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SG1626/SG2626/SG3626
双高速驱动器
描述
该SG1626 , 2626 , 3626是双反相单片高
高速驱动器是引脚对引脚与DS0026兼容,
TSC426和ICL7667 。该器件采用高压肖特基
逻辑转换成TTL信号以高速输出可达18V 。该
图腾柱输出具有3A的峰值电流能力,这恩
ABLES它们来驱动1000pF的负荷通常小于25ns 。
这些速度使其非常适用于驱动功率MOSFET和
其他较大的容性负载需要高速切换。
除了标准的包,硅一般提供
16引脚S.O.I.C. ( DW-包)用于商业和工业
应用程序,并在密封的TO- 66 (R-包),用于军事
使用。这些软件包提供了更好的散热性能
需要高的频率和/或高的峰值电流的应用
租金。
特点
引脚对引脚与DS0026 , TSC426和兼容
ICL7667.
图腾柱输出, 3.0A的峰值电流能力。
电源电压为22V 。
上升和下降时间小于25ns的。
传播延迟小于20ns 。
反相高速高压肖特基逻辑。
有效的操作,在高频率。
可用:
8引脚塑料和陶瓷DIP
14引脚陶瓷DIP
16引脚塑料S.O.I.C.
20引脚LCC
TO-99
TO-66
高可靠性的特点 - SG1626
可供MIL -STD- 883
有效辐射数据
LMI level"S"处理提供
等效电路示意
V
CC
6.5V
V
REG
2.5K
3K
INV 。 INPUT
产量
GND
REV 1.1A
3/18/2005
版权
1994
1
11861西大街
加登格罗夫, CA 92841
(714) 898-8121
传真: ( 714 ) 893-2570
Microsemi的公司
SG1626/SG2626/SG3626
绝对最大额定值
(注1 )
电源电压(V
CC
) ........................................................... 22V
逻辑输入电压............................................... ................ 7V
源出/吸入电流输出(每路输出)
连续................................................. ..................
±0.5A
脉冲, 500ns的............................................... .................
±3.0A
工作结温
密封( J,T , Y, R-包) ................................... 150℃
塑料(男, DW ,L -包) ....................................... 150 ℃,
存储温度范围............................ -65℃ 150℃
引线温度(焊接, 10秒) ................... 300℃
符合RoHS峰值包回流焊温度。 ( 40秒最大EXP ) ...... 260 ° C( 0 , -5 )
注意: 1。超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压是相对于地面。所有电流都积极进入
指定的终端。
热数据
套餐:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 30 °C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
.............. 80 ° C / W
Y封装:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 50 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
............ 130 ° C / W
男包:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 60 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
............. 95 ° C / W
DW包装:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 40 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
.............. 95 ° C / W
包装:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 25 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
........... 130 ° C / W
了R封装:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
................. 5.0 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
............. 40 ° C / W
L封装:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 35 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
........... 120 ° C / W
注意: A.结温的计算:T已
J
= T
A
+ (P
D
x
θ
JA
).
注意B.在上面的数
θ
JC
是最大值的限制
封装在一个标准mount-热阻
荷兰国际集团的配置。该
θ
JA
号意味着是
该设备/ PC机的散热性能准则
董事会制度。以上所有的假设没有环境
气流。
推荐工作条件
(注2 )
电源电压(V
CC
) ................................. 4.5V至20V
(注3)
频率范围............................................... DC至1.5MHz
峰值脉冲电流............................................... .............
