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晶体振荡器
爱普生拓优科梦
产品号码(请联系我们)
晶体振荡器
可编程
Q3323LBxxxxxx00
SG - 8002 LB
系列
频率
范围
:
1兆赫至125兆赫
●供应
电压
:
3.3 V或5.0 V
“功能
:
输出使能( OE )或待机(
ST
)
厚度
:
1.2毫米最大。
利用PLL技术批量生产时间。
SG-作家
可选购。
请联系Epson Toyocom公司或当地的销售代表。
实际尺寸
规格(特征)
特定网络阳离子
*2
备注
PH
/
SH
PC
/
SC
1 MHz到80 MHz
-
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
输出频率范围
f
0
-
1兆赫至125兆赫
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
-
1 MHz至66.7 MHz的
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
电源电压
V
CC
4.5 V至5.5 V
2.7 V至3.6 V
储存温度
-40
°C
+125
°C
拆包后的保存裸产品
T_stg
温度
范围
工作温度
-20
°C
+70
°C
(-40
°C
+85
°C)
请参阅“纲要规范” (频率范围)
T_use
B:
±50 ×
10
-6
,C:
±100 ×
10
-6
-20
°C
+70
°C
频率容差
f_tol
M:
±100 ×
10
-6
*3
-40
°C
+85
°C
-40
°C
+85
°C,
V
CC
±5
%
*3
L:
±
50
×
10
-6
mA(最大值) 30 。
-
无负载条件下,
f
0
= 80 MHz的
消耗电流
I
CC
-
28毫安最大。
无负载条件下,
f
0
125兆赫
mA(最大值) 25 。
-
P型而已,
f
0
= 80 MHz的
禁用当前
I_dis
-
mA(最大值) 16 。
P型而已,
f
0
125兆赫
待机电流
I_STD
50
A
马克斯。
仅S型,
ST
= GND
40%至60%的
-
50 % V
CC
, L_CMOS = 15 pF的,
≤80
兆赫
45 %至55%的
-
50 % V
CC
, L_CMOS = 25 pF的,
≤50
兆赫
对称
*1
符号
-
40%至60%的
50 % V
CC
, L_CMOS = 15 pF的,V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
≤125
兆赫
-
40%至60%的
50 % V
CC
, L_CMOS = 15 pF的,V
CC
= 2.7 V至3.6 V ,
≤66.7
兆赫
-
45 %至55%的
50 % V
CC
, L_CMOS = 15 pF的,V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
≤40
兆赫
高输出电压
V
OH
V
CC
-0.4 V MIN 。
I
OH
= -16毫安( PH , SH ) , - 8毫安(PC , SC )
低输出电压
V
OL
0.4 V最大。
I
OL
= 16 MA( PH , SH ) , 8毫安(PC , SC )
输出负载条件( CMOS )
*1
L_CMOS
15 pF的最大值。
马克斯。频率和最大。电源电压
输出使能/禁用
V
IH
2.0 V分钟。
70 % V
CC
分钟。
ST
终端或OE端
输入电压
0.8 V最大。
20 % V
CC
马克斯。
V
IL
上升时间/下降时间
*1
t
r
/
t
f
3 ns(最大值) 。
20 % V
CC
到80 %的V
CC
水平, L_CMOS = MAX 。
最大10 ms 。
在电源电压最低的时间是0秒
启动时间
t_str
+25
°C,
V
CC
= 5.0 V / 3.3 V (PC
/
SC )第一年
±5 ×
10
-6
/年最大。
频率老化
f_aging
*1
工作温度( -40
°C
+85
°C),
可用的频率,对称和输出负载的条件下,请参考“规格概述”页。
符号
*2
*3
PLL -PLL连接&抖动规格,请参阅“抖动规格和特性表”页面。
PH , SH为“M”的宽容和“L ”公差可达到27兆赫。如果有可能的频率检查程序。
外形尺寸
5.0
±
0.2
(单位:毫米)
足迹(推荐)
(单位:毫米)
#4
#3
3.2
±0.2
FCC21A
#1
#2
2.8
ê 125.0B
引脚米AP
引脚。连接
1
OE或
ST
2
GND
3
OUT
4
V
CC
1.6
1.2最大。
0.1
1.0
2.54
0米英寸
(0.35)
2.5
(0.35)
注。
OE引脚(P H, PC)
OE引脚= "H"或"open" :指定的频率输出。
OE引脚= "L" :输出为高impedanc即
S T
销( SH, SC)的
S T
引脚= "H"或"open" :指定的频率输出。
S T
引脚= "L" :输出为低电平(弱上拉 - 下) ,振荡停止。
2.2
2.54
M等人可以在该产品的顶部或底部暴露出来。
这不会影响任何质量,可靠性或电气规格。
http://www.epsontoyocom.co.jp
1.5
振荡器
晶体振荡器
爱普生拓优科梦
规格SG- 8002系列_大纲
模型
当前
消费记录
供应
电压
4.5 V至5.5 V
15 pF的
3.0 V至3.6 V
15 pF的
( 2.7 V至3.6 V )
输出负载条件
输出上升时间
输出下降时间
3.0 ns(最大值) 。
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
, L_CMOS =最大值)。
3.0 ns(最大值) 。
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
,
L_CMOS =最大值)。
对称
功能
PH
30毫安
SG-8002LB
( SOJ 4针)
SH
SC
马X.
