【晶体振荡器爱普生拓优科梦产品Numbe R（欢迎来电咨询）晶体振荡器可编程SG - 8002JF ：】,IC型号SG-8002JA,SG-8002JA PDF资料,SG-8002JA经销商,ic,电子元器件-51电子网

晶体振荡器

爱普生拓优科梦

产品Numbe R（欢迎来电咨询）

晶体振荡器

可编程

SG - 8002JF ： Q3307JCx1xxxx00

SG - 8002CA ： Q3306JAx1xxxx00

SG - 8002JC

系列

频率

范围

●供应

电压

“功能

厚度

1兆赫至125兆赫

3.3 V或5.0 V

输出使能（ OE ）或待机（

)

2.7毫米最大（ SG - 8002JC ）

4.7毫米最大（ SG - 8002JA ）

封装和引脚与SG -636 （ SG - 8002JC ）兼容

封装和引脚与SG -615 （ SG - 8002JA ）兼容

短

利用PLL技术批量生产时间。

SG-作家

可选购。

请联系Epson Toyocom公司或当地的销售代表。

实际尺寸

SG-8002JC

SG-8002JA

规格（特征）

项

输出频率范围

电源电压

温度

范围

存储

温度

操作

温度

符号

特定网络阳离子

1兆赫至125兆赫

4.5 V至5.5 V

= 4.5 V至5.5 V

1 MHz至125 MHz的V

= 3.0 V至3.6 V

1 MHz至66.7 MHz的V

= 2.7 V至3.6 V

2.7 V至3.6 V

备注

T_stg

T_use

f_tol

-55

°C

+125

°C

（ JC ： -55

°C

+100

°C)

-20

°C

+70

°C

(-40

°C

+85

°C)

-40

°C

+85

°C

拆包后的保存裸产品

请参阅“纲要规范” （频率范围）

SG - 8002JC ： -20

°C

+70

°C

只

-20

°C

+70

°C

-40

°C

+85

°C

（除SG- 8002JC ）

无负载条件下，最大。频率

OE = GND （ PT ， PH ， PC）

= GND （ ST ， SH ， SC ）

CMOS负载： 50 ％V

级，最大负载条件

TTL负载： 1.4 V电平，最大负载条件

= -16毫安（ PT ， ST ， PH ， SH ）， - 8毫安（PC ， SC ）

= 16 MA（ PT ， ST ， PH ， SH ）， 8毫安（PC ， SC ）

≤

90 MHz和马克斯。电源电压

马克斯。频率和最大。电源电压

±50 ×

-6

,C:

±100 ×

-6

±100 ×

-6

消耗电流

mA（最大值） 45 。

28毫安最大。

禁用当前

I_dis

mA（最大值） 30 。

mA（最大值） 16 。

待机电流

I_STD

马克斯。

40％至60％的

对称

符号

40％至60％的

高输出电压

-0.4 V MIN 。

低输出电压

0.4 V最大。

输出负载条件下（ TTL ）

L_TTL

5TTL MAX 。

输出负载条件（ CMOS ）

L_CMOS

15pF的MAX 。

输出使能/

2.0 V分钟。

70 % V

分钟。

终端或OE端

0.8 V最大。

20 % V

马克斯。

禁止输入电压

3 ns（最大值）。

CMOS负载： 20 ％V

到80 ％的V

水平

上升时间/下降时间

4 ns（最大值）。

TTL负载： 0.4 V至2.4 V电平

最大10 ms 。

在电源电压最低的时间是0秒

启动时间

t_str

-6

+25

°C,

= 5.0 V / 3.3 V （PC ， SC ）第一年

±5 ×

10 /年最大。

频率老化

f_aging

工作温度（ -40

°C

+85

°C),

可用的频率，对称和输出负载的条件下，请参考“规格概述”页。

频率容差

PLL -PLL连接&抖动规格，请参阅“抖动规格和特性表”页面。

ST和PH

SH的“M ”公差可达到55兆赫。（ SG - 8002JC不可用“M”公差）

如果有可能的频率检查程序。

外形尺寸

SG-8002JC

10.5最大。

（单位：毫米）

足迹（推荐）

（单位：毫米）

E125.0000

2PH 9357B

5.0

5.8最大。

0.51

5.08

(1.0)

3.6

(1.0)

0.05Min.