±3A
逻辑输入电压............................................... , -0.5至5.5V
注2:范围该设备的功能。
注3. AC性能进行了优化V
CC
= 8V至20V 。
工作环境温度范围(T
J
)
SG1626 ................................................. ........ -55 ° C至125°C
SG2626 ................................................. .......... -25 ° C至85°C
SG3626 ................................................. ............. 0 ° C至70℃
电气特性
(除非另有规定,这些specfiications应用在工作环境温度为SG1626具有-55 ℃的
T
A
125°C , SG2626有 -
25°C
T
A
85°C , SG3626 0 ℃,
T
A
70° C和V
CC
= 20V 。低占空比脉冲测试技术被用于维持其结和外壳
温度等于环境温度)。
参数
静态特性
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
输入钳位电压
输出高电压
(注4 )
输出低电压
(注4 )
电源电流输出低
电源电流输出高
注4: V
CC
= 10V至20V 。
测试条件
SG1626/2626/3626
单位
分钟。典型值。马克斯。
2.0
V
V
A
mA
mA
V
V
V
mA
mA
V
IN
= 2.4V
V
IN
= 5.5V
V
IN
= 0V
I
IN
= -10mA
I
OUT
= -200mA
I
OUT
= 200毫安
V
IN
= 2.4V (两路输入)
V
IN
= 0V (两个输入)
0.7
500
1.0
-4
-1.5
V
CC
-3
18
7.5
1.0
27
12
REV 1.1A
版权
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2
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SG1626/SG2626/SG3626
电气特性
参数
动态特性
(注6 )
传播延迟(从高到低)
(的TPH1 )
传输延迟低到高
( TPLH )
上升时间( TTLH )
下降时间( TTHL )
电源电流(I
CC
)
(两路输出)
(续)
SG1626/2626/3626
测试条件
(图1)
T
A
= 25°C
°
°
°
T
A
= -55 ° C至125°C
SG1626
单位
分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。
C
L
= 1000pF的
(注5 )
C
L
= 2500pF的
C
L
= 1000pF的
(注5 )
C
L
= 2500pF的
C
L
= 1000pF的
(注5 )
C
L
= 2500pF的
C
L
= 1000pF的
(注5 )
C
L
= 2500pF的
C
L
= 2500pF的,频率。 = 200KHz的
占空比= 50 %
18
25
25
35
30
40
20
40
35
30
40
40
50
35
50
30
50
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
17
25
30
30
30
5.注意这些参数,在1000pF的规定,虽然保证了推荐工作条件,不是100%的生产测试
化。
注6 V
CC
= 15V.
AC测试电路和开关时间波形 - 图1
SG1626
特性曲线
图2中。
转换时间VS.电源电压
网络连接gure 3 。
传输延迟与电源电压
图4中。
转换时间VS.环境温度
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SG1626/SG2626/SG3626
特性曲线
(续)
图5中。
传输延迟与环境温度
图6 。
转换时间VS.容性负载
图7 。
电源电流与电容负载
网络连接gure 8 。
HIGH SIDE饱和度VS.输出电流
图9 。
LOW SIDE饱和度VS.输出电流
网络连接gure 10 。
电源电流与频率的关系
图11 。
电源电流与频率的关系
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SG1626/SG2626/SG3626
应用信息
功耗
该SG1626 ,同时更加节能得比较早金掺杂
驱动IC的,还可以消散,因为相当大的权力了
在高频率高的峰值电流的能力。总功率
耗散在任何特定的应用程序将是直流的总和或
稳态功耗,并引起AC散热
驱动容性负载。
直流功耗由下式给出:
P
DC
= +V
CC
· I
CC
[1]
在那里我
CC
是驱动状态的功能,并且因此是占空比
依赖。
交流电源耗散正比于切换频
昆西,负载电容,和输出的方
电压。在大多数应用中,该驱动程序是在不断变化
状态,和AC贡献变为主导时
频率超过100-200KHz 。
该SG1626驱动器系列可在多种封装形式为
容纳一个宽的工作温度范围和
功耗的要求。绝对最高配置节
数据表和灰包括两个图表来帮助设计人员
选择一个合适的包,他的设计。
设计者应首先确定实际功耗
驾驶员通过参照该曲线的数据表与
工作电流供给电压,开关频率,并
容性负载。从获取的数据生成这些曲线
在实际设备上。然后,设计者可以参照绝对
最大热功耗曲线图来选择封装类型,
并确定是否需要热沉。
