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SG1577A - 双同步DC / DC控制器
2009年9月
SG1577A
双同步DC / DC控制器
特点
综合两集MOSFET驱动器
两个独立的PWM控制器
恒定频率工作:自由运行修复
频率振荡器可编程: 61kHz至340kHz
最大输入电压: 15V
可编程输出低至0.7V
内部误差放大器参考电压:
0.7V±1.5%
两个软启动/ EN功能
可编程过电流保护( OCP )
30V高压引脚的电压自举
输出过电压保护( OVP )
20引脚SOP
描述
该SG1577A是一种高效率,电压模式,双
通道,同步DC / DC PWM控制器两
独立输出。两个通道进行操作
异相。内部参考电压微调
以0.7V ± 1.5 % 。它被连接到误差放大器的
正端的电压反馈调节。
软启动电路确保输出电压可以是
从零逐渐平稳上升到其最终
规定值。软启动引脚还可以用于
芯片使能功能。当两个软启动引脚
接地,芯片被禁止,总运行
电流可根据0.7毫安减少到。
固定频率的可编程范围为60kHz至
340kHz 。过电流保护( OCP )水平可
可以通过一个外部电流检测电阻器来设置。它
有两个集成套内部MOSFET驱动器。
SG1577A是采用20引脚SOP封装。
应用
CPU和GPU核心电压电源
电源需要两个独立的输出
订购信息
产品型号
SG1577ASY
操作
温度范围
-40 ° C至+ 105°C
生态状况
绿色
20引脚小外形
封装( SOP- 20 )
填料
磁带&卷轴
对于生态地位飞兆半导体的定义,请访问:
http://www.fairchildsemi.com/company/green/rohs_green.html 。
2009仙童半导体公司
SG1577A 版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
SG1577A - 双同步DC / DC控制器
应用框图
图1 。
典型用途
内部框图
图2中。
2009仙童半导体公司
SG1577A 版本1.0.0
功能框图
www.fairchildsemi.com
2
SG1577A - 双同步DC / DC控制器
标记图
20
ZXYTT
SG1577A
TPM
1
F:新时代的标志
Z:装配厂代码
X:年份代码
Y:周典
TT :模具运行代码
T: S = SOP
P: Y =绿色包装
M:掩膜版
SOP-20
2009仙童半导体公司
SG1577A 版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
3
SG1577A - 双同步DC / DC控制器
引脚配置
图3. SOP- 20引脚配置(顶视图)
引脚德网络nitions
名字
RT
针#
1
TYPE
描述
开关频率编程引脚。一个外部电阻连接
此引脚与GND可编程开关频率。开关
频率选择
频率为61kHz时, RT是开放的,并成为340kHz时, RT是
接地短路。
反馈
赔偿金
软启动/启用
过电流
保护
增加供应
高端驱动
开关节点
低侧驱动器
地面驱动
电源
低侧驱动器
开关节点
高端驱动
增加供应
过电流
保护
软启动/启用
赔偿金
反馈
模拟地
反相误差放大器的输入端。它通常被连接到所述
开关电源的输出端通过一个电阻分压器。
输出的误差放大器和输入到PWM比较器的。它被用来
反馈回路补偿。
A 35 / 15μA内部电流源充电的外部电容软
开始。拉下这个引脚和17引脚禁用芯片。
过电流保护高侧MOSFET 。从连接一个电阻
该引脚为高侧电源电压来编程OCP的水平。
供应高侧驱动器。连接到内部自举电路。
通道1 ,高边MOSFET栅极驱动器引脚。
开关节点连接到电感器。为信道1的高边驱动器的
参考地。
低边MOSFET栅极驱动器引脚。
驱动电路参考。连接至低边MOSFET GND 。
电源电压输入。
低边MOSFET栅极驱动器引脚。
开关节点连接到电感器。对于信道2 ,高边驱动器的
参考地。
2通道高边MOSFET栅极驱动器引脚。
供应高侧驱动器。连接到内部自举电路。
过电流保护的高边MOSFET 。连接一个电阻
从这个引脚到高端的电源电压进行编程OCP水平。
A 35 / 15μA内部电流源充电的外部电容器
软启动。下拉该引脚与引脚4禁用芯片。
输出的误差放大器和输入到PWM比较器的。它被用来
反馈回路补偿。
反相误差放大器的输入端。它通常被连接到所述
开关电源的输出端通过一个电阻分压器。
内部控制电路的参考。
IN1
COMP1
SS1/ENB
CLP1
BST1
DH1
CLN1
DL1
保护地
VCC
DL2
CLN2
DH2
BST2
CLP2
SS2/ENB
COMP2
IN2
GND
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
2009仙童半导体公司
SG1577A 版本1.0.0
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4
SG1577A - 双同步DC / DC控制器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件,并强调部分这些级别是不推荐的。
此外,过度暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。绝对最大额定值仅为应力额定值。所有电压值,除了差分电压,是
相对于网络的接地端子给出。强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。
符号
V
CC
BST1 (或2) -