引脚图

针

连接

OE或

GND

OUT

2.7 MAX 。

4.6

注。

OE引脚（ PT ， PH ， PC）

OE引脚= "H"或"open" ：指定的频率输出。

OE引脚= "L" ：输出为高阻态。

ST引脚（ ST ， SH ， SC ）

ST引脚= "H"或"open" ：指定的频率输出。

ST引脚= "L" ：输出为低电平（弱上拉 - 下）

振荡停止。

1.3

SG-8002JC

2.1

5.08

1.3

SG-8002JA

14.0最大

金属可以在该产品的顶部或底部暴露出来。

这不会影响任何质量，可靠性或电气规格。

SG-8002JA

3.0

8.8

5.08

2PH 9357B

4.7 MAX 。

8.65

爱普生

100.0000 C

引脚图

针

连接

OE或

GND

OUT

9.8 MAX 。

0.51

5.08

0.25Min.

7.62

http://www.epsontoyocom.co.jp

0.25

振荡器

晶体振荡器

爱普生拓优科梦

规格SG- 8002系列_大纲

项

模型

当前

消费记录

化

供应

电压

4.5 V至5.5 V

15 pF的

3.0 V至3.6 V

15 pF的

（ 2.7 V至3.6 V ）

输出负载条件

输出上升时间

输出下降时间

3.0 ns（最大值）。

(20 % V

到80 ％的V

， L_CMOS =最大值）。

3.0 ns（最大值）。

(20 % V

到80 ％的V

L_CMOS =最大值）。

对称

功能

30毫安

SG-8002LB

（ SOJ 4针）

马X.

40 ％至60％（50 ％的V

， L_CMOS = 15 pF的

≤80

兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）

28毫安

马X.

45 ％至55％（50 ％的V

， L_CMOS = 15 pF的V

= 3.0 V至3.6 V ，

40 ％至60％（50 ％的V

， L_CMOS = 15 pF的V

= 3.0 V至3.6 V ，

↑

(50 % V

， L_CMOS = 15 pF的，V

= 2.7 V至3.6 V ，

≤40

兆赫）

≤125

兆赫）

≤66.7

兆赫）

SG-8002CA

（ SON ）

SG-8002JA

（ SOJ 4针）

SG-8002DB

（ DIP 14针）

SG-8002DC

（ DIP 8针）

45毫安

28毫安3.0 V至3.6 V

45毫安

4.5 V至5.5 V

马X.

5 TTL + 15 pF的（

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

25 PF（

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

5 TTL + 15 pF的（

≤40

兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）

15 PF（

≤55

兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）

4.5 V至5.5 V

25 PF（

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

50 PF（

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

15 PF（

≤55

兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）

25 PF（

≤40

兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）

15 PF（

≤66.7

兆赫/ 2.7 3.6 V）

15 PF（

≤125

兆赫/ 3.0 3.6 V ）

（ 2.7 V至3.6 V ）

30 PF（

≤40

兆赫/ 3.0 3.6 V ）

5TTL + 15 pF的（

≤90

兆赫/ -20至+ 70 ° C）

45 ％至55％（1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

2.0 ns（最大值）。

↑

（ 1.4 V， L_TTL = 5 TTL + 15 pF的，

≤40.0

兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）

（ 0.8 V至2.0 V， L_CMOS或L_TTL =最大值）。

40 ％至60％（1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

4.0 ns（最大值）。

↑

（ 1.4 V， L_CMOS = 25 pF的，

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

（ 0.4 V至2.4 V ， L_CMOS或L_TTL =最大值）。

↑

（ 1.4 V， L_CMOS = 15 pF的，

≤55.0

兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）

3.0 ns（最大值）。

(20 % V

到80 ％的V

,L_CMOS≤25)

45 ％至55％（50 ％的V

， L_CMOS = 25 pF的

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

↑

(50 % V

， L_MOS = 25 pF的，

≤40.0

兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）

40 ％至60％（50 ％的V

， L_CMOS = 25 pF的

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

4.0 ns（最大值）。

↑

(50 % V

， L_CMOS = 50 pF的，

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

(20 % V

到80 ％的V

， L_CMOS =最大值）。

↑

(50 % V

， L_CMOS = 15 pF的，

≤55.0

兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）

3.0 ns（最大值）。

(20 % V

到80 ％的V

,L_CMOS≤15)