设计实例
鉴于:两个2500 pF的负载必须驱动推挽从+15
伏电源为100KHz的。这是一个商业应用,其中
最高环境温度为+ 50℃,并花费一点很
坦。
1.从图11中,平均驱动电流消耗
在这些条件下将18毫安,并且功耗
将15volts X 18毫安,或270MW 。
2.在环境温度特性曲线,它可以是
看出, M个包,这是一个8管脚塑料DIP用
铜引线框架,有足够多的热传导
从结点到环境,以支持在运行环境
温度为+ 50℃。该SG3626M司机将被指定
这种应用。
电源旁路
由于SG1626可以提供根据上述3安培峰值电流
一些负载条件下,适当的电源旁路是必需的
正确的操作。两个电容器并联推荐
为保证在宽的带宽低电源阻抗:一
0.1μF的陶瓷圆盘电容器,高频和4.7μF
固态钽电容的能量储存。在军事应用
REV 1.1A
系统蒸发散,一个CK05 CK06或陶瓷经营者与企业社会责任13钽
电容器是一种有效的组合。对于商业应用
系统蒸发散,任何低电感陶瓷电容盘联手用
斯普拉格150D或相当的低ESR电容会很好地工作。
该电容必须尽可能靠近的身体可能
在V
CC
销,用联合举办铅和印刷电路板走线的长度
到小于0.5英寸。
接地注意事项
因为地面是两个基准电位的驱动器逻辑
和用于驾驶员的高峰值输出电流的返回路径,
使用低电感接地系统是必不可少的。接地
平面强烈建议以获得最佳性能。在密集的,
高性能应用的4层印刷电路板的效果最好;该
2内飞机是专门用于电源和接地分布,
和信号迹线由外部层进行。对于成本
敏感型设计的2层电路板,可向工作,有一个
层专用完全接地,而另一对功率和
信号分配。大量的关注组件布局
并且需要这种方式互连的路由。
逻辑接口
在1626年的逻辑输入被设计成接受标准DC-
加上5伏的逻辑摆幅,没有加速电容重
quired 。如果输入信号电压超过6伏时,输入管脚
在HIGH必须加以保护,防止过度的电压
状态。任一高速阻断二极管必须使用,或
电阻分压器衰减逻辑摆动是必需的。
布局FOR HIGH SPEED
该SG1626可以产生比较大的电压偏移
上升和下降时间约20至30纳秒光
的容性负载。这些时域信号的傅立叶分析
将显示强劲的能量成分的频率多
比基本开关频率较高。这些高频时
资本投资者入境计划可诱发振荡在一个理想的,否则脉冲是否有足够的
电感发生在信号路径中(无论是正信号
跟踪或接地回路) 。过冲的上升沿
不受欢迎的,因为过量的驱动电压可能会破裂的
的功率MOSFET的栅氧化层。后缘是冲
危险的,因为负电压偏移可以呈递
偏压驱动器的寄生的PN衬底二极管,有可能
导致运行不稳定或彻底失败。
振铃可以被减少或消除通过减少信号路径
电感,并通过使用驱动器之间的阻尼电阻
输出和容性负载。电感可以通过减少
保持走线长度短,走线宽度宽,并用2盎司
铜如果可能的话。为临界阻尼电阻器的值可以是
由下式计算:
R
D
= 2√L / C
L
[2]
其中L是总信号线的电感,而C
L
是负载
电容。在10和100欧姆值通常
足够了。廉价的碳质电阻器是最好的
因为它们具有优异的高频特性。
它们应位于尽可能接近到栅极端子
的功率MOSFET。
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SG1626/SG2626/SG3626
双高速驱动器
描述
该SG1626 , 2626 , 3626是双反相单片高
高速驱动器是引脚对引脚与DS0026兼容,
TSC426和ICL7667 。该器件采用高压肖特基
逻辑转换成TTL信号以高速输出可达18V 。该
图腾柱输出具有3A的峰值电流能力,这恩
ABLES它们来驱动1000pF的负荷通常小于25ns 。
这些速度使其非常适用于驱动功率MOSFET和
其他较大的容性负载需要高速切换。
除了标准的包,硅一般提供
16引脚S.O.I.C. ( DW-包)用于商业和工业
应用程序,并在密封的TO- 66 (R-包),用于军事
使用。这些软件包提供了更好的散热性能
需要高的频率和/或高的峰值电流的应用
租金。
特点
引脚对引脚与DS0026 , TSC426和兼容
ICL7667.
图腾柱输出, 3.0A的峰值电流能力。
电源电压为22V 。
上升和下降时间小于25ns的。
传播延迟小于20ns 。
反相高速高压肖特基逻辑。
有效的操作,在高频率。
可用:
8引脚塑料和陶瓷DIP
14引脚陶瓷DIP
16引脚塑料S.O.I.C.
20引脚LCC
TO-99
TO-66
高可靠性的特点 - SG1626
可供MIL -STD- 883
有效辐射数据
LMI level"S"处理提供
等效电路示意
V
CC
6.5V
V
REG
2.5K
3K
INV 。 INPUT
产量
GND
9/91 1.1版九十四分之二
版权
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L
无限
微电子
SG1626/SG2626/SG3626
绝对最大额定值
(注1 )
电源电压(V
CC
) ........................................................... 22V
逻辑输入电压............................................... ................ 7V
源出/吸入电流输出(每路输出)
连续................................................. ..................
±0.5A
脉冲, 500ns的............................................... .................