CLN1 (或2)
CLN1 (或2) -
GND
BST1 (或2) -
GND
DH1 (或2) -
CLN1 (或2)
CLN1 (或2) ,
DL1 (或2)
保护地
Θ
JA
T
J
T
英镑
ESD
PGND到GND
参数
电源电压VCC和GND
BST1 (2) CLN1 (2)
CLN1 ( 2) GND为100ns的瞬态
BST1 ( 2) GND为100ns的瞬态
分钟。
马克斯。
16
16
单位
V
V
V
V
V
V
V
° C / W
°C
°C
kV
-4
18
30
16
-0.3
V
CC
+0.3
±1
90
热阻,结航
工作结温
存储温度范围
静电放电
防护等级
人体模型( HBM )
带电器件模型( CDM)
-40
-65
+125
+150
2
1
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定,以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计,以绝对最大额定值。
符号
V
CC
T
A
电源电压
参数
工作环境温度
分钟。
-40
马克斯。
+15
+105
单位
V
°C
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SG1577A 版本1.0.0
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SG1577A - 双同步DC / DC控制器
2010年8月
SG1577A
双同步DC / DC控制器
特点
综合两集MOSFET驱动器
两个独立的PWM控制器
恒定频率工作:自由运行
固定频率振荡器的可编程:
61kHz至340kHz
最大输入电压: 15V
可编程输出低至0.7V
内部误差放大器参考电压:
0.7V±1.5%
两个软启动/ EN功能
可编程过电流保护( OCP )
30V高压引脚的电压自举
输出过电压保护( OVP )
20引脚SOP
描述
该SG1577A是一种高效率,电压模式,双
通道,同步DC / DC PWM控制器两
独立输出。两个通道进行操作
异相。内部参考电压微调
以0.7V ± 1.5 % 。它被连接到误差放大器的
正端的电压反馈调节。
软启动电路确保输出电压可以是
从零逐渐平稳上升到其最终
规定值。软启动引脚还可以用于
芯片使能功能。当两个软启动引脚
接地,芯片被禁止,总运行
电流可根据0.7毫安减少到。
固定频率的可编程范围为60kHz至
340kHz 。过电流保护( OCP )水平可
可以通过一个外部电流检测电阻器来设置。它
有两个集成套内部MOSFET驱动器。
SG1577A是采用20引脚SOP封装。
应用
CPU和GPU核心电压电源
电源需要两个独立的输出
订购信息
产品型号
SG1577ASY
工作温度范围
-40 ° C至+ 105°C
20引脚小外形封装
(SOP-20)
包装方法
磁带&卷轴
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SG1577A 版本1.0.2
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SG1577A - 双同步DC / DC控制器
应用框图
图1 。
典型用途
内部框图
图2中。
功能框图
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SG1577A 版本1.0.2
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2
SG1577A - 双同步DC / DC控制器
标记图
20
ZXYTT
SG1577A
TPM
1
F:新时代的标志
Z:装配厂代码
X:年份代码
Y:周典
TT :模具运行代码
T: S = SOP
P: Y =绿色包装
M:掩膜版
SOP-20
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SG1577A 版本1.0.2
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SG1577A - 双同步DC / DC控制器
引脚配置
图3. SOP- 20引脚配置(顶视图)
引脚德网络nitions
名字
RT
针#
1
TYPE
描述
开关频率编程引脚。一个外部电阻连接
此引脚与GND可编程开关频率。开关
频率选择
频率为61kHz时, RT是开放的,并成为340kHz时, RT是
接地短路。
反馈
赔偿金
软启动/启用
过电流
保护
增加供应
高端驱动
开关节点
低侧驱动器
地面驱动
电源
低侧驱动器
开关节点
高端驱动
增加供应
过电流
保护
软启动/启用
赔偿金
反馈
模拟地
反相误差放大器的输入端。它通常被连接到所述
开关电源的输出端通过一个电阻分压器。
输出的误差放大器和输入到PWM比较器的。它被用来
反馈回路补偿。
A 35 / 15μA内部电流源充电的外部电容软
开始。拉下这个引脚和17引脚禁用芯片。
过电流保护高侧MOSFET 。从连接一个电阻
该引脚为高侧电源电压来编程OCP的水平。
供应高侧驱动器。连接到内部自举电路。
通道1 ,高边MOSFET栅极驱动器引脚。
开关节点连接到电感器。为信道1的高边驱动器的
参考地。
低边MOSFET栅极驱动器引脚。
驱动电路参考。连接至低边MOSFET GND 。
电源电压输入。
低边MOSFET栅极驱动器引脚。
开关节点连接到电感器。对于信道2 ,高边驱动器的
参考地。
2通道高边MOSFET栅极驱动器引脚。
供应高侧驱动器。连接到内部自举电路。
过电流保护的高边MOSFET 。连接一个电阻