4.0 ns（最大值）。

(20 % V

到80 ％的V

， L_CMOS =最大值）。

2.0 ns（最大值）。

（ 0.8 V至2.0 V， L_CMOS或L_TTL =最大） 40 ％至60 ％（ 1.4 V， L_TTL = 5 TTL + 15 pF的，

≤90.0

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

4.0 ns（最大值）。

↑

（ 1.4 V， L_CMOS = 25 pF的，

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

（ 0.4 V至2.4 V ， L_CMOS或L_TTL =最大值）。

↑

（ 1.4 V， L_CMOS = 15 pF的，

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

3.0 ns（最大值）。

(20 % V

到80 ％的V

,L_CMOS≤25)

4.0 ns（最大值）。

3.0 ns（最大值）。

(20 % V

到80 ％的V

,L_CMOS≤15)

4.0 ns（最大值）。

(20 % V

到80 ％的V

， L_CMOS =最大值）。

2.0 ns（最大值）。

（ 0.8 V至2.0 V， L_CMOS≤25 ）

45 ％至55％（50 ％的V

L_CMOS = 25 pF的

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

40 ％至60％（50 ％的V

， L_CMOS = 15 pF的

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

↑

(50 % V

， L_CMOS = 25 pF的，

≤90

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

(50 % V

， L_CMOS = 50 pF的，

45 ％至55％（1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

45 ％至55％（50 ％的V

， L_CMOS = 30 pF的V

= 3.0 V至3.6 V ，

40 ％至60％（50 ％的V

， L_CMOS = 15 pF的V

= 3.0 V至3.6 V ，

↑

(50 % V

， L_CMOS = 15 pF的，V

= 2.7 V至3.6 V ，

≤40

兆赫）

≤125

兆赫）

≤66.7

兆赫）

15 PF（

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

25 PF（

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

15 PF（

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

25 PF（

≤90

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

SG-8002JC

（ SOJ 4针）

马X.

50 PF（

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

15 PF（

≤66.7

兆赫/ 2.7 3.6 V）

(20 % V

到80 ％的V

， L_CMOS =最大值）。

↑

≤50

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

28毫安

马X.

3.0 V至3.6 V

15 PF（

≤125

兆赫/ 3.0 3.6 V ）

（ 2.7 V至3.6 V ）

30 PF（

≤40

兆赫/ 3.0 to3.6 V）

45 ％至55％（50 ％的V

， L_CMOS = 30 pF的V

= 3.0 V至3.6 V ，

40 ％至60％（50 ％的V

， L_CMOS = 15 pF的V

= 3.0 V至3.6 V ，

↑

(50 % V

， L_CMOS = 15 pF的，V

= 2.7 V至3.6 V ，

≤40

兆赫）

≤125

兆赫）

≤66.7

兆赫）

15 PF（

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

25 PF（

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

5TTL + 15 pF的（

≤

90兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

15 PF（

≤40

兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）

SG-8002JF

（ SOJ 4针）

45毫安

马X.

4.5 V至5.5 V

40毫安

SG-8002CE

（ SON ）

马X.

4.5 V至5.5 V

28毫安

马X.

15 PF（

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

25 PF（

≤90

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

50 PF（

≤50

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

15 PF（

≤40

兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）

4.0 ns（最大值）。

↑

（ 1.4 V， L_CMOS = 15 pF的，

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

（ 0.4 V至2.4 V ， L_CMOS或L_TTL =最大值）。

↑

（ 1.4 V， L_CMOS = 15 pF的，

≤40

兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）

45 ％至55％（50 ％的V

， L_CMOS = 25 pF的

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

3.0 ns（最大值）。

40 ％至60％（50 ％的V

， L_CMOS = 25 pF的

≤90.0

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

(20 % V

到80 ％的V

,L_CMOS≤25)

↑

(50 % V

， L_CMOS = 50 pF的，

≤50.0

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

4.0 ns（最大值）。

↑

(50 % V

， L_CMOS = 15 pF的，

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

(20 % V

到80 ％的V

， L_CMOS =最大值）。

↑

(50 % V

， L_CMOS = 15 pF的，

≤40

兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）

3.0 ns（最大值）。

(20 % V

到80 ％的V

,L_CMOS≤15)