±3.0A
工作结温
密封( J,T , Y, R-包) ................................... 150℃
塑料(男, DW ,L -包) ....................................... 150 ℃,
存储温度范围............................ -65℃ 150℃
引线温度(焊接, 10秒) ................... 300℃
注意: 1。超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压是相对于地面。所有电流都积极进入
指定的终端。
热数据
套餐:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 30 °C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
.............. 80 ° C / W
Y封装:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 50 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
............ 130 ° C / W
男包:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 60 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
............. 95 ° C / W
DW包装:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 40 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
.............. 95 ° C / W
包装:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 25 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
........... 130 ° C / W
了R封装:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
................. 5.0 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
............. 40 ° C / W
L封装:
热敏电阻 -
结到外壳
,
θ
JC
.................. 35 ° C / W
热敏电阻 -
结到环境
,
θ
JA
........... 120 ° C / W
注意: A.结温的计算:T已
J
= T
A
+ (P
D
x
θ
JA
).
注意B.在上面的数
θ
JC
是最大值的限制
封装在一个标准mount-热阻
荷兰国际集团的配置。该
θ
JA
号意味着是
该设备/ PC机的散热性能准则
董事会制度。以上所有的假设没有环境
气流。
推荐工作条件
(注2 )
电源电压(V
CC
) ................................. 4.5V至20V
(注3)
频率范围............................................... DC至1.5MHz
峰值脉冲电流............................................... .............
±3A
逻辑输入电压............................................... , -0.5至5.5V
注2:范围该设备的功能。
注3. AC性能进行了优化V
CC
= 8V至20V 。
工作环境温度范围(T
J
)
SG1626 ................................................. ........ -55 ° C至125°C
SG2626 ................................................. .......... -25 ° C至85°C
SG3626 ................................................. ............. 0 ° C至70℃
电气特性
(除非另有规定,这些specfiications应用在工作环境温度为SG1626具有-55 ℃的
T
A
125°C , SG2626有 -
25°C
T
A
85°C , SG3626 0 ℃,
T
A
70° C和V
CC
= 20V 。低占空比脉冲测试技术被用于维持其结和外壳
温度等于环境温度)。
参数
静态特性
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
输入钳位电压
输出高电压
(注4 )
输出低电压
(注4 )
电源电流输出低
电源电流输出高
注4: V
CC
= 10V至20V 。
测试条件
SG1626/2626/3626
单位
分钟。典型值。马克斯。
2.0
V
V
A
mA
mA
V
V
V
mA
mA
V
IN
= 2.4V
V
IN
= 5.5V
V
IN
= 0V
I
IN
= -10mA
I
OUT
= -200mA
I
OUT
= 200毫安
V
IN
= 2.4V (两路输入)
V
IN
= 0V (两个输入)
0.7
500
1.0
-4
-1.5
V
CC
-3
18
7.5
1.0
27
12
9/91 1.1版九十四分之二
版权
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2
11861西大街
加登格罗夫, CA 92841
(714) 898-8121
传真: ( 714 ) 893-2570
L
无限
微电子
SG1626/SG2626/SG3626
电气特性
参数
动态特性
(注6 )
传播延迟(从高到低)
(的TPH1 )
传输延迟低到高
( TPLH )
上升时间( TTLH )
下降时间( TTHL )
电源电流(I
CC
)
(两路输出)
(续)
SG1626/2626/3626
测试条件
(图1)
T
A
= 25°C
°
°
°
T
A
= -55 ° C至125°C
SG1626
单位
分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。
C
L
= 1000pF的
(注5 )
C
L
= 2500pF的
C
L
= 1000pF的
(注5 )
C
L
= 2500pF的
C
L
= 1000pF的
(注5 )
C
L
= 2500pF的
C
L
= 1000pF的
(注5 )
C
L
= 2500pF的
C
L
= 2500pF的,频率。 = 200KHz的
占空比= 50 %
18
25
25
35
30
40
20
40
35
30
40
40
50
35
50
30
50
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
17
25
30
30
30
5.注意这些参数,在1000pF的规定,虽然保证了推荐工作条件,不是100%的生产测试
化。
注6 V
CC
= 15V.
