

10

V

12

V

5.0

V

6.0

V

7.0

V

8.0

V

500

1000

15

25

pF

250 1000 NS

50

A

1.7 2.0

V

（续）

输入电流（I

IN（上）

)

(I

中（关闭）

)

输入电压（V

IN（上）

)

SG2023

SG2024

所有

SG2023

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

民

T

民

T

民

25°C

T

最大

T

最大

T

最大

SG2024

D-C正向电流

传输比（H

FE

)

输入电容（C

IN

)

（注3）

导通延迟（ TPLH ）

关闭延迟（的TPH1 ）

钳位二极管的漏电流（I

R

)

钳位二极管的正向电压（V

F

)

SG2021

所有

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

T

A

=

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

T

民

T

民

T

民

T

最大

T

最大

T

最大

T

最大

T

民

25°C

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

25 ℃， 0.5 ê

IN

0.5 ê

OUT

V

R

= 95V

I

F

= 350毫安

注3.这些参数，虽然保证，未在生产中测试。

90分之4版本1.3 6/97

版权

1997

5

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∞

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