45 ％至55％（50 ％的V

， CL = 30 pF的，V

= 3.0 V至3.6 V ，

≤40

兆赫）

40 ％至60％（50 ％的V

， CL = 15 pF的，V

= 3.0 V至3.6 V ，

≤125

兆赫）

45 ％至55％（1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

40 ％至60％（1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，

≤90

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

↑

（ 1.4 V， L_CMOS = 25 pF的，

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

3.0 V至3.6 V

15 PF（

≤125

兆赫/ 3.0 3.6 V ）

（ 2.7 V至3.6 V ）

30 PF（

≤40

兆赫/ 3.0 3.6 V ）

15 PF（

≤66.7

兆赫/ 2.7 3.6 V）

5 TTL + 15 pF的（

≤27

兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）

15 PF（

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

5 TTL + 15 pF的（

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

4.0 ns（最大值）。

↑

(50 % V

， CL = 15 pF的，V

= 2.7 V至3.6 V ，

≤66.7

兆赫）

(20 % V

到80 ％的V

， L_CMOS =最大值）。

2.0 ns（最大值）。

45 ％至55％（1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

（ 0.8 V至2.0 V， L_TTL =最大值）。

4.0 ns（最大值）。

（ 0.4 V至2.4 V ， L_TTL =最大值）。

3.0 ns（最大值）。

↑

（ 1.4 V， L_TTL = 5 TTL + 15 pF的，

≤27.0

兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）

40 ％至60％（1.4伏， L_TTL = 5的TTL + 15 pF的，

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

45 ％至55％（50 ％的V

， L_CMOS = 25 pF的

28毫安

马X.