AC测试电路和开关时间波形 - 图1
SG1626
特性曲线
图2中。
转换时间VS.电源电压
网络连接gure 3 。
传输延迟与电源电压
图4中。
转换时间VS.环境温度
9/91 1.1版九十四分之二
版权
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L
无限
微电子
SG1626/SG2626/SG3626
特性曲线
(续)
图5中。
传输延迟与环境温度
图6 。
转换时间VS.容性负载
图7 。
电源电流与电容负载
网络连接gure 8 。
HIGH SIDE饱和度VS.输出电流
图9 。
LOW SIDE饱和度VS.输出电流
网络连接gure 10 。
电源电流与频率的关系
图11 。
电源电流与频率的关系
9/91 1.1版九十四分之二
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SG1626/SG2626/SG3626
应用信息
功耗
该SG1626 ,同时更加节能得比较早金掺杂
驱动IC的,还可以消散,因为相当大的权力了
在高频率高的峰值电流的能力。总功率
耗散在任何特定的应用程序将是直流的总和或
稳态功耗,并引起AC散热
驱动容性负载。
直流功耗由下式给出:
P
DC
= +V
CC
· I
CC
[1]
在那里我
CC
是驱动状态的功能,并且因此是占空比
依赖。
交流电源耗散正比于切换频
昆西,负载电容,和输出的方
电压。在大多数应用中,该驱动程序是在不断变化
状态,和AC贡献变为主导时
频率超过100-200KHz 。
该SG1626驱动器系列可在多种封装形式为
容纳一个宽的工作温度范围和
功耗的要求。绝对最高配置节
数据表和灰包括两个图表来帮助设计人员
选择一个合适的包,他的设计。
设计者应首先确定实际功耗
驾驶员通过参照该曲线的数据表与
工作电流供给电压,开关频率,并
容性负载。从获取的数据生成这些曲线
在实际设备上。然后,设计者可以参照绝对
最大热功耗曲线图来选择封装类型,
并确定是否需要热沉。
设计实例
鉴于:两个2500 pF的负载必须驱动推挽从+15
伏电源为100KHz的。这是一个商业应用,其中
最高环境温度为+ 50℃,并花费一点很
坦。
1.从图11中,平均驱动电流消耗
在这些条件下将18毫安,并且功耗
将15volts X 18毫安,或270MW 。
2.在环境温度特性曲线,它可以是
看出, M个包,这是一个8管脚塑料DIP用
铜引线框架,有足够多的热传导
从结点到环境,以支持在运行环境
温度为+ 50℃。该SG3626M司机将被指定
这种应用。
电源旁路
由于SG1626可以提供根据上述3安培峰值电流
一些负载条件下,适当的电源旁路是必需的
正确的操作。两个电容器并联推荐
为保证在宽的带宽低电源阻抗:一
0.1μF的陶瓷圆盘电容器,高频和4.7μF
固态钽电容的能量储存。在军事应用
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系统蒸发散,一个CK05 CK06或陶瓷经营者与企业社会责任13钽
电容器是一种有效的组合。对于商业应用
系统蒸发散,任何低电感陶瓷电容盘联手用
斯普拉格150D或相当的低ESR电容会很好地工作。
该电容必须尽可能靠近的身体可能
在V
CC
销,用联合举办铅和印刷电路板走线的长度
到小于0.5英寸。
接地注意事项
因为地面是两个基准电位的驱动器逻辑
和用于驾驶员的高峰值输出电流的返回路径,
使用低电感接地系统是必不可少的。接地
平面强烈建议以获得最佳性能。在密集的,
高性能应用的4层印刷电路板的效果最好;该
2内飞机是专门用于电源和接地分布,
和信号迹线由外部层进行。对于成本
敏感型设计的2层电路板,可向工作,有一个
层专用完全接地,而另一对功率和
信号分配。大量的关注组件布局
并且需要这种方式互连的路由。
逻辑接口
在1626年的逻辑输入被设计成接受标准DC-
加上5伏的逻辑摆幅,没有加速电容重
quired 。如果输入信号电压超过6伏时,输入管脚
在HIGH必须加以保护,防止过度的电压
状态。任一高速阻断二极管必须使用,或
电阻分压器衰减逻辑摆动是必需的。
布局FOR HIGH SPEED
该SG1626可以产生比较大的电压偏移
上升和下降时间约20至30纳秒光
的容性负载。这些时域信号的傅立叶分析
将显示强劲的能量成分的频率多
比基本开关频率较高。这些高频时
资本投资者入境计划可诱发振荡在一个理想的,否则脉冲是否有足够的
电感发生在信号路径中(无论是正信号
跟踪或接地回路) 。过冲的上升沿
不受欢迎的,因为过量的驱动电压可能会破裂的
的功率MOSFET的栅氧化层。后缘是冲
危险的,因为负电压偏移可以呈递
偏压驱动器的寄生的PN衬底二极管,有可能
导致运行不稳定或彻底失败。
振铃可以被减少或消除通过减少信号路径
电感,并通过使用驱动器之间的阻尼电阻
输出和容性负载。电感可以通过减少
保持走线长度短,走线宽度宽,并用2盎司
铜如果可能的话。为临界阻尼电阻器的值可以是
由下式计算:
R
D
= 2√L / C
L
[2]
其中L是总信号线的电感,而C
L
是负载
电容。在10和100欧姆值通常
足够了。廉价的碳质电阻器是最好的
因为它们具有优异的高频特性。
它们应位于尽可能接近到栅极端子
的功率MOSFET。
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