40 %至60% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 15 pF的
,
f
0
≤80
兆赫/ -40 ° C至+ 85°C )
OE
ST
PC
28毫安
马X.
45 %至55% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 15 pF的V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
,
40 %至60% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 15 pF的V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
,
(50 % V
CC
, L_CMOS = 15 pF的,V
CC
= 2.7 V至3.6 V ,
f
0
≤40
兆赫)
OE
f
0
≤125
兆赫)
f
0
≤66.7
兆赫)
ST
OE
ST
SG-8002CA
( SON )
SG-8002JA
( SOJ 4针)
SG-8002DB
( DIP 14针)
SG-8002DC
( DIP 8针)
PT
ST
45毫安
PH
SH
PC
28毫安3.0 V至3.6 V
SC
PT
ST
45毫安
4.5 V至5.5 V
马X.
马X.
5 TTL + 15 pF的(
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
25 PF(
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
5 TTL + 15 pF的(
f
0
≤40
兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C)
15 PF(
f
0
≤55
兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C)
4.5 V至5.5 V
25 PF(
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
50 PF(
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
15 PF(
f
0
≤55
兆赫/ -40 ° C至+ 85°C )
25 PF(
f
0
≤40
兆赫/ -40 ° C至+ 85°C )
15 PF(
f
0
≤66.7
兆赫/ 2.7 3.6 V)
15 PF(
f
0
≤125
兆赫/ 3.0 3.6 V )
( 2.7 V至3.6 V )
30 PF(
f
0
≤40
兆赫/ 3.0 3.6 V )
5TTL + 15 pF的(
f
0
≤90
兆赫/ -20至+ 70 ° C)
45 %至55% (1.4伏, L_TTL = 5的TTL + 15 pF的,
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
2.0 ns(最大值) 。
( 1.4 V, L_TTL = 5 TTL + 15 pF的,
f
0
≤40.0
兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C)
( 0.8 V至2.0 V, L_CMOS或L_TTL =最大值)。
40 %至60% (1.4伏, L_TTL = 5的TTL + 15 pF的,
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
4.0 ns(最大值) 。
( 1.4 V, L_CMOS = 25 pF的,
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
( 0.4 V至2.4 V , L_CMOS或L_TTL =最大值)。
( 1.4 V, L_CMOS = 15 pF的,
f
0
≤55.0
兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C)
3.0 ns(最大值) 。
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
,L_CMOS≤25)
45 %至55% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 25 pF的
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
,
(50 % V
CC
, L_MOS = 25 pF的,
f
0
≤40.0
兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C)
OE
ST
40 %至60% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 25 pF的
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
,
4.0 ns(最大值) 。
(50 % V
CC
, L_CMOS = 50 pF的,
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
, L_CMOS =最大值)。
(50 % V
CC
, L_CMOS = 15 pF的,
f
0
≤55.0
兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C)
3.0 ns(最大值) 。
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
,L_CMOS≤15)
4.0 ns(最大值) 。
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
, L_CMOS =最大值)。
2.0 ns(最大值) 。
( 0.8 V至2.0 V, L_CMOS或L_TTL =最大) 40 %至60 % ( 1.4 V, L_TTL = 5 TTL + 15 pF的,
f
0
≤90.0
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
4.0 ns(最大值) 。
( 1.4 V, L_CMOS = 25 pF的,
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
( 0.4 V至2.4 V , L_CMOS或L_TTL =最大值)。
( 1.4 V, L_CMOS = 15 pF的,
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
3.0 ns(最大值) 。
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
,L_CMOS≤25)
4.0 ns(最大值) 。
3.0 ns(最大值) 。
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
,L_CMOS≤15)
4.0 ns(最大值) 。
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
, L_CMOS =最大值)。
2.0 ns(最大值) 。
( 0.8 V至2.0 V, L_CMOS≤25 )
45 %至55% (50 %的V
CC
,
L_CMOS = 25 pF的
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
,
40 %至60% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 15 pF的
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
,
(50 % V
CC
, L_CMOS = 25 pF的,
f
0
≤90
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
(50 % V
CC
, L_CMOS = 50 pF的,
45 %至55% (1.4伏, L_TTL = 5的TTL + 15 pF的,
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
45 %至55% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 30 pF的V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
,
40 %至60% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 15 pF的V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
,
(50 % V
CC