25 PF（

≤100

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

25 PF（

≤27

兆赫/ -40 ° C至+ 85 ° C）

3.0 V至3.6 V

15 PF（

≤66.7

兆赫/ 2.7 3.6 V）

（ 2.7 V至3.6 V ）

15 PF（

≤125

兆赫/ 3.0 3.6 V ）

↑

(50 % V

， L_CMOS = 25 pF的，

≤27.0

兆赫/ -40 ° C至+ 85°C ）

(20 % V

到80 ％的V

， L_CMOS =最大值）。

40 ％至60％（50 ％的V

， L_CMOS = 15 pF的

≤125

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

3.0 ns（最大值）。

45 ％至55％（50 ％的V

， L_CMOS = 15 pF的V

= 3.0 V至3.6 V ，

≤40

兆赫）

(20 % V

到80 ％的V

L_CMOS =最大值）。

40 ％至60％（50 ％的V

， L_CMOS = 15 pF的V

= 3.0 V至3.6 V ，

↑

(50 % V

， L_CMOS = 15 pF的，V

= 2.7 V至3.6 V ，

≤66.7

兆赫/ -20 ° C至+ 70 ° C）

≤125

兆赫）

≤66.7

兆赫）

表频率范围

模型

PT / ST

PH / SH

PC / SC

PH / SH

SG-8002LB

PC / SC

PT / ST

PH / SH

PT / ST

PH / SH

PC / SC

PT / ST

PH / SH

PC / SC

3.3 V±0.3 V

4.5 V至5.5 V

3.0 V至3.6 V

（ 2.7 V至3.6 V ）

4.5 V至5.5 V

3.0 V至3.6 V

（ 2.7 V至3.6 V ）

4.5 V至5.5 V

3.0 V至3.6 V

（ 2.7 V至3.6 V ）

电源电压

4.5 V至5.5 V

3.0 V至3.6 V

（ 2.7 V至3.6 V ）

5.0 V±0.5 V

频率容差

OperatingTemperature

B，C

B， C，M

B，C

M，L

B，C ， M，L

B，C

B， C，M

B，C

B， C，M

频率

1兆赫

1.0 MH

*2.7

V到3.6 V ： 1.0 MHz到66.7 MHz的

1.0 MH

*2.7

V到3.6 V ： 1.0 MHz到66.7 MHz的

1.0 MH

*2.7

V到3.6 V ： 1.0 MHz到66.7 MHz的

55 MH

125 MH

*2.7

V到3.6 V ： 1.0 MHz到66.7 MHz的

125 MH

27 MH

125 MH

*2.7

V到3.6 V ： 1.0 MHz到66.7 MHz的

125 MH

40 MH

125 MH

80 MH

50兆赫

27 MH

100兆赫

125兆赫

125 MH

SG-8002CE

SG-8002JF

SG-8002CA

SG-8002JA

SG-8002DB

SG-8002DC

SG-8002JC

频率容限： B： ± 50 × 10

-6

（ -20 ° C至+ 70 ° C）， C： ± 100 × 10

-6

（ -20 ° C至+ 70 ° C）， M： ± 100 × 10

-6

（ -40 ° C至+ 85 ° C）， L： ± 50 × 10

-6

（ -40 ° C至+ 85 ° C）

http://www.epsontoyocom.co.jp

晶体振荡器

爱普生拓优科梦

SG / HG- 8002系列_

抖动的规格和特性图

■

PLL -PLL连接

因为我们使用一个PLL技术中，有一些情况下，当SG- 8002连接到另一个抖动值将增加

PLL的振荡器。

根据我们的经验，我们无法推荐这些产品的应用，如电信运营商使用或模拟视频

时钟使用。请提前为这些应用程序仔细的检查（抖动规格的最大值是250 PS / CL = 15 pF的）

抖动特定网络阳离子

模型

供应

电压

5.0 V

±0.5

峰值到峰值

3.3 V

±0.3

循环周期

峰值到峰值

抖动项目

循环周期

特定网络阳离子

150

PS最大。

200 PS最大。

250 PS最大。

200 PS最大。

250 PS最大。

备注

33兆赫

≤

125

兆赫， L_CMOS = 15 pF的

1.0

兆赫

≤

< 33兆赫， L_CMOS = 15 pF的

33兆赫

≤

125

兆赫， L_CMOS = 15 pF的

1.0

兆赫

≤

< 33兆赫， L_CMOS = 15 pF的

1.0

兆赫

≤

125

兆赫， L_CMOS = 15 pF的

1.0

兆赫

≤

125

兆赫， L_CMOS = 15 pF的

■

备注噪音管理的电源线

我们不建议在电源线的EMI降噪对策插入过滤器或其它设备。

此设备插入，可能会在电源线的高频阻抗高，它会影响振荡器稳定的驱动。

当这项措施是必需的，请评估电路和设备的行为在电路并验证它不会影响振荡。

启动时间（0 ％V

到90 ％的V

）电源的应大于

150

■

SG -8002系列特性曲线图

（MA ）

_Dis

（MA ）

对称（％）

_std

(

2.5

3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

(V)

5.5 6.0

40 60 80

100 120 140

频率（MHz）

待机电流

40 60 80

100 120 140

频率（MHz）

消耗电流

=5.0V)

对称（％）

50 pF的

对称的5.0 V CMOS电平

25 pF的

3.0

输出上升时间（ CMOS电平）

4.5 V

5.0 V

5.5 V

2.5

上升时间（纳秒）

3.0 V

3.3 V

3.6 V

2.7 V

2.0

1.5

40 60 80

100 120 140

频率（MHz）

1.0

10 15

20 25 30 35 40 45

50 55

禁用当前

=5.0V)

对称的3.3 V CMOS电平

3.0

30 pF的

负载电容（PF ）

输出下降时间（ CMOS电平）

3.0 V

3.3 V

3.6 V

4.5 V

5.0 V

5.5 V

下降时间（纳秒）

2.5

40 60 80

100 120 140

频率（MHz）

2.0

2.7 V

1.5

对称5.0V TTL电平

1.0

10 15

20 25 30 35 40 45

负载电容（PF ）

50 55

25 pF的

2.0

上升时间（纳秒）

1.5

1.0

输出上升时间（ TTL电平）

4.5 V

5.0 V

5.5 V

40 60 80

100 120 140

频率（MHz）

2.0

下降时间（纳秒）

附加价值（毫安）

输出负载与额外的电流消耗

=5.0 V

25 pF的

50 pF的

30 pF的

电压系数[

VS I_dis ， I_STD ]

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

2.5

I_dis(Va)=Times(Va)×I_dis(5.0V)

I_std(Va)=Times(Va)×I_std(5.0V)