从这个引脚到高端的电源电压进行编程OCP水平。
A 35 / 15μA内部电流源充电的外部电容软
开始。下拉该引脚与引脚4禁用芯片。
输出的误差放大器和输入到PWM比较器的。它被用来
反馈回路补偿。
反相误差放大器的输入端。它通常被连接到所述
开关电源的输出端通过一个电阻分压器。
内部控制电路的参考。
IN1
COMP1
SS1/ENB
CLP1
BST1
DH1
CLN1
DL1
保护地
VCC
DL2
CLN2
DH2
BST2
CLP2
SS2/ENB
COMP2
IN2
GND
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
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SG1577A - 双同步DC / DC控制器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件,并强调部分这些级别是不推荐的。
此外,过度暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。绝对最大额定值仅为应力额定值。所有电压值,除了差分电压,是
相对于网络的接地端子给出。强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。
符号
V
CC
BST1 (或2) -
CLN1 (或2)
CLN1 (或2) -
GND
BST1 (或2) -
GND
DH1 (或2) -
CLN1 (或2)
CLN1 (或2) ,
DL1 (或2)
保护地
Θ
JA
T
J
T
英镑
ESD
PGND到GND
参数
电源电压VCC和GND
BST1 (2) CLN1 (2)
CLN1 ( 2) GND为100ns的瞬态
BST1 ( 2) GND为100ns的瞬态
分钟。
马克斯。
16
16
单位
V
V
V
V
V
V
V
° C / W
°C
°C
kV
-4
18
30
16
-0.3
V
CC
+0.3
±1
90
热阻,结航
工作结温
存储温度范围
静电放电
防护等级
人体模型( HBM )
带电器件模型( CDM)
-40
-65
+125
+150
2
1
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定,以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计,以绝对最大额定值。
符号
V
CC
T
A
电源电压
参数
工作环境温度
分钟。
-40
马克斯。
+15
+105
单位
V
°C
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SG1577A 版本1.0.2
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AN-1577
SG1577A布局指南
抽象
这种布局在高开关频率很重要
转换器的设计。如果设计不当,PCB可能辐射
过度的噪音,并有助于转换器不稳定。
将脉冲宽度调制(PWM )功率级
组件第一。安装所有的电源组件和
在顶层与宽的铜区域的连接。该
降压,电感器和输出电容器的切换应
为彼此接近,尽可能减少的辐射
EMI由于高频电流环路。如果输出
电容器并联放置,以减少的ESR
电容,平等共享的纹波电流应予以考虑。
将输入电容接近高侧漏
MOSFET。在多层PCB ,使用一层为动力
地和有一个单独的控制信号地作为
参考所有信号。为了避免信号地被
受噪声的影响,并具有最好的负载调节,它应该是
连接到输出端的接地端子。
关键,小信号的组分包括任何
旁路电容(贴片式电容应用于
VCC和SSX / ENB引脚) ,反馈元件
(电阻分压器) ,和补偿元件
(之间INx的和COMPX引脚) 。这些定位
成分接近他们的引脚与当地的,明确的GND
连接或直接连接到接地平面。
让那些
小信号的组件和它们的电线迹远
客场CLNx节点的嘈杂发电机。
将自举电容靠近BSTX和CLNx
销。
将陶瓷电容器(SMD或DIP型)附近
VCC引脚和GND引脚获得了抗噪声能力。
RT引脚上的电阻应靠近该引脚和
在GND回报应该是短而远离
嘈杂的MOSFET的GND(即短连同IC的
PGND引脚连接到GND层PCB板的背面) 。
将补偿元件接近INx的
和COMPX引脚。
反馈电阻为监管部门应
位于尽可能接近到相关INx的引脚与
孔并列直到地平面的要求。
最小化之间的连接的长度
输入电容, CIN和功率切换器
管(MOSFET ),通过将其放在附近。
位置无论是陶瓷和大容量输入电容为
靠近上部MOSFET漏极端子尽可能
并且使接地返回(从源终端
较低的MOSFET ,以V
IN
电容GND )的简称。
定位输出电感和输出电容
上MOSFET和下MOSFET和间
的负载。
AGND应在更清晰的平面和远离
从嘈杂的MOSFET GND 。
保护地线应尽量短,以MOSFET GND在一起,
然后通过过孔到GND层PCB板的底部。
如图1的最佳的高电流电源回路。
检查单双层PCB
按照下面的准则以获得最佳性能:
甲双层印刷电路板的建议。
使用该印刷电路板的底层作为接地平面和
通过使所有关键部件的接地连接
过孔到这一层。
继续运行,从CLNx终端的痕迹
输出电感短。
使用在上面(和底部铜填充的多边形,若
双层PCB )的电路层的CLNx节点。
从DLX和DHX小信号线走线
引脚MOSFET栅极应尽量短,并
宽度足以轻松处理驱动器的几个安培
电流。
2009仙童半导体公司
修订版1.0.0 09年7月31日
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AN-1577