, L_CMOS = 15 pF的,V
CC
= 2.7 V至3.6 V ,
f
0
≤40
兆赫)
OE
f
0
≤125
兆赫)
f
0
≤66.7
兆赫)
ST
15 PF(
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
25 PF(
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
15 PF(
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
25 PF(
f
0
≤90
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
OE
ST
SG-8002JC
( SOJ 4针)
PH
SH
PC
SC
PT
ST
马X.
OE
ST
50 PF(
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
15 PF(
f
0
≤66.7
兆赫/ 2.7 3.6 V)
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
, L_CMOS =最大值)。
f
0
≤50
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
28毫安
马X.
3.0 V至3.6 V
15 PF(
f
0
≤125
兆赫/ 3.0 3.6 V )
( 2.7 V至3.6 V )
30 PF(
f
0
≤40
兆赫/ 3.0 to3.6 V)
45 %至55% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 30 pF的V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
,
40 %至60% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 15 pF的V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
,
(50 % V
CC
, L_CMOS = 15 pF的,V
CC
= 2.7 V至3.6 V ,
f
0
≤40
兆赫)
OE
f
0
≤125
兆赫)
f
0
≤66.7
兆赫)
ST
OE
ST
15 PF(
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
25 PF(
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
5TTL + 15 pF的(
f
0
90兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
15 PF(
f
0
≤40
兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C)
SG-8002JF
( SOJ 4针)
45毫安
PH
马X.
4.5 V至5.5 V
SH
PC
SC
PT
ST
40毫安
SG-8002CE
( SON )
马X.
4.5 V至5.5 V
28毫安
马X.
15 PF(
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
25 PF(
f
0
≤90
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
50 PF(
f
0
≤50
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
15 PF(
f
0
≤40
兆赫/ -40 ° C至+ 85°C )
4.0 ns(最大值) 。
( 1.4 V, L_CMOS = 15 pF的,
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
( 0.4 V至2.4 V , L_CMOS或L_TTL =最大值)。
( 1.4 V, L_CMOS = 15 pF的,
f
0
≤40
兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C)
45 %至55% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 25 pF的
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
,
3.0 ns(最大值) 。
40 %至60% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 25 pF的
f
0
≤90.0
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
,
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
,L_CMOS≤25)
(50 % V
CC
, L_CMOS = 50 pF的,
f
0
≤50.0
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
4.0 ns(最大值) 。
(50 % V
CC
, L_CMOS = 15 pF的,
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
, L_CMOS =最大值)。
(50 % V
CC
, L_CMOS = 15 pF的,
f
0
≤40
兆赫/ -40 ° C至+ 85°C )
3.0 ns(最大值) 。
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
,L_CMOS≤15)
45 %至55% (50 %的V
CC
, CL = 30 pF的,V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
f
0
≤40
兆赫)
40 %至60% (50 %的V
CC
, CL = 15 pF的,V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
f
0
≤125
兆赫)
45 %至55% (1.4伏, L_TTL = 5的TTL + 15 pF的,
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
40 %至60% (1.4伏, L_TTL = 5的TTL + 15 pF的,
f
0
≤90
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
( 1.4 V, L_CMOS = 25 pF的,
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
OE
ST
3.0 V至3.6 V
15 PF(
f
0
≤125
兆赫/ 3.0 3.6 V )
( 2.7 V至3.6 V )
30 PF(
f
0
≤40
兆赫/ 3.0 3.6 V )
15 PF(
f
0
≤66.7
兆赫/ 2.7 3.6 V)
OE
ST
5 TTL + 15 pF的(
f
0
≤27
兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C)
15 PF(
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
5 TTL + 15 pF的(
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
4.0 ns(最大值) 。
(50 % V
CC
, CL = 15 pF的,V
CC
= 2.7 V至3.6 V ,
f
0
≤66.7
兆赫)
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
, L_CMOS =最大值)。
2.0 ns(最大值) 。
45 %至55% (1.4伏, L_TTL = 5的TTL + 15 pF的,
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
( 0.8 V至2.0 V, L_TTL =最大值)。
4.0 ns(最大值) 。
( 0.4 V至2.4 V , L_TTL =最大值)。
3.0 ns(最大值) 。
( 1.4 V, L_TTL = 5 TTL + 15 pF的,
f
0
≤27.0
兆赫/ -40 ° C至+ 85°C )
40 %至60% (1.4伏, L_TTL = 5的TTL + 15 pF的,
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
OE
ST
PH
45 %至55% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 25 pF的
,
SH
PC
28毫安
SC
马X.