负载电容（PF ）

输出下降时间（ TTL电平）

时

1.5

4.5 V

5.0 V

5.5 V

1.0

40 60 80

100 120 140

频率（MHz）

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

(V)

负载电容（PF ）

http://www.epsontoyocom.co.jp

“ QMEMS 」Epson Toyocom

为了满足客户的需求在迅速发展的数字化，

宽带和无所不在的社会，我们致力于提供产品

这是领先于市场一步以上的休息质量等级。

为了实现我们的目标，我们遵循了“ 3D （ 3设备）战略”，旨在

驱动水平和垂直生长。我们将扩大我们的三个装置

“定时装置”类别， “传感设备”和“光器件” ，

并通过对产品从这些组合扩大垂直生长

类别。

石英MEMS就是利用了所有高附加值的石英器件

石英晶体材料的特性，而且是使用MEMS制造

（微机电系统）的处理技术。

市场需求推动的速度比以前想象的走向

更小，更稳定的晶体产品，但我们会保持领先的曲线

通过推出超过市场的速度，优质的产品

要求。我们要进一步加快了QMEMS的3D战略。

石英器件已经成为在网络环境中，其中关键

产品正越来越多地用于宽带，无处不在的应用

在各类终端都可传送信息

立即通过局域网和广域网在全球范围内。爱普生拓优科梦

公司地址在网络环境中的所有需求。

新公司提供了“数字融合”的问题解决方案

的产品，为消费者的使用，例如，核心网络系统所产生

和汽车系统。

促进环境管理体系

符合国际标准

爱普生拓优科梦，所有的环保措施下运行

ISO 14000是国际标准环境管理

计划 - 执行 - 检查 - 行动（ PDCA ）的循环来实现

那是在1996年成立了国际标准化组织

不断改进。环境管理

针对日益关注的关于全球气候变暖的背景下，

系统（ EMS）的ISO下运作14001环境

臭氧层的破坏和全球毁林

管理标准。

我们所有的主要制造和非制造基地，在日本和海外完成收购的ISO 14001认证。

在未来，新的集团公司将有望获得各地运营的第三年的认证。

追求高品质

为了提供优质可靠的产品和服务比满足客户的需求，

爱普生拓优科梦早日作出努力取得ISO9000系列认证，并已获得ISO9001在日本所有的商业机构

和国外。我们还通过ISO / TS 16949认证是由大型汽车制造厂商要求规格的。

QS- 9000是质量保证体系更加强化的标准

由美国知名汽车制造商的基础上制定的

国际ISO 9000系列。

ISO / TS 16949是根据QS -9000 ，严厉标准的全球标准

对应于从汽车工业的要求。

Explanation

该标记的正在使用它的产品目录

-PB

免费。

符合

欧盟RoHS指令。

-PB

免费终端设计。含铅产品通过RoHS指令豁免。

（包含铅密封玻璃，高温熔化性焊料或其他）。

符合

欧盟RoHS指令。

该

产品已专为高可靠性应用，如汽车。

通告

本

资料如有更改，恕不另行通知。

●任何

这种材料的一部分，不得转载或复制以任何形式或未经Epson Toyocom公司书面许可，任何手段。

该

信息，应用电路，编程，使用等内容，写在本材料仅供参考。爱普生拓优科梦不

承担第三方的任何专利或版权的侵权行为的发生不承担任何责任。这种材料不授权许可

任何专利或知识版权。

●任何

在这种材料中描述的产品可能包含技术或主题相关的战略产品的外国的控制下

日本外汇及对外贸易法，并且可能需要从国际贸易和工业等部出口许可证

批准从其他政府机构。

●您

请不要用产品（提供的任何技术信息，如有）用于武器的开发和/或制造

大规模杀伤性或其他军事用途。你还要求，你会不会提供给任何第三方的产品

谁可以使用该产品用于此类违禁用途。

这些

产品主要用于电子设备的普遍使用。当在需要极高的特定应用中使用它们

可靠性，如将应用程序，您必须从Epson Toyocom公司获得许可提前。

/太空设备（人造卫星，火箭等） /运输车辆（汽车，飞机，火车，船舶等）

/医疗仪器维持生命/潜艇发射器/发电站和相关/消防工作的设备和安全设备

/交通控制设备/及其他要求具有同等可靠性。

●

在这个新的主晶爱普生拓优科梦，产品代码和标记将继续担任合并之前先前确定的。

由于持续的零件号的逐渐统一的策略，请查阅产品代码和标记，因为他们将在改变