应用说明
缓冲器
C
IN
C
IN
C
IN
(陶瓷)
缓冲器
C
IN
C
IN
C
IN
(陶瓷)
C
OUT
C
OUT
C
OUT
C
OUT
SG1577
图1.电源回路
实用案例
SG1577A用于ATX电源领域,所以SG1577A
主机单层板或子板插入
主电路板。以下各节提供了良好的可
布局两种情况。
该规范CLN到GND为:
CLN至GND为100ns的瞬间:
-4V最小。
18V最大
大电流回路应小,以防止电磁干扰
问题。
输入电容(陶瓷和E / C)和输出
电容应该是相对的轨附近。
对于低边MOSFET GND到V采用了跳线
IN
GND ,考虑的额定电流。二/三件
并联跳投,不仅提高了额定电流,但
也降低了寄生电感。由于这种跳线,
该IC地线不应该在这里连接!
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2
案例1 :单层
电源回路
高侧和低侧MOSFET之间CLNx跟踪
应该是铜填充多边形。不要使用跳线
(这导致寄生电感和诱导
负尖峰此节点上) 。
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修订版1.0.0 09年7月31日
AN-1577
应用说明
图4. DHX & DLX连接
图2.电源回路
地线GND &
使用配线跟踪连接PGND & GND 。不要使用
跳线。如有必要,使用0Ω电阻0805/1206是
跳线。
小信号
与此相关的引脚的组件应该在附近。该
关键的引脚都在, COMP , BST , RT , SS / ENB和VCC 。如果
某些这些部件的参考地,它们应
连接到GND端子(在这种情况下, GND为相同
保护地) 。对于不能使用跳线, 0Ω任何连接
0805/1206电阻建议。
的DIP型VCC电容的可以接近到VCC
和GND引脚为最佳的抗干扰能力。
GND
保护地
图3. PGND & AGND布线追踪
门连接
“短而宽”是难以实现在单一层
板,做最好的。
不要使用跳线是连接器; 0Ω
0805/1206电阻建议。
避免穿过CLNx节点,以避免
嘈杂的干扰。
图4还示出了SG1577A的位置和
功率MOSFET的比较。不要将SG1577A中
功率MOSFET的,即使这个中心
简化了布线跟踪。
保护地
VCC
V
CC
帽。
图5.小信号元件布局
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修订版1.0.0 09年7月31日
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AN-1577
应用说明
案例2 :子板的双层
电源回路
计划中的电源回路的流量尽可能顺利。
VCC的陶瓷电容应靠近的漏
上MOSFET和下MOSFET的源极。使用
铜面在这个循环的需要。
图6.子板(顶层)
图7.主板电源回路
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AN-1577
应用说明
地线GND &
使用接线走线来连接所有接地网一起,再配合PGND和GND的接地平面。
图8. PGND & GND布线追踪(底层)
门连接
使走线尽可能短而宽越好。
保持跟踪的底层。不要把跟踪的
顶层靠近嘈杂的节点。
通过对DHX / DLX / CLNx的痕迹,不要使用超过一个
以避免PCB的寄生效应。
小信号
与此相关的引脚的元件应靠近
通过。关键的引脚都在, COMP , BST , RT , SS / ENB和
VCC时,如图9 。
图9. DHX & DLX连接(底层)
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修订版1.0.0 09年7月31日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SG1577A
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    -
    -
    -
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SG1577A
FAIRCHIL
24+
18650
SOP20
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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FAIRCHIL
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27
原装正品,支持实单
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电话:0755-23051326
联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
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联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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SG1577A
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5007
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