25 PF(
f
0
≤100
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
25 PF(
f
0
≤27
兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C)
3.0 V至3.6 V
15 PF(
f
0
≤66.7
兆赫/ 2.7 3.6 V)
( 2.7 V至3.6 V )
15 PF(
f
0
≤125
兆赫/ 3.0 3.6 V )
(50 % V
CC
, L_CMOS = 25 pF的,
f
0
≤27.0
兆赫/ -40 ° C至+ 85°C )
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
, L_CMOS =最大值)。
40 %至60% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 15 pF的
f
0
≤125
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
,
3.0 ns(最大值) 。
45 %至55% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 15 pF的V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
f
0
≤40
兆赫)
,
(20 % V
CC
到80 %的V
CC
,
L_CMOS =最大值)。
40 %至60% (50 %的V
CC
, L_CMOS = 15 pF的V
CC
= 3.0 V至3.6 V ,
,
(50 % V
CC
, L_CMOS = 15 pF的,V
CC
= 2.7 V至3.6 V ,
f
0
≤66.7
兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C)
OE
ST
f
0
≤125
兆赫)
f
0
≤66.7
兆赫)
ST
OE
表频率范围
模型
PT / ST
PH / SH
PC / SC
PH / SH
SG-8002LB
PC / SC
PT / ST
PH / SH
PC
SC
PT / ST
PH / SH
PC / SC
PT / ST
PH / SH
PC / SC
3.3 V±0.3 V
4.5 V至5.5 V
3.0 V至3.6 V
( 2.7 V至3.6 V )
4.5 V至5.5 V
3.0 V至3.6 V
( 2.7 V至3.6 V )
4.5 V至5.5 V
3.0 V至3.6 V
( 2.7 V至3.6 V )
电源电压
4.5 V至5.5 V
3.0 V至3.6 V
( 2.7 V至3.6 V )
5.0 V±0.5 V
频率容差
OperatingTemperature
B,C
M
B, C,M
B,C
M,L
B,C , M,L
B,C
M
B, C,M
B,C
M
B, C,M
B
C
B
C
频率
1兆赫
1.0 MH
1.0 MH
1.0 MH
*2.7
V到3.6 V : 1.0 MHz到66.7 MHz的
1.0 MH
1.0 MH
1.0 MH
1.0 MH
1.0 MH
1.0 MH
*2.7
V到3.6 V : 1.0 MHz到66.7 MHz的
1.0 MH
1.0 MH
1.0 MH
1.0 MH
1.0 MH
*2.7
V到3.6 V : 1.0 MHz到66.7 MHz的
55 MH
125 MH
*2.7
V到3.6 V : 1.0 MHz到66.7 MHz的
125 MH
125 MH
125 MH
27 MH
125 MH
*2.7
V到3.6 V : 1.0 MHz到66.7 MHz的
125 MH
40 MH
125 MH
80 MH
50兆赫
27 MH
100兆赫
125兆赫
125 MH
125 MH
SG-8002CE
SG-8002JF
SG-8002CA
SG-8002JA
SG-8002DB
SG-8002DC
SG-8002JC
频率容限: B: ± 50 × 10
-6
( -20 ° C至+ 70 ° C) , C: ± 100 × 10
-6
( -20 ° C至+ 70 ° C) , M: ± 100 × 10
-6
( -40 ° C至+ 85 ° C) , L: ± 50 × 10
-6
( -40 ° C至+ 85 ° C)
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晶体振荡器