当然，在未来的几个月中。

我们带来的不便深表歉意，但我们最终将有一个统一的零件编码系统，爱普生拓优科梦，这将是用户友好的。

可编程高频晶体振荡器

SG- 8002JA系列

利用PLL技术实现宽广的频率输出。

快速交付的样品，并缩短交货时间的质量

生产。

优异的耐冲击性和环保性能。

输出使能功能（ OE ）和待机功能（ ST）可以

用于低电流消耗的应用程序。

外形和引脚与SG -615兼容。

实际尺寸

编程工具可用（型号： PRW - 8000A3 - M01 ）。

规格（特征）

项

输出频率范围

电源

电压

温度

范围

马克斯。电源电压

工作电压

储存温度

工作温度

符号

-GND

英镑

OPR

SOL

f/f

IOP

/ t

TLH

THL

OSC

S.R.

PT / ST

PH / SH

特定网络阳离子

PC / SC

备注

1.0000 MHz至

125.0000 MHz的

-0.5V至+ 7.0V

5.0V±0.5V

-55 ° C至+ 125°C

-20°C至+ 70°C （ -40℃至+ 85℃）

1.0000 MHz至

106.2500 MHz的

3.3

0.3V

-40 ° C至+ 85°C

3.0V ± 0.3V ：F

≤

66.7MHz(PC/SC)

请参阅第6."Frequency range"

焊接条件

频率稳定度

消耗电流

禁止输出电流

待机电流

税

高输出电压

低输出电压

输出负载

条件（扇出）

两次在260℃下，在10秒内。

或在3分钟内230℃下。

B： ± 50PPM C： ± 100ppm的M： ± 100ppm的（ -40℃至+ 85℃）

-20 ° C至+ 70°C

无负载条件下，最大。频带

OE = GND （ PT ， PH ， PC）

ST = GND （ ST ， SH ， SC ）

C- MOS负载： 1 / 2V

水平

TTL负载： 1.4V电平

= -16mA （ PT / ST ， PH / SH ）， - 8毫安（PC / SC ）

= 16毫安（ PT / ST ， PH / SH ）， 8毫安（ PC / SC ）

45毫安最大。

30毫安最大。

50μA最大。

28毫安MAX 。

16毫安最大。

—

40％至60％的

TTL

C-MOS

输出启用/禁用输入电压

输出上升时间

输出下降时间

C-MOS级

TTL电平

C-MOS级

TTL电平

40％至60％的

—

-0.4V MIN 。

0.4V MAX 。

5TTL MAX 。

—

15pF的MAX 。

25PF MAX 。

15pF的MAX 。

2.0V最小。

0.7

分钟。

0.8V最大。

0.2

马克斯。

—

最大为4ns 。

—

最大为4ns 。

—

10ms以下。

时±5ppm /年MAX 。

± 20ppm的MAX 。

马克斯。频率和最大。工作电压范围

， OE端

C- MOS负载： 20

%→

TTL负载： 0.4V

→

2.4V

C- MOS负载： 80

%→

TTL负载： 2.4V

→

0.4V

振荡启动时间

老化

耐冲击性

注意：

在最低工作电压的时间为0秒。

TA = 25°C ，V

= 5.0V / 3.3V （ PC / SC ）

三滴在硬板75厘米

与3000G激发试验X 0.3ms ×1 / 2sine

波在3个方向

请联系我们以了解工作温度（ -40℃至+ 85℃），可用频率，占空比和输出负载条件查询。

如果有可能的频率检查程序。

（单位：毫米）

号引脚端

1 OE或ST

GND

OUT

外形尺寸

14.0最大

推荐焊接模式

1.3

3.8

1.3

（单位：毫米）

爱普生

100.0000 C

7100A

2PH

4.7 MAX 。

4.06

0.25

5.08

0.51

0.25分钟。

7.62

（当有线连接或将被设计，请参阅第5页）

http://www.spezial.cz - - - spezial@spezial.cz - - - 热线：电话：（ 02 ） 2434 2200 - - - 传真（ 02 ） 2434 3200

3.0

5.8

1.52

9.8 MAX 。

8.65

3.0