爱普生拓优科梦
SG / HG- 8002系列_
抖动的规格和特性图
PLL -PLL连接
因为我们使用一个PLL技术中,有一些情况下,当SG- 8002连接到另一个抖动值将增加
PLL的振荡器。
根据我们的经验,我们无法推荐这些产品的应用,如电信运营商使用或模拟视频
时钟使用。请提前为这些应用程序仔细的检查(抖动规格的最大值是250 PS / CL = 15 pF的)
抖动特定网络阳离子
模型
PT
/
PH
ST
/
SH
SC
/
PC
供应
电压
5.0 V
±0.5
V
峰值到峰值
3.3 V
±0.3
V
循环周期
峰值到峰值
抖动项目
循环周期
特定网络阳离子
150
PS最大。
200 PS最大。
200 PS最大。
250 PS最大。
200 PS最大。
250 PS最大。
备注
33兆赫
f
0
125
兆赫, L_CMOS = 15 pF的
1.0
兆赫
f
0
< 33兆赫, L_CMOS = 15 pF的
33兆赫
f
0
125
兆赫, L_CMOS = 15 pF的
1.0
兆赫
f
0
< 33兆赫, L_CMOS = 15 pF的
1.0
兆赫
f
0
125
兆赫, L_CMOS = 15 pF的
1.0
兆赫
f
0
125
兆赫, L_CMOS = 15 pF的
备注噪音管理的电源线
我们不建议在电源线的EMI降噪对策插入过滤器或其它设备。
此设备插入,可能会在电源线的高频阻抗高,它会影响振荡器稳定的驱动。
当这项措施是必需的,请评估电路和设备的行为在电路并验证它不会影响振荡。
启动时间(0 %V
CC
到90 %的V
CC
)电源的应大于
150
s.
SG -8002系列特性曲线图
50
40
I
CC
(MA )
30
20
10
0
50
40
I
_Dis
(MA )
30
20
10
0
50
40
对称(%)
I
_std
(
A)
30
20
10
2.5
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V
CC
(V)
5.5 6.0
20
40 60 80
100 120 140
频率(MHz)
待机电流
20
40 60 80
100 120 140
频率(MHz)
消耗电流
(V
CC
=5.0V)
60
对称(%)
55
50
45
40
0
60
对称(%)
55
50
15
pF
50 pF的
对称的5.0 V CMOS电平
25 pF的
3.0
输出上升时间( CMOS电平)
4.5 V
5.0 V
5.5 V
2.5
上升时间(纳秒)
15
pF
3.0 V
3.3 V
3.6 V
2.7 V
2.0
1.5
20
40 60 80
100 120 140
频率(MHz)
1.0
10 15
20 25 30 35 40 45
50 55
禁用当前
(V
CC
=5.0V)
对称的3.3 V CMOS电平
3.0
30 pF的
负载电容(PF )
输出下降时间( CMOS电平)
3.0 V
3.3 V
3.6 V
4.5 V
5.0 V
5.5 V
下降时间(纳秒)
2.5
45
40
0
20
40 60 80
100 120 140
频率(MHz)
2.0
2.7 V
1.5
60
55
50
45
40
0
对称5.0V TTL电平
1.0
10 15
20 25 30 35 40 45
负载电容(PF )
50 55
25 pF的
15
pF
2.0
上升时间(纳秒)
1.5
1.0
输出上升时间( TTL电平)
4.5 V
5.0 V
5.5 V
20
40 60 80
100 120 140
频率(MHz)
10
2.0
下降时间(纳秒)
附加价值(毫安)
输出负载与额外的电流消耗
20
V
CC
=5.0 V
18
25 pF的
16
14
50 pF的
12
15
pF
10
30 pF的
8
6
4
2
电压系数[
V
CC
VS I_dis , I_STD ]
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
2.5
I_dis(Va)=Times(Va)×I_dis(5.0V)
I_std(Va)=Times(Va)×I_std(5.0V)
15
20
25
负载电容(PF )
输出下降时间( TTL电平)
30
1.5
4.5 V
5.0 V
5.5 V
1.0
0
20
40 60 80
100 120 140
频率(MHz)
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
V
CC
(V)
10
15
20
25
负载电容(PF )
30
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“ QMEMS 」Epson Toyocom
为了满足客户的需求在迅速发展的数字化,
宽带和无所不在的社会,我们致力于提供产品
这是领先于市场一步以上的休息质量等级。
为了实现我们的目标,我们遵循了“ 3D ( 3设备)战略”,旨在
驱动水平和垂直生长。我们将扩大我们的三个装置
“定时装置”类别, “传感设备”和“光器件” ,
并通过对产品从这些组合扩大垂直生长
类别。
石英MEMS就是利用了所有高附加值的石英器件
石英晶体材料的特性,而且是使用MEMS制造
(微机电系统)的处理技术。
市场需求推动的速度比以前想象的走向
更小,更稳定的晶体产品,但我们会保持领先的曲线
通过推出超过市场的速度,优质的产品
要求。我们要进一步加快了QMEMS的3D战略。
石英器件已经成为在网络环境中,其中关键
产品正越来越多地用于宽带,无处不在的应用
在各类终端都可传送信息
立即通过局域网和广域网在全球范围内。爱普生拓优科梦
公司地址在网络环境中的所有需求。
新公司提供了“数字融合”的问题解决方案
的产品,为消费者的使用,例如,核心网络系统所产生
和汽车系统。
促进环境管理体系
符合国际标准
爱普生拓优科梦,所有的环保措施下运行
ISO 14000是国际标准环境管理
计划 - 执行 - 检查 - 行动( PDCA )的循环来实现
那是在1996年成立了国际标准化组织
不断改进。环境管理
针对日益关注的关于全球气候变暖的背景下,
系统( EMS)的ISO下运作14001环境
臭氧层的破坏和全球毁林
管理标准。
我们所有的主要制造和非制造基地,在日本和海外完成收购的ISO 14001认证。
在未来,新的集团公司将有望获得各地运营的第三年的认证。
追求高品质
为了提供优质可靠的产品和服务比满足客户的需求,
爱普生拓优科梦早日作出努力取得ISO9000系列认证,并已获得ISO9001在日本所有的商业机构
和国外。我们还通过ISO / TS 16949认证是由大型汽车制造厂商要求规格的。
QS- 9000是质量保证体系更加强化的标准
由美国知名汽车制造商的基础上制定的
国际ISO 9000系列。
ISO / TS 16949是根据QS -9000 ,严厉标准的全球标准
对应于从汽车工业的要求。
Explanation
该标记的正在使用它的产品目录
-PB
免费。
符合
欧盟RoHS指令。
-PB
免费终端设计。含铅产品通过RoHS指令豁免。
(包含铅密封玻璃,高温熔化性焊料或其他)。
符合
欧盟RoHS指令。
产品已专为高可靠性应用,如汽车。
通告
资料如有更改,恕不另行通知。
●任何
这种材料的一部分,不得转载或复制以任何形式或未经Epson Toyocom公司书面许可,任何手段。
信息,应用电路,编程,使用等内容,写在本材料仅供参考。爱普生拓优科梦不
承担第三方的任何专利或版权的侵权行为的发生不承担任何责任。这种材料不授权许可
任何专利或知识版权。
●任何
在这种材料中描述的产品可能包含技术或主题相关的战略产品的外国的控制下
日本外汇及对外贸易法,并且可能需要从国际贸易和工业等部出口许可证
批准从其他政府机构。
●您
请不要用产品(提供的任何技术信息,如有)用于武器的开发和/或制造
大规模杀伤性或其他军事用途。你还要求,你会不会提供给任何第三方的产品
谁可以使用该产品用于此类违禁用途。
这些
产品主要用于电子设备的普遍使用。当在需要极高的特定应用中使用它们
可靠性,如将应用程序,您必须从Epson Toyocom公司获得许可提前。
/太空设备(人造卫星,火箭等) /运输车辆(汽车,飞机,火车,船舶等)
/医疗仪器维持生命/潜艇发射器/发电站和相关/消防工作的设备和安全设备
/交通控制设备/及其他要求具有同等可靠性。
在这个新的主晶爱普生拓优科梦,产品代码和标记将继续担任合并之前先前确定的。
由于持续的零件号的逐渐统一的策略,请查阅产品代码和标记,因为他们将在改变
当然,在未来的几个月中。
我们带来的不便深表歉意,但我们最终将有一个统一的零件编码系统,爱普生拓优科梦,这将是用户友好的。
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20+
6000
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电联
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